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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于实时监测和清洁腹腔镜镜头的方法和系统-CN202080098377.9在审
发明人：丁伟江;S·S·艾哈迈德;黄凯;张凯之 -专利权人：柯惠有限合伙公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： A61B1/12 文献下载
摘要：一种用于互操作性地监测和清洁腹腔镜(212)的镜头(214)的系统(100)包括具有腹腔镜(212)的监测系统(200)和用于监测由所述腹腔镜(212)提供的图像的清晰度的软件。所述软件被配置为在所述图像清晰度降至低于预定阈值时提供反馈信号。所述系统(100)另外包括清洁系统(300)，所述清洁系统与所述监测系统(200)操作性地连接并被配置为在从所述监测系统(200)接收到所述反馈信号时启动。所述清洁系统(300)包括加压液体源(310)、压缩空气源(320)和抽吸源(330)。所述加压液体源和所述压缩空气源(310、320)被配置为与所述抽吸源(330)同时启动。
用于实时监测清洁腹腔镜镜头方法系统

[发明专利]用于清洁其中的医疗装置的套管针-CN202080098549.2在审
发明人：丁伟江;S·S·艾哈迈德;黄凯;张凯之 -专利权人：柯惠有限合伙公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： A61B17/34 文献下载
摘要：本文提供了一种准许清洁医疗装置的套管针(10)。在各方面，所述套管针(10)具有在所述套管针(10)的远侧部分处的密封件(50)。在使用中，如腹腔镜(200)的医疗装置穿过所述套管针(10)的所述远侧部分处的所述密封件(50)。为了清洁所述腹腔镜(200)的端部处的镜头(210)，对所述套管针(10)的内部施加真空，将所述腹腔镜(200)部分地抽出，使得其接近所述密封件(50)，并且将液体和/或气体引入到所述套管针(10)中以清洁所述镜头(210)，同时所述腹腔镜(200)仍留在所述套管针(10)内。
用于清洁中的医疗装置套管

[实用新型]内窥镜清洁装置-CN202121887358.2有效
发明人： S·S·艾哈迈德;丁伟江;黄凯 -专利权人：柯惠有限合伙公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： A61B1/12 文献下载
摘要：一种清洁装置能够实现在外科手术期间清洁内窥镜的透镜以维持清晰图像，而不必从患者的身体取出所述内窥镜。所述清洁装置包括抽吸环，所述抽吸环选择性地包围所述内窥镜的透镜并在清洁所述透镜期间保留所述清洁流体。
内窥镜清洁装置

[发明专利]具有改进的切割环组合件的砧座组合件-CN201880099909.3在审
发明人： S·S·艾哈迈德;H·杨 -专利权人：柯惠有限合伙公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： A61B17/068 文献下载
摘要：一种砧座组合件包含中心杆和头部组合件。所述中心杆限定纵向轴线并且具有近侧部分和远侧部分。所述头部组合件包含壳体、支撑在所述壳体内的中心柱，以及切割环组合件。所述壳体支撑限定多个缝钉变形凹座的砧座。所述中心柱和所述壳体限定环形腔。所述切割环组合件定位在所述环形腔内并且包含支承板和切割环，其中所述支承板由热塑性聚合物形成，并且所述切割环由聚乙烯形成且包覆模制到所述支承板上。
具有改进切割组合

[发明专利]抗-PD-1抗体组合物-CN201980030480.7在审
发明人： S·S·艾哈迈德;B·M·巴尔塔佐尔;A·P·梅赫塔;T·库雷希 -专利权人：辉瑞公司
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： A61K9/00 文献下载
摘要：本发明总体上涉及抗体的药物制剂领域。具体而言，本发明涉及高浓度抗体制剂及其药物制备和用途。本发明以抗‑PD‑1抗体的制剂为例。
pd 抗体组合

[实用新型]垫圈约束系统-CN201720915713.X有效
发明人： S·杰雅帕兰;S·S·艾哈迈德;L·J·汉比 -专利权人：卡特彼勒公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： F16B5/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种垫圈约束系统，其具有第一板和使用紧固构件联接到第一板的第二板。垫圈约束系统还包括设置在第一板和第二板之间的保持器。保持器包括用于接纳贯穿其的紧固构件的第一开口。垫圈约束系统还包括设置在第一板和第二板之间的保持器。垫圈包括用于在其中接纳保持器的第一开口。当紧固构件被紧固时，保持器适于限制垫圈的移动并且将所述垫圈的压缩限制到某阈值。本实用新型通过保持器来防止垫圈超过规定阈值的压缩，以保障第一板和第二板之间的流体紧密密封，从而防止异物例如污物和流体进入平台的腔室。
垫圈约束系统

[发明专利]具有减薄体的窄体金属镶嵌三栅极鳍状场效应晶体管-CN200480040302.6有效
发明人： S·S·艾哈迈德;汪海宏;俞斌 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2004-12-21 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种形成鳍式场效应晶体管的方法，包含下列步骤：形成鳍状物(205)；以及在该鳍状物(205)的第一末端上形成源极区(210)，并在该鳍状物(205)的第二末端上形成漏极区(215)。该方法进一步包含下列步骤：在该鳍状物(205)之上，在第一图案中形成具有第一半导电材料的假栅极(505)；以及在该假栅极(505)的周围形成介电层(605)。该方法亦包含下列步骤：去除该第一半导电材料，而在该介电层(605)中留下对应于该第一图案的沟槽(705)；减薄该沟槽(705)内露出的该鳍状物(205)的一部分；以及在该沟槽(705)内形成金属栅极(1005)。
具有减薄体金属镶嵌栅极场效应晶体管

[发明专利]金属镶嵌三栅极鳍状场效应晶体管-CN200480040303.0有效
发明人： S·S·艾哈迈德;汪海宏;俞斌 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2004-12-21 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种形成鳍式场效应晶体管的方法包含下列步骤：形成鳍状物(205)；以及在邻接该鳍状物(205)的第一末端处形成源极区(210)，并在邻接该鳍状物(205)的第二末端处形成漏极区(215)。该方法进一步包含下列步骤：在该鳍状物(205)之上形成假栅极(505)；以及在该假栅极(505)的周围形成介电层(605)。该方法亦包含下列步骤：去除该假栅极(505)，以便在该介电层(605)中形成沟槽(705)；以及在该沟槽(705)中形成金属栅极(905)。
金属镶嵌栅极场效应晶体管

[发明专利]自动对准镶嵌栅极-CN200480033715.1有效
发明人： C·E·塔贝里;S·S·艾哈迈德;M·S·拜诺斯基;S·达克希纳－墨菲;Z·克里沃卡皮奇;汪海宏;C－Y·杨;俞斌 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2004-10-08 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种用于形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(200)的方法包含形成鳍区域、源极区域及漏极区域于衬底上、形成鳍(310)于该鳍区域内及形成掩模(320)于该鳍区域内。该方法更包含蚀刻该掩模(320)以暴露出该金属氧化物半导体场效应晶体管(200)的沟道区域(330)、蚀刻该鳍(310)以薄化在该沟道区域(330)内的该鳍(310)的宽度、形成栅极于该鳍(310)的上方及形成接触至该栅极、该源极区域及该漏极区域。
自动对准镶嵌栅极

[发明专利]在半导体器件中改变载流子迁移率以达到整体设计目标-CN200480021176.X有效
发明人：俞斌;S·S·艾哈迈德;汪海宏 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2004-07-28 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体器件(100)可以包含衬底(110)以及形成在该衬底(110)上的绝缘层(120)。第一器件(710)可形成在该绝缘层(120)上，并包含第一鳍状物(130)。该第一鳍状物(130)可形成在该绝缘层(120)上并可具有第一鳍状物深宽比。第二器件(720)可形成在该绝缘层(120)上，并包含第二鳍状物(130)。该第二鳍状物(130)可形成在该绝缘层(120)上并可具有不同于该第一鳍状物深宽比的第二鳍状物深宽比。
半导体器件改变载流子迁移率达到整体设计目标

[发明专利]鳍状场效应晶体管中栅极区域的多步骤化学机械研磨-CN200480016137.0在审
发明人： K·阿楚坦;S·S·艾哈迈德;汪海宏 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2004-06-05 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：一个制造金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)型态的半导体组件的方法包含将沉积于整个沟道上的栅极材料(320)平坦化的步骤。该平坦化步骤以包含初始的即“粗略的”平坦化和随后的“精细的”平坦化的多步骤制造过程的方式施行。用来作精细平坦化的研磨液(slurry)可包含添加物质，该物质倾向于黏附在栅极材料较低的区域。
场效应晶体管栅极区域步骤化学机械研磨

[发明专利]用于化学机械研磨平面化的双硅层鳍状场效应晶体管-CN200480016134.7有效
发明人： K·阿楚坦;S·S·艾哈迈德;汪海宏;俞斌 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2004-06-05 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种鳍状场效应晶体管型式的半导体装置，系包括有鳍结构(210)，于其上具有相对较薄的非晶硅层(420)而后再形成未掺杂的多晶硅层(425)。该半导体装置可使用化学机械研磨(CMP)将其平面化，其中该非晶硅层(420)系做为终止层(stoplayer)以避免损害鳍结构。
用于化学机械研磨平面化双硅层鳍状场效应晶体管

[发明专利]磨平栅极材料以改善半导体装置中的栅极特征尺寸的方法-CN200380102760.3有效
发明人： S·S·艾哈迈德;C·E·塔贝里;H·王;B·俞 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2003-10-14 - 公布日： 2005-12-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体装置(100)的方法，包括在绝缘层(120)上形成鳍式结构(210)。该鳍式结构(210)可包括侧表面以及上表面。该方法还可包括在该鳍式结构(210)上沉积栅极材料层(320)以及平坦化该已沉积的栅极材料层(320)。可在该已平坦化的栅极材料层(320)上沉积抗反射涂层(520)，并且通过该抗反射涂层(520)从该已平坦化的栅极材料层(320)形成栅极结构(510)。
磨平栅极材料改善半导体装置中的特征尺寸方法

[发明专利]具有分离栅极的双栅极半导体装置-CN200380102759.0有效
发明人： S·S·艾哈迈德;H·王;B·俞 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2003-10-14 - 公布日： 2005-12-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一半导体装置(100)，其包括一基板(110)以及形成于该基板(110)上的一绝缘层(120)；一鳍部(210)可形成于该绝缘层上(120)，并包括多个侧表面与一上表面；一第一栅极(410)可形成于邻近该鳍部(210)的多个侧表面其中之一的绝缘层(120)上；一第二栅极(420)可形成在绝缘层(120)上，其与第一栅极(410)隔开并且邻近该鳍部(210)的多个侧表面的另一侧表面。
具有分离栅极半导体装置

[发明专利]具有U字型栅极结构的半导体器件-CN200380101954.1有效
发明人： B·于;S·S·艾哈迈德;J·X·安;S·达克希纳－默西;Z·克里沃卡皮奇;汪海宏 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2003-10-14 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种双栅极半导体器件(100)包括有衬底(110)、绝缘层(120)、鳍(210)以与栅极(510)。该绝缘层(120)形成在该衬底(110)上，而该栅极(510)形成在该绝缘层(120)上。该鳍(210)具有多个侧表面、一顶面、以及一底面。该栅极(510)围绕着鳍(210)的底面以及至少部分的侧表面。围绕该鳍(210)的栅极材料(510)在该半导体器件(100)的沟道区域具有U型剖面。
具有字型栅极结构半导体器件

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