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[发明专利]氧化锑镓锌材料-CN202310227588.3在审
发明人： A·拉贾戈帕拉;S·E·西里斯;S·C·潘迪;D·M·古斯曼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供用于具有第一源极/漏极区、第二源极/漏极区和沟道区的晶体管的系统、方法及设备，其中所述沟道区包括氧化锑镓锌(SbGZO)材料。
氧化锑镓锌材料

[发明专利]交叉点存储器结构阵列和形成交叉点存储器结构阵列的方法-CN201810959229.6有效
发明人： S·E·西里斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：本发明涉及交叉点存储器结构阵列和形成交叉点存储器结构阵列的方法。一些实施例包含一种存储器阵列，所述存储器阵列具有沿着第一方向延伸的第一组线，和在所述第一组线上方并沿着第二方向延伸的第二组线。所述第二组线与所述第一组线在交叉点部位处交叉。存储器结构在所述交叉点部位内。每个存储器结构包含顶部电极材料、底部电极材料和可编程材料。绝缘材料的轨条平行于所述第二组线延伸并沿着所述第一方向与所述第二组线相间。所述可编程材料具有在所述存储器结构内的第一区和在绝缘材料的所述轨条上方的第二区。平坦化表面横越所述第二组线且横越所述可编程材料的所述第二区延伸。一些实施例包含形成存储器阵列的方法。
交叉点存储器结构阵列形成方法

[发明专利]用于水平存取装置的外延单晶硅生长-CN202180066457.0在审
发明人： A·赛伊迪·瓦赫达;G·S·桑胡;S·E·西里斯;李时雨;J·A·斯迈思三世 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明提供用于水平存取装置的外延单晶硅生长的系统、方法和设备。一个示例方法包含：沉积第一电介质材料、半导体材料和第二电介质材料的层以形成竖直堆叠；形成第一竖直开口以在所述竖直堆叠中形成具有第一竖直侧壁的细长的竖直柱列；以及穿过所述竖直堆叠形成第二竖直开口以暴露第二竖直侧壁。此外，所述示例方法包含：从所述第二竖直开口选择性地去除所述半导体材料的第一部分以形成水平开口，其中所述半导体材料的其余第二部分在所述水平开口的远离所述第二竖直开口的远端；以及在所述水平开口内从所述水平开口的所述远端朝向所述第二竖直开口外延地生长单晶硅，以填充所述水平开口。
用于水平存取装置外延单晶硅生长

[发明专利]包含控制逻辑层级的半导体装置以及相关存储器装置、控制逻辑组合件、电子系统和方法-CN201880084643.5有效
发明人： S·E·西里斯;K·D·拜格尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其包括堆叠结构，所述堆叠结构包括叠组，所述叠组各自包括存储器元件层级和控制逻辑层级，所述存储器元件层级包括存储器元件，所述控制逻辑层级与所述存储器元件层级电连通并且包括控制逻辑装置。所述叠组中的一或多个的所述控制逻辑层级的所述控制逻辑装置中的至少一个包括至少一个展现彼此横向位移的晶体管的装置。还描述存储器装置、薄膜晶体管控制逻辑组合件、电子系统以及操作半导体装置的方法。
包含控制逻辑层级半导体装置以及相关存储器组合电子系统方法

[发明专利]晶体管及存储器阵列-CN202180045123.5在审
发明人： S·E·西里斯;D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一些实施例包含具有存取晶体管的阵列的集成存储器。每一存取晶体管包含具有第一源极/漏极区、第二源极/漏极区及沟道区的有源区。所述存取晶体管的所述有源区包含具有选自周期表第13及16族的元素的半导体材料。第一导电结构沿着所述阵列的行延伸且具有与所述存取晶体管的所述沟道区邻近的门控段。异质绝缘区在所述门控段与所述沟道区之间。第二导电结构沿着所述阵列的列延伸，且与所述第一源极/漏极区电耦合。存储元件与所述第二源极/漏极区电耦合。一些实施例包含具有半导体氧化物沟道材料的晶体管。导电栅极材料与所述沟道材料邻近。异质绝缘区在所述栅极材料与所述沟道材料之间。
晶体管存储器阵列

[发明专利]集成组合件和形成集成组合件的方法-CN202210197474.4在审
发明人：中村吉孝;D·D·史莱伦;李宜芳;S·E·西里斯;J·A·伊莫尼吉;K·什里马利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及集成组合件和形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件，所述集成组合件含有包含一或多种过渡金属的第一结构且含有在所述第一结构上方的第二结构。所述第二结构具有直接抵靠所述第一结构的第一区域且具有通过间隙区域与所述第一结构间隔开的第二区域。所述第二结构包含具有选自周期表的第13族的至少一个元素以及选自所述周期表的第15族和第16族的至少一个元素的半导体材料。离子化合物在所述间隙区域内。一些实施例包含一种形成集成组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]竖直三维存储器三节点存取装置形成中的替代栅极电介质-CN202110771933.0有效
发明人： A·赛伊迪·瓦赫达;J·A·斯迈思三世;李时雨;G·S·桑胡;S·E·西里斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本申请的实施例涉及竖直三维存储器三节点存取装置形成中的替代栅极电介质。示例方法包含一种用于形成竖直堆叠的存储器胞元的阵列的方法，所述阵列具有水平定向的存取装置和竖直定向的存取线。所述方法包含沉积介电材料和牺牲半导体材料的交替层以形成竖直堆叠。穿过所述竖直堆叠形成第一竖直开口，以暴露所述牺牲半导体材料的第一区域。选择性地去除所述第一区域以形成第一水平开口，在所述第一水平开口中，替代牺牲栅极介电材料、形成所述三节点存取装置的源极/漏极导电接触材料、沟道导电材料和数位线导电接触材料。
竖直三维存储器节点存取装置形成中的替代栅极电介质

[发明专利]集成组合件和形成集成组合件的方法-CN202111439615.0在审
发明人： A·M·洛;陈卓;M·米洛耶维奇;T·A·奎克;R·J·希尔;S·E·西里斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开涉及集成组合件和形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种具有包括半导体材料的有源区的集成晶体管。导电门控结构邻近于所述有源区。所述导电门控结构包含接近所述有源区的内部区，且包含远离所述有源区的外部区。所述内部区包含含有钛和氮的第一材料，且所述外部区包含含金属的第二材料。所述第二材料具有比所述第一材料高的导电性。一些实施例包含集成组合件。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]交叉点存储器单元阵列及形成交叉点存储器单元阵列的方法-CN201680048586.6有效
发明人： S·E·西里斯;D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明揭示了一种形成交叉点存储器单元阵列的方法，其包括针对所形成的存储器单元中的个别者沿着间隔开的下第一线且在高度上在间隔开的下第一线上方形成间隔开的导电下电极柱。壁在高度上在第一线上方且在沿着第一线的电极柱之间交叉。电极柱及壁形成第一线之间的间隔开的开口。使用所形成的存储器单元的可编程材料给开口加衬里以使用可编程材料未足量填充开口。在开口的剩余体积内可编程材料上方形成导电上电极材料，且在高度上在开口内的导电上电极材料上方形成与第一线交叉的间隔开的上第二线。选择装置介于下电极柱与下伏第一线之间或介于导电上电极材料与上覆第二线之间。本发明的方面包含独立于制造方法的交叉点存储器单元阵列。
交叉点存储器单元阵列形成方法

[发明专利]关于垂直3D存储器的三节点存取装置形成的栅极电介质修复-CN202110994278.5在审
发明人： J·A·斯迈思三世;G·S·桑胡;A·赛伊迪·瓦赫达;李时雨;S·E·西里斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本公开涉及关于垂直3D存储器的三节点存取装置形成的栅极电介质修复，提供一种用于形成具有水平定向的存取装置及垂直定向的存取线的垂直堆叠的存储器单元阵列的方法，其包含沉积电介质材料及牺牲材料的交替层以形成垂直堆叠。形成多个第一垂直开口以在该垂直堆叠中形成伸长垂直立柱。在该多个第一垂直开口中保形地沉积栅极电介质，并在其上形成导电材料。移除该导电材料的部分以形成多个存取线。修复该栅极电介质的第一侧。形成第二垂直开口以暴露邻近该牺牲材料的第一区的侧壁。选择性移除该第一区中的该牺牲材料以形成第一水平开口。修复该栅极电介质的第二侧。在该第一水平开口中沉积第一源极/漏极区、沟道区及第二源极/漏极区。
关于垂直存储器节点存取装置形成栅极电介质修复

[发明专利]集成组合件和形成集成组合件的方法-CN202110952896.3在审
发明人：中村吉孝;李宜芳;J·A·伊莫尼吉;S·E·西里斯;A·M·洛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请案涉及集成组合件和形成集成组合件的方法。一些实施例包含具有存储元件与导电结构之间的存取装置的集成组合件。所述存取装置具有包含半导体材料的沟道材料。所述沟道材料具有第一端和相对的第二端，且具有从所述第一端延伸到所述第二端的侧面。所述第一端邻近所述导电结构，且所述第二端邻近所述存储元件。导电栅极材料邻近所述沟道材料的所述侧面。第一半球形含金属盖在所述导电结构上方且在所述沟道材料下方，和/或第二半球形含金属盖在所述沟道材料上方且在所述存储元件下方。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]竖直三维(3d)存储器的三节点存取装置-CN202110654935.1在审
发明人：李时雨;J·A·斯迈思三世;S·E·西里斯;G·S·桑胡;A·赛伊迪·瓦赫达 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于形成竖直堆叠式存储器单元的阵列的方法，阵列具有水平取向的存取装置和竖直取向的存取线，其包括：在重复迭代中沉积电介质材料和牺牲材料的交替层以形成竖直堆叠，其中牺牲材料的第一部分位于竖直堆叠的、在其中形成通过沟道区域横向分隔开的第一和第二源/漏区域的第一区域中；使用蚀刻剂工艺形成第一竖直开口，暴露出竖直堆叠中与牺牲材料的第一部分相邻的竖直侧壁；选择性地蚀刻牺牲材料的第一部分以形成第一水平开口，从而去除第一区域中从第一竖直开口向后第一水平距离的牺牲材料；以及在第一水平开口中沉积第一和第二源/漏材料和沟道材料，以在竖直堆叠式存储器单元的阵列之中形成用于存储器单元的三节点存取装置。
竖直三维存储器节点存取装置

[发明专利]竖直三维(3D)存储器的三节点存取装置形成后的存储节点-CN202110720082.7在审
发明人： A·赛伊迪·瓦赫达;J·A·斯迈思三世;李时雨;G·S·桑胡;S·E·西里斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：提供了用于在用于竖直三维(3D)存储器的三节点存取装置形成后的存储节点的系统、方法和设备。示例方法包含一种用于形成竖直堆叠的存储器胞元的阵列的方法，所述阵列具有水平定向的存取装置和竖直定向的存取线。所述方法包含沉积介电材料和牺牲材料的交替层以形成竖直堆叠。穿过所述竖直堆叠形成多个第一竖直开口以在所述竖直堆叠中形成具有侧壁的细长竖直柱列。在所述第一竖直开口中在栅极介电材料上保形地沉积第一导电材料。去除所述第一导电材料的各部分，以沿所述细长竖直柱列的所述侧壁形成多条单独的竖直存取线。穿过所述竖直堆叠形成第二竖直开口以暴露所述牺牲材料的第一区域。
竖直三维存储器节点存取装置形成存储

[发明专利]竖直三维(3D)存储器的三节点存取装置中的源极/漏极集成-CN202110724573.9在审
发明人： S·E·西里斯;J·A·斯迈思三世;李时雨;G·S·桑胡;A·赛伊迪·瓦赫达 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请涉及竖直三维3D存储器的三节点存取装置中的源极/漏极集成。实例方法包含用于形成竖直堆叠的存储器单元的阵列的方法，所述阵列具有水平定向的存取装置和竖直定向的存取线。所述方法包含以重复迭代沉积介电材料和牺牲材料的交替层以形成竖直堆叠。使用蚀刻过程来形成第一竖直开口，从而暴露所述竖直堆叠中邻近所述牺牲材料的第一区的竖直侧壁。所述第一区经选择性蚀刻以形成去除所述牺牲材料且与所述第一竖直开口相隔第一水平距离的第一水平开口。在所述第一水平开口中沉积多层第一源极/漏极材料、沟道材料和第二源极/漏极材料以形成所述竖直堆叠的存储器单元的阵列当中的存储器单元的三节点存取装置。
竖直三维存储器节点存取装置中的集成

[发明专利]竖直三维(3D)存储器的三节点存取装置中的沟道集成-CN202110778253.1在审
发明人： S·E·西里斯;J·A·斯迈思三世;李时雨;G·S·桑胡;A·赛伊迪·瓦赫达 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本申请涉及竖直三维3D存储器的三节点存取装置中的沟道集成。实例方法包含一种用于形成具有水平定向的存取装置和竖直定向的存取线的竖直堆叠存储器单元阵列的方法。所述方法包含在重复迭代中沉积电介质材料和牺牲材料的交替层以形成竖直堆叠。蚀刻过程用于形成暴露所述竖直堆叠中邻近于第一区的竖直侧壁的第一竖直开口。选择性地蚀刻所述第一区以形成从所述第一竖直开口向后第一水平距离的去除所述牺牲材料的第一水平开口。第一源极/漏极材料、具有背沟道钝化的替换沟道材料和第二源极/漏极材料沉积在所述第一水平开口中以形成所述竖直堆叠存储器单元阵列当中的存储器单元的所述三节点存取装置。
竖直三维存储器节点存取装置中的沟道集成

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