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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括存储器单元串的存储器电路系统-CN202310225793.6在审
发明人： D·D·维迪雅;韦磊;G·卢加尼;S·C·潘迪 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：包括存储器单元串的存储器电路系统包括横向间隔开的存储器块，存储器块个别地包括直接在导体层上方的竖直堆叠，竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。横向间隔开的存储器块的绝缘层和导电层从存储器阵列区延伸到阶梯区中。存储器单元串包括延伸穿过存储器阵列区中的横向间隔开的存储器块中的个别者中的绝缘层和导电层的可操作沟道材料串。可操作沟道材料串与导体层的导体材料直接电耦合。个别横向间隔开的存储器块包括位于可操作沟道材料串与阶梯区之间的中间区。虚设直通阵列通孔TAV延伸穿过个别横向间隔开的存储器块中的中间区中的绝缘层和导电层。虚设TAV与其存储器块中的可操作沟道材料串直接电耦合。公开了其它实施例。
包括存储器单元电路系统

[发明专利]氧化锑镓锌材料-CN202310227588.3在审
发明人： A·拉贾戈帕拉;S·E·西里斯;S·C·潘迪;D·M·古斯曼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供用于具有第一源极/漏极区、第二源极/漏极区和沟道区的晶体管的系统、方法及设备，其中所述沟道区包括氧化锑镓锌(SbGZO)材料。
氧化锑镓锌材料

[发明专利]包含具有重复图案的电介质结构的存储器装置-CN202211046083.9在审
发明人： D·库马尔;S·C·潘迪;S·C·耶路瓦鲁 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：一些实施例包含设备和形成所述设备的方法。所述设备中的一个包含：彼此上下地定位的多个第一层次，所述第一层次包含相应第一存储器单元和用于所述存储器单元的第一控制栅极，所述第一存储器单元沿着相应第一柱定位，所述第一柱延伸穿过所述第一层次；彼此上下地定位的多个第二层次，所述第二层次包含相应第二存储器单元和用于所述存储器单元的第二控制栅极，所述第二存储器单元沿着相应第二柱定位，所述第二柱延伸穿过所述第二层次；以及电介质结构，其形成于所述第一层次与所述第二层次之间的狭缝中，所述电介质结构包含沿着所述狭缝的长度且邻近于所述第一层次的边缘，其中所述边缘具有形状的重复图案。
包含具有重复图案电介质结构存储器装置

[发明专利]电介质材料、电容器和存储器阵列-CN202210104704.8在审
发明人： R·比勒;M·N·洛克莱;T·A·奎克;A-J·B·程;S·C·潘迪 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及电介质材料、电容器和存储器阵列。一些实施例包含电介质材料，其具有含有HfO的第一区域且具有含有ZrO的第二区域，其中化学式指示主要成分而非特定化学计量。所述第一区域大体上不含Zr，且所述第二区域大体上不含Hf。一些实施例包含电容器，其具有第一电极、第二电极和所述第一电极与所述第二电极之间的电介质材料。所述电介质材料包含一或多个第一区域和一或多个第二区域。所述第一区域含有Hf且大体上不含Zr。所述第二区域含有Zr且大体上不含Hf。一些实施例包含存储器阵列。
电介质材料电容器存储器阵列

[发明专利]材料沉积系统以及相关方法和微电子装置-CN202110608421.2在审
发明人： J·A·斯迈思;G·S·桑胡;S·C·潘迪;M·E·科乌通斯基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本专利申请涉及材料沉积系统，以及相关方法和微电子装置。一种材料沉积系统包括前体源以及与所述前体源选择性流体连通的化学气相沉积设备。所述前体源经配置以含有呈液态和固态中的一或多者的至少一种含金属前体材料。所述化学气相沉积设备包括壳体结构、分配歧管和衬底固持器。所述壳体结构经配置和定位以接收包括所述至少一种含金属前体材料的至少一个馈送流体流。所述分配歧管在所述壳体结构内，且与信号发生器电连通。所述衬底固持器在所述壳体结构内，与分配组件间隔开，且与额外信号发生器电连通。还描述了一种微电子装置和形成微电子装置的方法。
材料沉积系统以及相关方法微电子装置

[发明专利]包括包含电解质的晶体管的半导体装置、电子系统及相关方法-CN202080029776.X在审
发明人：高云飞;K·M·卡尔达;S·J·克拉梅尔;G·S·桑胡;S·C·潘迪;刘海涛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种晶体管包括源极区域与漏极区域之间的沟道区域、邻近于所述沟道区域的电介质材料、邻近于所述电介质材料的电极及所述电介质材料与所述电极之间的电解质。还公开包括至少一个晶体管的相关半导体装置、相关电子系统及相关方法。
包括包含电解质晶体管半导体装置电子系统相关方法

[发明专利]用于在导电材料沉积期间抑制线路弯曲的方法及有关设备-CN202110067202.8在审
发明人： G·S·桑胡;M·米洛耶维奇;J·A·斯迈思;T·A·奎克;S·C·潘迪 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本申请案涉及用于在导电材料沉积期间抑制线路弯曲的方法及有关设备。形成结构的方法包括形成从基础结构垂直地延伸的细长特征的图案。在所述细长特征上形成导电材料。在完成形成细长特征的所述图案之后，使所述细长特征、所述导电材料或两者暴露于至少一种表面处理气体。所述至少一种表面处理气体包括至少一个物种，所述至少一个物种经配制以减少所述导电材料的表面处的吸引或内聚力。还描述设备及额外方法。
用于导电材料沉积期间抑制线路弯曲方法有关设备

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