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[发明专利]垂直STT-MRAM的磁性屏蔽-CN201410500816.0有效
发明人： R.阿林格;K.霍夫曼;K.克诺布洛赫;R.施特伦茨 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及垂直STT‑MRAM的磁性屏蔽。一种存储器具有垂直自旋转移矩（STT）磁性随机访问存储器（MRAM）单元的阵列，其中每个单元具有磁性层堆叠。磁性屏蔽物设置在单元之间并且具有至少磁性层堆叠的高度的最小高度。
垂直 stt mram 磁性屏蔽

[发明专利]包含电荷存储结构的半导体开关器件-CN201510516306.7有效
发明人： M.戴内泽;F.希尔勒;C.耶格;J.G.拉文;A.毛德;M.勒施;W.勒斯纳;M.施蒂夫廷格;R.施特伦茨 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及包含电荷存储结构的半导体开关器件。一种半导体开关器件（500）包含第一负载端子（L1），第一负载端子（L1）被电气连接到晶体管单元（TC）的源极区段（110）。源极区段（110）与基体区段（115）形成第一pn结（pn1）。第二负载端子（L2）被电气连接到漏极构造（120），漏极构造（120）与基体区段（115）形成第二pn结（pn2）。控制结构（400）直接邻接基体区段（115），控制结构（400）包含控制电极（420）和电荷存储结构（410）。控制电极（420）控制经过基体区段（115）的负载电流。电荷存储结构（410）将所述控制电极（420）与基体区段（110）绝缘并且含有控制电荷（419），控制电荷（419）被适配成在控制电极（420）与第一负载电极（L1）之间缺少电势差时诱发基体区段（115）中的反型沟道。
包含电荷存储结构半导体开关器件

[发明专利]存储器-CN201510093717.X有效
发明人： K.克诺布洛赫;R.施特伦茨 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：存储器包括形成在第一层内的第一电极和第二电极以及包括形成在第二层内的第三电极和第四电极。该存储器包括电阻开关存储元件和反熔丝元件。电阻开关存储元件包括金属氧化物层并被布置在第一电极和第三电极之间。金属氧化物层具有第一厚度和对应于第一厚度的形成电压。反熔丝元件包括介电层并被布置在第二电极和第四电极之间。介电层具有小于第一厚度的第二厚度和小于形成电压的电介质击穿电压。
存储器

[发明专利]用于加工载体的方法和用于制作电荷储存存储基元的方法-CN201410041554.6有效
发明人： W.朗海因里希;J.鲍威尔;M.勒里希;岑栢湛;M.施蒂夫廷格;R.施特伦茨 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及用于加工载体的方法和用于制作电荷储存存储基元的方法。一种根据各种实施例的用于加工载体的方法可包括在载体上方形成结构，该结构包括至少两个相邻的结构元件，所述至少两个相邻的结构元件按照它们之间的第一距离布置；在该结构上方沉积分隔器层，其中分隔器层可被沉积为具有大于第一距离的一半的厚度，其中分隔器层可包括导电分隔器材料；去除分隔器层的一部分，其中分隔器层的分隔器材料可保留在所述至少两个相邻的结构元件之间的区域中；以及以电气方式接触剩余分隔器材料。
用于加工载体方法制作电荷储存存储

[发明专利]晶体管装置和集成电路-CN201110395091.X有效
发明人： K.克诺布洛克;R.施特伦茨 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本发明涉及晶体管装置和集成电路。一种晶体管装置包括开关晶体管和感测晶体管。所述开关晶体管包括电荷存储结构和控制结构。所述感测晶体管包括电荷存储结构、控制结构和选择结构。所述开关晶体管的电荷存储结构电气连接至所述感测晶体管的电荷存储结构。所述感测晶体管被配置为使得可以彼此独立地对所述感测晶体管的选择结构和控制结构进行电气控制。
晶体管装置集成电路