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[发明专利]用于流体控制阀的阀芯和流体控制阀-CN202010107730.7在审
发明人： R.魏斯;I.库默勒 -专利权人：优奥玛塑胶部件（昆山）有限公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： F16K31/70 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于流体控制阀的阀芯，带有：构造用于容纳在阀壳体内的保持架部分，所述保持架部分包括第一控制圆盘，所述第一控制圆盘被第一控制凹槽贯穿；以及能围绕中轴线转动运动地容纳在保持架部分中的阀件，所述阀件包括与第一控制圆盘邻接布置的、横向于中轴线延伸的第一控制区段，所述第一控制区段根据阀件的转动位置构造用于释放或闭塞第一控制凹槽；以及变形元件，所述变形元件用第一末端区域与保持架部分连接并且用第二末端区域与阀件连接，并且构造用于为了与温度相关的外形变化而将旋转运动导入到阀件上。
用于流体控制

[发明专利]用于生成频谱的方法和频谱仪单元-CN201911105933.6在审
发明人： C.胡贝尔;E.鲍姆加特;M.胡斯尼克;M.卡梅雷尔;R.魏斯;B.施泰因 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： G01J3/45 文献下载
摘要：本发明涉及一种在使用以干涉仪的方式进行频谱过滤的系统（102）和探测器（103）的情况下用于生成光（101）的频谱（S）的方法，其中借助所述系统（102）来以不同曝光时间记录多个干涉图像，其中由所述多个干涉图像来形成人工的干涉图像并且由此来确定频谱（S），本发明还涉及一种频谱仪单元（100）。
用于生成频谱方法频谱仪单元

[发明专利]傅立叶变换光谱仪、用于制造傅立叶变换光谱仪的方法以及用于显示电磁波谱的方法-CN201910189465.9在审
发明人： E.鲍姆加特;M.胡斯尼克;M.布施;R.诺尔特迈尔;R.魏斯;B.施泰因 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： G01J3/45 文献下载
摘要：本发明涉及一种傅立叶变换光谱仪（100），所述傅立叶变换光谱仪具有用于使光散射的扩散器元件（102）、用于光谱式过滤光的过滤元件（104）、偏转元件（106）和用于探测从所述过滤元件（104）出射的光的探测器元件（108），所述偏转元件用于将从所述扩散器元件（102）出射的光偏转到过滤元件（104）上。
傅立叶变换光谱仪过滤元件扩散器元件偏转元件出射探测器元件电磁波谱光偏转光散射光谱过滤探测制造

[发明专利]晶体管布置及其生产方法-CN201811569963.8在审
发明人： R.魏斯;H.法伊克;F.希尔勒;A.迈泽 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：公开晶体管布置及其生产方法。晶体管布置包括：层堆叠，具有第一掺杂类型的多个第一半导体层（110）和与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第二半导体层（120）；第一晶体管器件（M1）的第一源区（13），邻接多个第一半导体层（110）；第一晶体管器件（M1）的第一漏区（15），邻接多个第二半导体层（120）并在第一方向与第一源区（13）间隔开；第一晶体管器件（M1）的多个栅区（14），多个栅区（14）中每个邻接多个第二半导体层（120）中至少一个，布置在第一源区（13）和第一漏区（15）之间，并与第一源区（13）和第一漏区（15）间隔开；第三半导体层（130），邻接层堆叠（110，120）和第一源区（13）、第一漏区（15）及栅区（14）中每个；和第二晶体管器件（M2）的有源区，集成在第三半导体层（130）中。
半导体层源区晶体管器件漏区掺杂类型邻接晶体管栅区层堆叠邻接层堆叠生产

[发明专利]电池元件、电池和用于形成电池的方法-CN201510138688.4有效
发明人： M.伦克;R.魏斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01M10/04 文献下载
摘要：本发明涉及电池元件、电池和用于形成电池的方法。一种电池元件包括具有延伸到衬底内的多个沟槽的衬底。所述多个沟槽中的每个沟槽的至少一部分被填充有固态电池结构。此外，所述电池元件包括被布置在衬底的前侧处并且电连接到在多个沟槽内的固态电池结构的第一电极层的前侧电池元件电极。附加地，所述电池元件包括被布置在衬底的背侧处并且电连接到在多个沟槽内的固态电池结构的第二电极层的背侧电池元件电极。
电池元件用于形成方法

[发明专利]用于形成电池元件的方法、电池元件和电池-CN201510138577.3有效
发明人： M.伦克;R.魏斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01M10/04 文献下载
摘要：本发明涉及用于形成电池元件的方法、电池元件和电池。一种用于形成电池元件的方法包括蚀刻沟槽到衬底内以及所述沟槽的取决于晶体取向的蚀刻。此外该方法包括在所述沟槽内形成固态电池结构。
用于形成电池元件方法

[发明专利]混合动力装置的内燃机启动方法和启动内燃机的控制单元-CN201210133807.3有效
发明人： E.卡尔瓦;K.赖;R.魏斯;A.施密特;C.格斯特劳尔;B.希勒;U.西贝尔;M.迪特里希 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2012-05-03 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： B60W20/40 文献下载
摘要：本发明涉及混合动力装置的内燃机启动方法和启动内燃机的控制单元。在用于启动混合动力装置的内燃机（16）尤其带有直喷装置的内燃机（16）的方法中，混合动力装置具有内燃机（16）和电机（14）以用于提供驱动功率，其中内燃机（16）借助直接启动通过燃料到内燃机（16）的活塞气缸机构的至少一个气缸（40、42）内的喷射以及由此在气缸（40、42）内产生的燃料‑氧气混合物的点火而启动，其中内燃机（16）的曲轴（20）能借助离合器（26）与电机（14）连接，以及其中直接启动通过离合器（26）的闭合得到电机（14）的支持。
混合动力装置内燃机启动方法控制单元

[发明专利]用于尤其在混合动力车中无起动器地起动内燃发动机的方法和装置-CN201210085674.7有效
发明人： M.博伊尔勒;T.胡贝尔;M.克伦克;A.S.Z.施魏因斯贝格;R.魏斯;S.乌尔;V.里肯;F.沃罗;U.西贝尔;M.迪特里希;O.克费尔 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2012-03-28 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： F02N19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于尤其在混合驱动系统（1）中无起动器地起动内燃发动机（2）的方法，其中该内燃发动机（2）的部分气缸（21）由可减压的气缸构成，它们在压缩冲程期间可以减压，具有下面的步骤‑在内燃发动机（2）惯性运行时，调整曲轴（25）的最终位置，其中在惯性运行的最终位置可减压的气缸位于压缩冲程里面，‑在要求衔接惯性运行的内燃发动机（2）起动过程时，点燃内燃发动机（2）的一个气缸（21）里面的空气/燃料混合物，它在停机期间位于燃烧冲程里面，用于产生起动内燃发动机（2）的转矩，其中位于压缩冲程的可减压的气缸减压。
用于尤其混合动力车中无起动器起动内燃发动机方法装置

[发明专利]用于运行内燃机的方法-CN201210149394.8有效
发明人： L.纳克;R.魏斯;H.哈梅多维克;W.菲舍尔;S.佐伊林;D.根茨勒 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2012-05-15 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： F02D41/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于运行内燃机的方法，其中在内燃机热机运转时确定所述内燃机的与燃料的平均指示压力相关联的基于转速的特征并且从中求得在所述内燃机热机运转时应该喷射到该内燃机的至少一个燃烧室中的燃料的最佳的量。
用于运行内燃机方法

[发明专利]用于填充沟槽的方法和半导体器件-CN201610534209.5在审
发明人： M.巴特尔斯;M.莱姆克;S.特根;R.魏斯 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及用于填充沟槽的方法和半导体器件。公开了一种方法，包括在两个半导体鳍之间的半导体主体中形成第一沟槽；用第一填充材料填充第一沟槽；通过形成第二沟槽部分地去除第一填充材料，使得第二沟槽具有比第一沟槽低的深宽比；以及用第二填充材料填充第二沟槽，从而形成第一填充材料上的连续材料层。
用于填充沟槽方法半导体器件

[发明专利]包括功率晶体管和电压限制装置的晶体管布置-CN201610336434.8在审
发明人： M.巴特尔斯;M.莱姆克;R.鲁道夫;S.特根;R.魏斯 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：本发明涉及包括功率晶体管和电压限制装置的晶体管布置。一种在半导体本体中的晶体管布置包括具有至少两个晶体管单元的功率晶体管，每个晶体管单元布置在半导体本体的半导体鳍中，以及具有带有至少两个器件单元的电压限制器件。每个器件单元布置成与相应晶体管单元的半导体鳍中的晶体管单元相邻，并且电压限制器件通过介电层与功率晶体管分开。
包括功率晶体管电压限制装置布置

[发明专利]双向阻断电子开关布置-CN201511013948.1在审
发明人： F.希尔勒;A.毛德;R.魏斯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H03K17/96 文献下载
摘要：本发明涉及双向阻断电子开关布置。电子电路包括各自具有负载路径和控制节点的第一和第二电子开关、各自具有在第一负载节点和第二负载节点之间的负载路径的多个开关单元和多个驱动单元。电子开关和开关单元的负载路径串联连接，以形成电子电路的负载路径。具有开关单元的负载路径的串联电路连接在电子开关的负载路径之间。电子电路的负载路径包括多个抽头。每个驱动单元与开关单元中的一个关联，耦合到多个抽头中的至少两个不同抽头，并且配置成基于至少两个不同抽头中的一个抽头处的电势驱动关联的开关单元。
双向阻断电子开关布置

[发明专利]具有掩埋掺杂区域和接触结构的半导体器件-CN201510840013.4在审
发明人： M.莱姆克;S.特根;R.魏斯 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及具有掩埋掺杂区域和接触结构的半导体器件。一种半导体器件包括在距半导体本体（100）的主表面（101z）第一距离（d1）中的掩埋掺杂区域（430, 129a, 110）。接触结构（410）从所述主表面（101z）延伸到所述掺杂区域（430, 129a, 110）。接触结构（410）包括由金属-半导体合金制成的直接邻接所述掺杂区域（430, 129a, 110）的接触层（411）。所述接触结构（410）还包括由金属或导电金属化合物制成的填充结构（412）。绝缘体结构（420）在平行于所述主表面（101z）的截面中包围所述接触结构（410）。
具有掩埋掺杂区域接触结构半导体器件

[发明专利]相邻半导体鳍形部间有场电极的半导体器件及其制造方法-CN201510839929.8在审
发明人： M.莱姆克;S.特根;R.魏斯 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及相邻半导体鳍形部间有场电极的半导体器件及其制造方法。半导体器件具有半导体鳍形部，所述半导体鳍形部被构造在半导体本体的基平面与主表面之间，并且在其中分别在主表面和沟道/本体区域之间构造源极区域，以及在沟道/本体区域和基平面之间构造漂移区。此外，半导体器件还包括分别在相应的沟道/本体区域的两个彼此对置的侧上的栅极电极结构以及在彼此相邻的半导体鳍形部之间的经过场电介质与漂移区分开的并且从主表面延伸直至基平面的场电极结构。被分配给彼此相邻的半导体鳍形部的栅极电极结构将场电极结构的上部分从至少两侧围住。
相邻半导体鳍形部间有场电极半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有场电极的功率晶体管-CN201510830240.9在审
发明人： M.巴特尔斯;R.魏斯 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及具有场电极的功率晶体管。公开的是半导体器件和用于产生半导体器件的方法。半导体器件包含至少两个晶体管单元。这些至少两个晶体管单元中的每个包含：半导体本体的半导体鳍中的漏极区、漂移区以及本体区；邻接本体区的源极区；邻近本体区并且通过栅极电介质与本体区电介质绝缘的栅极电极；以及通过场电极电介质与漂移区电介质绝缘并且被连接到源极区的场电极。场电极电介质被布置在半导体鳍与场电极之间的第一沟槽中。所述至少两个晶体管单元包含第一晶体管单元以及第二晶体管单元。第一晶体管单元的半导体鳍通过不同于第一沟槽的第二沟槽与第二晶体管单元的半导体鳍分离。
具有电极功率晶体管

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