“R·W·布莱克”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果16个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于在光伏模块衬底上薄膜层的高速沉积的系统和方法-CN201210081556.9无效
发明人： R·W·布莱克 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2012-03-14 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及用于在光伏模块衬底上薄膜层的高速沉积的系统和方法，具体而言，提供了用于将靶标源材料作为薄膜顺序溅射沉积在光伏模块衬底上的装置和方法。该装置包括第一溅射沉积室和第二溅射沉积室，它们一体地连接，使得被运送通过该装置的衬底被保持在小于大约760Torr的系统压力下。加载真空室连接到配置成将加载真空室内的压力降低到初始加载压力的加载真空泵上。第一溅射沉积室包括第一靶标，而第二溅射沉积室包括第二靶标。输送机系统可操作地设置在该装置内，并配置成以连续布置在受控的速度下将衬底运送进入并通过加载真空室，进入并通过第一溅射沉积室，且进入并通过第二溅射沉积室。
用于模块衬底薄膜高速沉积系统方法

[发明专利]基于碲化镉的光伏模块的制造中的薄膜层的一体化淀积-CN201110460421.9无效
发明人： S·D·费尔德曼-皮博迪;R·W·布莱克;R·D·戈斯曼;B·R·墨菲;M·J·帕沃尔 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及基于碲化镉的光伏模块的制造中的薄膜层的一体化淀积。提供了用于碲化镉薄膜光伏装置10的形成中的半导体层的薄膜淀积的设备和过程。该设备100包括一系列一体地连接的室，例如连接到装载真空泵108上的装载真空室106、溅射淀积室112、真空缓冲室120和气相淀积室128。传送器系统104可操作地设置在设备100内，并且构造成按串行布置以受控的速度将衬底10输送进入且输送通过装载真空室106、溅射淀积室112、真空缓冲室120和气相淀积室128。溅射淀积室112、真空缓冲室120和气相淀积室128一体地连接，使得输送通过设备100的衬底10保持在小于大约760托的系统压力处。
基于碲化镉模块制造中的薄膜一体化

[发明专利]用于持续地将薄膜层淀积在衬底上的气相淀积设备和过程-CN201110461636.2无效
发明人： S·D·费尔德曼-皮博迪;R·W·布莱克;E·J·利特尔;M·J·帕沃尔;C·拉思维格;M·W·里德 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明涉及用于持续地将薄膜层淀积在衬底上的气相淀积设备和过程。提供了一种用于使升华的源材料作为薄膜而气相淀积在光生伏打模块衬底14上的设备100和过程。设备100包括设置在淀积头110中的至少一个容器116。各个容器116构造成接收粒状源材料117。加热系统构造成加热容器(一个或多个)116，以使源材料117升华。基本竖向的分配板152设置在容器(一个或多个)116和被传送通过设备100的衬底14之间。分配板152定位在距衬底14的淀积表面的竖向传送平面规定距离处。分配板152包括通过其中的一定型式的通道，通道分配升华的源材料，以使其淀积到衬底14的淀积表面上。
用于持续薄膜层淀积衬底气相淀积设备过程

[发明专利]使用非结合式半导体靶来溅射的方法-CN201110309742.9有效
发明人： R·W·布莱克;R·D·戈斯曼;P·L·奥基夫;S·D·费尔德曼-皮博迪 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及使用非结合式半导体靶来溅射的方法。大体提供了一种溅射阴极(10)。溅射阴极(10)可包括半导体靶(12)(例如硫化镉靶、镉锡氧化物靶等)，半导体靶(12)限定了溅射表面(14)和与溅射表面(14)相反的背表面(16)。背板(18)可定位成面向靶(12)的背表面(16)而不结合到靶(12)的背表面(16)上。非结合式附连机构能够可拆装地将靶(12)保持在溅射阴极(10)内，使得背表面(16)在溅射期间面向背板(18)。
使用结合半导体溅射方法

[发明专利]具有非接合半导体特性靶的溅射阴极-CN201110306609.8有效
发明人： S·D·费尔德曼-皮博迪;R·D·戈斯曼;R·W·布莱克;P·L·奥基夫 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本发明名称为“具有非接合半导体特性靶的溅射阴极”。一般地提供了溅射阴极(10)。溅射阴极(10)可包括定义溅射表面(14)和对着溅射表面(14)的背表面(16)的半导体特性靶(12)(例如，硫化镉靶、氧化镉锡靶等)。背板(18)可放置成面向靶(12)的背表面(16)并且不接合到靶(12)的背表面(16)。非接合附连机制可将靶(12)可拆卸地保持在溅射阴极(10)之内，以使得背表面(16)在溅射期间面向背板(18)。
具有接合半导体特性溅射阴极

[发明专利]用于真空室模块的狭缝阀-CN201110245357.2无效
发明人： R·W·布莱克 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： F16K1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于真空室模块的狭缝阀。具体而言，一种狭缝阀组件(100)设置为用于附连至真空室模块(65)以在闭合位置密封模块的壁部(104)中的槽开口(106)，以及在打开位置提供通过槽开口的通路。该阀组件包括可旋转的轴(108)，其在打开旋转位置与闭合旋转位置之间被旋转促动器(110)驱动。伸长的密封板(112)在轴的闭合旋转位置中在槽开口上抵靠模块壁部密封。至少一个臂部部件(118)使密封板与轴连接。臂部部件与轴一起旋转并且可枢转地附连到密封板上。密封板相对于臂部部件被偏置至铰接位置。
用于真空模块狭缝

[发明专利]用于形成导电透明氧化物膜层的设备和方法-CN201110189804.7有效
发明人： S·D·费尔德曼-皮博迪;R·W·布莱克 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明名称为用于形成导电透明氧化物膜层的设备和方法。大体上提供用于在衬底(12)上形成TCO层(14)的方法并且包括从包括锡酸镉的靶(64)在衬底(12)上溅射TCO层(14)。盖罩材料(例如，包括镉)沉积到间接退火系统的外表面上，并且该TCO层(14)可以在退火温度同时与该盖罩材料接触地或在该盖罩材料的大约10cm内退火。还大体上提供退火炉(100)并且包括限定沉积表面和退火表面的间接退火系统(124)使得沉积在该间接退火系统(124)的退火表面上的盖罩材料安置成与衬底(12)上的薄膜接触或在该薄膜的大约10cm内。盖罩材料源可以安置成将盖罩材料沉积到沉积表面上使得退火表面包括盖罩材料。
用于形成导电透明氧化物设备方法

[发明专利]用于真空室结构的集成齿轮箱和旋转馈入系统-CN201110190351.X无效
发明人： R·W·布莱克 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及用于真空室结构的集成齿轮箱和旋转馈入系统。真空室结构(102)包括构造在室壁(104)上以对结构的内部提供旋转驱动的旋转馈入(100)。旋转馈入包括具有外壳(110)和轴(123)的齿轮箱(108)，轴(123)由包含在外壳内的轴承(112)可旋转地支承。马达(116)可操作地联接至齿轮箱外壳以驱动轴，且轴从齿轮箱延伸。密封组件(126)可操作地设置在齿轮箱外壳和室壁之间，且轴设置成穿过密封组件并且延伸穿过在室壁中的孔(106)并进入结构的内部。仅经由齿轮箱外壳中的轴承，轴由轴承可旋转地支承。
用于真空结构集成齿轮箱旋转系统

[发明专利]用于将复合半导体高速溅射到大面积基底上的方法-CN201110112917.7有效
发明人： S·T·哈罗兰;R·D·戈斯曼;R·W·布莱克 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及用于将复合半导体高速溅射到大面积基底上的方法。具体而言，该方法主要提供成用于将薄膜溅射到单独基底(12)上。单独基底(12)可传送到真空室中以抽取小于大约50mTorr的溅射压力。然后，单独基底(12)可传送到溅射室(166)中，且穿过平面磁控管由电离气体以溅射压力连续地溅射靶材(170)，使得薄膜形成在单独基底的表面上。该靶材(170)经受高频功率，该高频功率在大于大约1kW的功率水平下具有从大约400kHz至大约4MHz的频率。在一个特定实施例中，该方法可主要针对将薄膜溅射到单独基底(12)上，该单独基底限定具有大约1000cm2至大约2500cm2的表面面积的表面。
用于复合半导体高速溅射大面积基底方法

[发明专利]用于在基板上连续沉积薄膜层的系统的密封配置-CN201110112892.0有效
发明人： R·W·布莱克;S·D·费尔德曼-皮博迪;M·J·帕沃尔;M·W·里德 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本申请涉及用于在基板上连续沉积薄膜层的系统的密封配置。提供用于将升华源材料气相沉积为离散光伏模块基板上的薄膜的设备(60)和相关操作方法，基板以连续不停方式输送经过设备。该设备包括配置成接纳源材料且使之升华的沉积头(62)。沉积头具有分配板(88)，其处于经过该设备内的沉积区(112)输送的基板的上表面的水平输送平面(117)上方限定距离处。升华源材料移动经过分配板且在基板输送经过沉积区时沉积到基板上表面上。基板通过由横向延伸的入口和出口密封(96)限定的入口槽(120)和出口槽(122)移动进出沉积区。该密封安置于基板上表面上方的间隙距离(113)处，该距离小于在基板的上表面与分配板之间的距离或间距。该密封具有约10∶1至约100∶1的纵向长度与间隙距离之间的比例。
用于基板上连续沉积薄膜系统密封配置

[发明专利]用于在光伏模块基板上高速率沉积薄膜层的模块化系统-CN201110112895.4无效
发明人： R·W·布莱克;B·R·墨菲 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本申请涉及用于在光伏模块基板上高速率沉积薄膜层的模块化系统。其中，一种用于在光伏(PV)模块基板(12)上沉积多个薄膜层的系统(100)和相关方法包括第一加工侧(102)，其中基板在第一方向(103)上被输送以在基板上沉积第一薄膜层。第二加工侧(110)相对于该第一加工侧可操作地安置，使得离开第一加工侧的基板随后在第二方向(111)上被输送穿过第二加工侧，以在该第一薄膜层上沉积第二薄膜层。第一转移站(118)可操作地安置在第一加工侧与第二加工侧之间，以从第一加工侧的出口(108)接收基板且将基板引入到第二加工侧的入口(114)内，使得基板连续移动穿过第一加工侧和第二加工侧以在其上沉积多个薄膜。
用于模块基板上高速率沉积薄膜模块化系统

[发明专利]用于气相沉积系统中基板检测的主动观察端口检测组件-CN201010604157.7有效
发明人： R·W·布莱克;M·J·帕沃尔 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： C23C14/52 文献下载
摘要：本发明涉及用于气相沉积系统中基板检测的主动观察端口检测组件，这种用于检测经过真空沉积系统(10)输送的基板(14)的主动观察端口组件(100)包括壳体(102)，壳体(102)被配置成安装到气相沉积模块(16，20，22，28，30)的壁(104，106)上。该壳体还包括封闭腔室(108)、外侧端口(110)和内侧端口(112)。透镜组件(114)安置于所述腔室内且延伸穿过所述内侧端口。加热器元件(116)配置于腔室内的透镜组件上。主动发送器(118)或主动信号接收器(118)之一被配置于所述腔室外部的所述外侧端口，且与所述透镜组件在轴向对准并间隔开。
用于沉积系统中基板检测主动观察端口组件

[发明专利]用于连续沉积薄膜层到基底上的模块系统和方法-CN201010604198.6有效
发明人： M·J·帕沃尔;R·W·布莱克;B·R·墨菲;C·拉思维格;E·J·利特尔;M·W·里德 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明涉及用于连续沉积薄膜层到基底上的模块系统和方法。具体而言，用于将薄膜层汽相沉积到光伏(PV)模块基底(14)上的方法和相关系统(10)包括构建真空腔室(16)和将基底单独引入真空腔室中。基底在它们传送穿过真空腔室时预热，且然后以串接布置传送穿过真空腔室中的汽相沉积设备(22)，在其中将升华的源材料的薄膜沉积到基底的上表面上。基底以受控的恒定线速度传送穿过汽相沉积设备，以便基底在传送方向上的前部区段和后部区段在汽相沉积设备内经受相同的汽相沉积条件。汽相沉积设备可按一定方式供送有源材料，以便不中断汽相沉积过程或基底穿过汽相沉积设备的不间断传送。
用于连续沉积薄膜基底模块系统方法

[发明专利]用于连续沉积薄膜层到基底上的模块系统和方法-CN201010625160.7无效
发明人： M·J·帕沃尔;R·W·布莱克;B·R·墨菲;C·拉思维格;E·J·利特尔;M·W·里德 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明涉及用于连续沉积薄膜层到基底上的模块系统和方法。具体而言，一种用于在光电(PV)模块基底(14)上汽相沉积薄膜层的系统(10)及相关方法，包括建立真空腔室(16)以及将基底单独地引入真空腔室中。传送器系统可操作地布置在真空腔室中并且构造成用于以串接布置在受控的恒定线速度下将基底传送经过汽相沉积设备。后加热区段布置在所述真空腔室中，在基底传送方向上直接位于汽相沉积设备的下游。后加热区段构造成用以将传送自汽相沉积设备的基底维持在期望的加热温度轮廓，直到整个基底引出汽相沉积设备。
用于连续沉积薄膜基底模块系统方法

[发明专利]用于气相淀积系统的冷却系统和方法-CN201110008156.0有效
发明人： J·S·保罗曼;R·W·布莱克;M·J·帕沃尔 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-01-07 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于气相淀积系统的冷却系统和方法。一种用于将薄膜层气相淀积到光电(PV)模块衬底(14)上的系统(10)包括用于冷却真空室(12)的系统(100)，在气相淀积过程中，衬底被传送通过真空室(12)。该冷却系统关于真空室而构造，以便使冷却气体在闭合冷却回路中再循环通过真空室且通过外部热交换器(108)。还提供了一种用于强制冷却真空室的相关联的方法。
用于气相淀积系统冷却系统方法

1
2
下一页»
尾页
共 16 条