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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有嵌入式电感器的无芯电子衬底-CN202280020471.1在审
发明人： S·加内桑;S·C·J·查瓦利;R·L·赞克曼;A·奥古斯丁;K·拉达克里希南 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：电感器可以形成在无芯电子衬底中，使得制造工艺不会导致电感器中使用的磁性材料浸出到镀覆和/或蚀刻溶液/化学物质中，并且导致独特的电感器结构。这可以通过用光刻工艺而不是标准激光工艺形成导电过孔，结合面板平坦化以防止磁性材料暴露于镀覆和/或蚀刻溶液/化学物质来实现。
具有嵌入式电感器电子衬底

[发明专利]堆叠式磁性电感器和方法-CN202211273061.6在审
发明人： N·艾哈迈德;K·O·李;S·C·J·查瓦利;V·波杜;K·巴拉斯;R·L·赞克曼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：公开了一种电子设备和相关联的方法。在一个示例中，电子设备包括具有集成电感器的封装。在选定的示例中，封装包括芯层，所述芯层具有芯厚度和通孔。封装还包括在通孔内的电感器结构，使得电感器结构具有超过所述芯厚度的长度。
堆叠磁性电感器方法

[发明专利]多管芯封装-CN201580081963.1有效
发明人： R·L·赞克曼;A·A·奥夫罗姆三世;R·斯塔克斯托恩;O·阿拉德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本文的实施例可涉及包括封装衬底的封装，所述封装衬底具有在封装衬底的第一侧面上的第一管芯和在封装衬底的第二侧面上的第二管芯。焊球可与封装衬底的第二侧面和第二管芯耦合，使得焊球是近似共面的。可描述和/或主张其它实施例。
管芯封装

[发明专利]具有密封互连的半导体封装内插件-CN201680067788.5有效
发明人： A·马特考尔;N·R·拉拉维卡;D·T·德兰;J·L·詹森;J·A·法尔孔;W·N·拉巴诺克;R·L·赞克曼;R·A·斯廷格尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：描述了具有高密度和大高宽比密封互连的半导体封装内插件和并入这样的内插件的半导体封装组件。在示例中，半导体封装内插件包括被密封在聚合物衬底中并具有大于截面尺寸的高度尺寸的几个导电互连。半导体封装内插件可以支撑第二半导体封装上方的第一半导体封装，并可以将第一半导体封装的管芯引脚电气地连接到第二半导体封装的管芯引脚。
具有密封互连半导体封装插件

[发明专利]用于热管理的能量储存材料以及相关联的技术和配置-CN201580077028.8有效
发明人： J·克拉尼亚克;T·哈里基安;K·P·洛夫格林;J·C·小马塔亚巴斯;N·R·拉拉维卡;R·L·赞克曼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本公开内容的实施例描述了用于热管理的能量储存材料以及相关联的技术和配置。在一个实施例中，一种能量储存材料可以包括有机基质以及分散在有机基质中的固‑固相变材料，该固‑固相变材料在与集成电路(IC)管芯的运行相关联的阈值温度下改变晶体结构并且吸收热量同时保持为固体。可以描述和/或要求保护其它实施例。
用于管理能量储存材料以及相关技术配置

[发明专利]超薄桥和多管芯超细间距贴片架构及其制造方法-CN202010568920.9在审
发明人： S·加内桑;K·麦卡锡;L·M·特里博莱;D·马利克;R·V·马哈詹;R·L·赞克曼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：实施例包括半导体封装和形成该半导体封装的方法。一种半导体封装包括：高密度封装(HDP)衬底上的具有混合层的桥、桥和HDP衬底上方的多个管芯、以及HDP衬底上的多个穿模过孔(TMV)。桥耦合在管芯和HDP衬底之间。桥用混合层直接耦合到管芯中的两个管芯，其中桥的混合层的顶表面直接在管芯的底表面上，并且其中桥的底表面直接在HDP衬底的顶表面上。TMV将HDP衬底耦合到管芯，并且TMV的厚度基本等于桥的厚度。混合层包括导电焊盘、表面抛光和/或电介质。
超薄管芯间距架构及其制造方法

[发明专利]无衬底双面嵌入式多管芯互连桥-CN202010230745.2在审
发明人：谢边村;J·谢;S·沙兰;D·马利克;R·L·赞克曼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本文公开了微电子组件、相关设备和方法。在一些实施例中，一种微电子组件，包括：衬底，其具有导电平面；以及桥接件，其具有在第一表面处的第一触点和在相对的第二表面处的第二触点，其中，桥接件嵌入衬底中并经由第一触点耦合到衬底中的导电平面；其中，桥接件经由第二触点耦合到第一管芯和第二管芯，并且其中，桥接件不包括硅衬底。
衬底双面嵌入式管芯互连

[发明专利]使用球附接阵列连接天线和基座基板的天线封装-CN201780095384.1在审
发明人：姚计敏;S·M·利夫;W·J·兰贝特;张志超;R·L·赞克曼;S·C·J·查瓦利 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01Q9/04 文献下载
摘要：根据所公开的实施例，存在使用球附接阵列来连接封装的天线和基座基板的天线封装。一个示例是RF模块封装，所述RF模块封装包括：RF天线封装，所述RF天线封装具有在顶部和底部天线层之间的堆叠材料，以形成多个天线平面表面；基座封装，所述基座封装具有交替的图案化的导电层和电介质层，以通过基座封装形成布线；以及接合部，所述接合部在天线封装的底表面和基座封装的顶表面之间。
使用球附接阵列连接天线基座封装

[发明专利]具有光刻形成的凸块间距的嵌入式多管芯互连桥封装及其组装方法-CN201811397052.1在审
发明人： A·P·阿卢尔;S·R·S·博雅帕提;R·A·梅;I·A·萨拉马;R·L·赞克曼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：公开了一种嵌入式多管芯互连桥设备和方法，其包括耦合到激光钻孔的互连的光刻形成的互连。嵌入式多管芯互连桥设备中的若干结构在制造和组装期间呈现出特征平面化。
多管芯嵌入式互连桥设备互连光刻组装激光钻孔特征平面互连桥耦合到凸块封装制造

[发明专利]用于IC封装的硅空间转变器-CN201410293670.7有效
发明人： D·马利克;R·L·赞克曼;S·沙兰 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于IC封装的硅空间转变器。描述了一种包括至少第一集成电路(IC)和晶片制造的空间转变器(ST)的装置。所述IC包括底表面上的具有第一焊盘间距的接合焊盘。所述ST包括具有所述第一焊盘间距的接合焊盘的顶表面，并且所述第一IC的接合焊盘中的至少一部分与所述顶表面的接合焊盘接合。所述ST包括具有第二焊盘间距的接合焊盘的底表面、所述顶表面与所述底表面之间的至少一个电介质绝缘层、以及所述电介质层中的导电性互连，其被配置为提供所述顶表面的接合焊盘与所述底表面的接合焊盘之间的电连续性。
用于 ic 封装空间转变

[发明专利]用于堆叠封装的具有凹陷导电接触部的集成电路结构-CN201580080299.9在审
发明人： K-O·李;I·A·萨拉马;R·S·维斯瓦纳特;R·L·赞克曼;B·萨比;S·C·J·查瓦利 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本文所公开的是用于堆叠封装(PoP)的具有凹陷的导电接触部的集成电路(IC)结构。例如，一种IC结构可以包括具有第一阻挡表面的IC封装；设置于第一阻挡表面中的凹陷，其中凹陷的底部包括第二阻挡表面；位于第一阻挡表面处的第一多个导电接触部；以及位于第二阻挡表面处的第二多个导电接触部。可以公开和/或主张其它实施例。
用于堆叠封装具有凹陷导电接触集成电路结构

[发明专利]TSV连接的背侧去耦-CN201480076464.9在审
发明人： W·J·兰贝特;R·L·赞克曼;T·N·奥斯本;C·A·加勒尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种装置，包括：管芯，管芯包括从管芯的器件侧延伸至管芯的背侧的多个穿硅过孔(TSV)；以及去耦电容器，去耦电容器耦合到TSV。一种方法，包括：提供管芯，管芯包括从管芯的器件侧延伸至管芯的背侧的多个穿硅过孔(TSV)；将去耦电容器耦合到管芯的背侧。一种装置，包括：计算设备，计算设备包括封装体，封装体包括包含有器件侧和背侧的微处理器，其中穿硅过孔(TSV)从器件侧延伸至背侧，以及去耦电容器，去耦电容器耦合到管芯的背侧；以及印刷电路板，其中，封装体耦合到印刷电路板。
tsv 连接背侧去耦

[发明专利]集成电路以及用于生产集成电路的系统和方法-CN201380057171.1在审
发明人： D·E·尼科诺夫;R·L·赞克曼;R·金;J·潘 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：本发明描述了包括半导体有机材料的三维集成电路。在一些实施例中，三维集成电路包括一个或多个电子部件，一个或多个电子部件包括由一种或多种半导体有机材料形成的半导体区。三维集成电路的电子部件还可以包括由有机绝缘材料形成的绝缘区和由导电材料形成的导电区。三维集成电路可以由诸如三维印刷的加法制造工艺形成。本发明还描述了用于生产和测试三维集成电路的装置和方法。
集成电路以及用于生产系统方法

[发明专利]一种使用波导的隐身系统-CN201380004614.0有效
发明人： I·A·扬;J·M·斯旺;R·L·赞克曼;M·拉多萨夫列维奇 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： F41H3/00 文献下载
摘要：本文描述的是一种关于被动或主动隐身设备的技术。特别的，被动或主动隐身设备利用输入/输出光栅耦合器和波导，以在被动或主动隐身设备覆盖的物体上创建隐形的印象。
一种使用波导隐身系统

[发明专利]模穿孔聚合物块封装-CN201080064633.9有效
发明人： M·K·罗伊;I·A·萨拉马;C·K·古鲁默西;R·L·赞克曼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：描述了形成具有在聚合物块中的模穿孔的集成电路芯片封装的方法以及这种封装。例如，第一互连层可以形成在模制聚合物块上，其中所述第一互连层包括穿过第一聚合物层且到达所述块的第一互连。随后，至少一个第二互连层可以形成在所述第一互连层上，其中所述第二互连层包括穿过第二聚合物层且到达所述第一互连层的所述第一互连的第二互连。随后，可以形成穿过所述块、进入所述第一互连层中且到达所述第一互连的模穿孔。所述模穿孔可以填充有焊料以形成接触所述第一互连并在所述块上延伸的凸块。还描述并要求了其它实施例。
穿孔聚合物封装

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