“R·维尼加拉”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202310277418.6在审
发明人： J·D·格林利;R·维尼加拉;T·乔治 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B43/10 文献下载
摘要：本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括直接在包括含硅材料的导体层上方形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区和阵列穿孔TAV区。所述堆叠在所述存储器块区中包括延伸穿过所述第一层和所述第二层的沟道材料串。所述堆叠在所述TAV区中包括延伸到所述导体层的所述含硅材料的TAV开口。使金属卤化物与所述含硅材料的所述硅反应以将所述金属卤化物的所述金属沉积在所述导体层中。在沉积所述金属之后，在所述TAV开口中直接抵靠所述所沉积金属形成导电材料，且由此在所述TAV开口中的个别者中形成包括所述导电材料和所述所沉积金属的TAV。公开了结构实施例。
包括存储器单元阵列用于形成方法

[发明专利]低阻抗交叉点架构-CN202080078630.4有效
发明人： R·维尼加拉;P·M·弗兰;J·贾巴拉杰·约翰利·穆图拉伊;E·S·埃格;K·L·拜克;T·阮;D·魏曼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本申请案涉及低阻抗交叉点架构。制造系统可在包含电极材料的图案化层及存储器材料的图案化层的分层组合件上沉积热阻障材料，之后沉积第一导电材料的第一层。所述制造系统可蚀刻所述分层组合件的第一区域以在所述第一导电材料的所述第一层、所述热阻障材料、所述存储器材料的所述图案化层及电极材料的所述图案化层中形成间隙。所述制造系统可在所述间隙中沉积第二导电材料以形成导电通路，其中所述导电通路延伸到所述热阻障材料上方的所述分层组合件内的高度。
阻抗交叉点架构

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202211606353.7在审
发明人： D·法兹尔;I·V·恰雷;N·M·洛梅利;R·维尼加拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10B41/41 文献下载
摘要：本公开涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，所述存储器块个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括导体层正上方交替的绝缘层和导电层。存储器单元串包括延伸穿过所述绝缘层和所述导电层的沟道材料串。所述沟道材料串与所述导体层的导体材料直接电耦合。穿阵列通孔TAV区包括个别地延伸穿过所述绝缘层和所述导电层到所述导体层中的TAV构造。所述TAV构造中的个别TAV构造包括在下部部分正上方且与所述下部部分接合的上部部分。所述个别TAV构造在竖直横截面中包括所述上部部分与所述下部部分接合的至少一个外部折弯表面。公开了其它实施例，包含方法。
包括存储器单元阵列用于形成方法

[发明专利]用于存储器装置的插座设计-CN202080079149.7在审
发明人： A·马宗达;R·科蒂;R·维尼加拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G11C5/04 文献下载
摘要：描述支持用于存储器装置的插座设计的方法、系统及装置。裸片可包含一或多个存储器阵列，其各自可包含任何数目个字线及任何数目个位线。所述字线及所述位线可定向于不同方向上，且存储器单元可定位于字线与位线的相交点处。插座可将所述字线及位线耦合到相关联驱动器，且所述插座可经定位使得较远离对应字线插座的存储器单元较接近对应位线插座，且反之亦然。举例来说，插座可经安置成彼此平行的行或区，且其可不正交于所述对应字线及位线。
用于存储器装置插座设计

[发明专利]具有多沟道长度的垂直场效应晶体管器件-CN201780034256.6有效
发明人： R·维尼加拉;R·A·维加;H·马莱拉 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：布置在半导体衬底(102)上的第一源/漏区(802)，布置在半导体衬底(102)上的第二源/漏区(1002)，布置在所述第一源/漏区(802)上的底部间隔物(1602)，布置在所述第二源/漏区(1002)上的底部间隔物(1602)。具有第一长度(L1)的第一栅极堆叠(2602a)布置在所述第一源/漏区(802)上，具有第二长度(L2)的第二栅极堆叠(2602b)布置在所述第二源/漏区(1002)上，所述第一长度(L1)小于所述第二长度(L2)。布置在所述第一栅极堆叠(2602a)上的顶部间隔物(2702)，以及布置在所述第二栅极堆叠(2702b)上的顶部间隔物(2702)。
具有沟道长度垂直场效应晶体管器件

[发明专利]具有经优化电阻层的存储器-CN202110863427.4在审
发明人：韦磊;郑鹏园;凯文·李·拜克;E·S·埃格;A·T·巴顿;R·维尼加拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本申请涉及一种具有经优化电阻层的存储器。存储器系统可包含可使用存取线中的单独电阻层沉积在存储器单元和导电通孔上方的单独量或类型的电阻材料。可在执行用于沉积所述导电通孔的阵列终止蚀刻之前在所述存储器单元上方沉积第一电阻材料层。所述阵列终止蚀刻可去除在用于沉积所述导电通孔的阵列的部分上方的所述第一电阻材料。可在所述蚀刻已发生且所述导电通孔已被形成之后沉积第二电阻材料层。可在所述导电通孔上方沉积所述第二电阻材料层。
具有优化电阻存储器