专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]场致发射照明系统的电功率控制-CN201180061074.0有效
  • Q·胡 - 光实验室瑞典股份公司
  • 2011-12-07 - 2013-08-21 - H01J1/304
  • 本发明涉及场致发射照明装置,所述场致发射照明装置包括至少部分被荧光粉层覆盖的阳极结构、内置阳极结构的真空外壳和场致发射阴极,其中,所述场致发射照明装置被配置为接收用于激励所述场致发射照明装置的驱动信号,并为了发光按照顺序激发所述荧光粉层中被选择的多个部分。同样的控制机制也可用于包含多个场致发射阴极和单个场致发射阳极的装置。本发明的优势包括延长场致发射照明装置的寿命。
  • 发射照明系统电功率控制
  • [发明专利]用于场致发光装置的谐振电路-CN201080057999.3有效
  • Q·胡 - 光实验室瑞典股份公司
  • 2010-11-29 - 2013-01-16 - H05B41/28
  • 本发明涉及一种场致发光装置,包括:场致发光源,所述场致发光源包括阳极和阴极并且具有固有的预设电容;电感器,所述电感器具有预设的电感并且与所述场致发光源的阳极和阴极中的至少一个相连接;以及电源,所述电源与所述场致发光源和所述电感器相连接并且被配置为提供给所述场致发光源供电的驱动信号,该驱动信号包括第一频率分量,该第一频率分量具有选自频率范围内的第一频率,该第一频率基于所述预设电容和所述预设电感并且对应于所述场致发光装置谐振处的半功率宽度。本发明的优点包括功率损耗降低以及所述场致发光装置的光输出增大。
  • 用于发光装置谐振电路
  • [发明专利]用于场致发光装置的反射阳极结构-CN201080058761.2有效
  • Q·胡 - 光实验室瑞典股份公司
  • 2010-11-29 - 2013-01-09 - H01J63/02
  • 本发明涉及一种场致发光装置(100),包括:第一场致发射阴极(106);包括荧光层(108)的阳极结构(102);以及真空外罩,所述阳极结构(102)和所述第一场致发射阴极均设置在该真空外罩内;其中,所述阳极结构(102)被设置为当在所述阳极结构和所述第一场致发射阴极之间施加电压时接收由所述第一场致发射阴极(106)发射的电子,并且被设置为将由所述荧光层(108)产生的光从所述真空腔反射出去。本发明的优点包括功率损耗降低和以及所述场致发光装置的光输出增大。
  • 用于发光装置反射阳极结构
  • [发明专利]蒸发系统-CN200980115073.2无效
  • Q·胡 - 光实验室瑞典股份公司
  • 2009-04-15 - 2011-05-04 - C23C14/30
  • 本发明涉及一种蒸发系统(100),该蒸发系统包括真空室(102)、用于容纳蒸发材料的坩埚(104)、用于容纳衬底(114)的衬底架(112)以及用于对要被淀积在所述衬底上的所述蒸发材料进行加热的电子束源(116),其中所述电子束源与坩埚和衬底架一起被布置在真空室内,电子束源是场致发射电子束源,以及蒸发系统还包括用于控制由场致发射电子束源所发射的电子的方向的控制单元,从而使所发射的电子对蒸发材料进行加热以便蒸发材料蒸发。
  • 蒸发系统
  • [发明专利]场致发射显示器-CN200880124564.9无效
  • Q·胡;L·科米特夫 - 光实验室瑞典股份公司
  • 2008-12-18 - 2011-01-19 - H01J9/02
  • 本发明涉及一种制作场致发射显示器(300)的方法,该方法包括将电子发射接收器(302)排列在真空箱中,在电子发射接收器的附近排列波长转化材料(304),和在真空箱中排列电子发射源(100),电子发射源适用于向电子发射接收器发射电子,其中电子发射源是通过以下步骤形成的:提供基底,在基底上形成多个ZnO-纳米结构,其中每个ZnO-纳米结构具有第一端和第二端,第一端与基底连接,排列电绝缘体使ZnO-纳米结构相互电绝缘,将电传导部件与ZnO-纳米结构选择的第二端连接,将支撑结构排列在电传导部件上,并去除基底,由此暴露ZnO-纳米结构的第一端。本发明的优势包括例如增加场致发射显示器的寿命,因为存在更小部分的高度不齐的纳米结构。而且,由于未因为纳米结构高度不齐而使用昂贵的腐蚀、磨光、或相似的方法步骤,从而可以获得更便宜的终产品。本发明还涉及相应的场致发射显示器。
  • 发射显示器

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