专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]检查设备、检查方法和制造方法-CN202110120313.0在审
  • A·J·登鲍埃夫;S·G·J·玛斯吉森;N·潘迪;S·威特;K·艾克玛 - ASML荷兰有限公司
  • 2015-08-13 - 2021-08-03 - G03F7/20
  • 本申请提供了一种检查设备、检查方法和制造方法。通过光刻过程在衬底(W)上形成量测目标。以空间相干辐射在不同的条件下照射包括一个或多个光栅结构的目标(T)。由所述目标区域衍射的辐射(650)与参考辐射(652)干涉,在图像检测器(623)处干涉形成干涉图案。捕获所述干涉图案的一个或多个图像。根据所捕获的图像和参考辐射的知识,计算检测器处的所收集的散射辐射的复数场。根据所述复数场,计算被每个光栅衍射的辐射的合成辐射量测图像(814、814’)。根据光栅衍射谱的相反部分的合成辐射量测图像(814、814’),获得对所述光栅中的不对称度的量度。使用合适的目标,可以根据所量度的不对称度,计算光刻过程的重叠和其他性能参数。
  • 检查设备方法制造
  • [发明专利]量测设备、光刻系统和测量结构的方法-CN201780075933.9有效
  • N·潘迪;A·E·A·科伦 - ASML荷兰有限公司
  • 2017-11-16 - 2021-08-03 - G03F7/20
  • 公开了用于测量通过光刻过程在衬底上形成的结构的量测设备和方法。在一种布置中,光学系统利用辐射照射所述结构并检测被所述结构散射的辐射。光学系统包括第一发散元件(121)。第一发散元件使仅仅来自光瞳平面场分布的第一部分(41)的散射辐射沿着第一发散方向(56)以光谱形式发散。第二发散元件(122)与第一发散元件分离开并使仅仅来自所述光瞳平面场分布的第二部分(42)的散射辐射沿着第二发散方向(57)以光谱形式发散,所述光瞳平面场分布的第二部分与所述光瞳平面场分布的第一部分不同。
  • 设备光刻系统测量结构方法
  • [发明专利]量测目标的方法、量测设备、偏振器组件-CN201780076029.X有效
  • N·潘迪;周子理 - ASML荷兰有限公司
  • 2017-11-16 - 2021-07-20 - G03F7/20
  • 公开了测量通过光刻过程形成的目标的方法、一种量测设备及一种偏振器组件。所述目标包括在第一层中具有第一周期性结构且在第二层中具有第二周期性结构的分层结构。用偏振测量辐射照射所述目标。检测来自所述目标的第零阶散射辐射。使用来自所述目标的检测的第零阶散射辐射来导出所述第一周期性结构中的不对称性。所述第一层与所述第二层之间的间隔使得所述检测的第零阶散射辐射与所述第一周期性结构与所述第二周期性结构之间的重叠误差无关。所述第一周期性结构中的导出的不对称性用以导出第一周期性结构与第二周期性结构之间的正确的重叠值。
  • 目标方法设备偏振组件
  • [发明专利]量测设备-CN201980057917.6在审
  • M·J·M·范达姆;A·J·登鲍埃夫;N·潘迪 - ASML荷兰有限公司
  • 2019-07-31 - 2021-04-09 - G03F7/20
  • 一种用于确定衬底上的结构的关注的特性的量测设备,所述量测设备包括:辐射源,所述辐射源用于产生照射辐射;至少两个照射分支,所述至少两个照射分支用于照射所述衬底上的所述结构,所述照射分支被配置成从不同角度照射所述结构;以及辐射切换器,所述辐射切换器被配置成接收所述照射辐射并且将所述照射辐射的至少一部分转移至所述至少两个照射分支中的可选的一个照射分支。
  • 设备
  • [发明专利]检查设备、检查方法和制造方法-CN201580046689.4有效
  • A·J·登鲍埃夫;S·G·J·玛斯吉森;N·潘迪;S·威特;K·艾克玛 - ASML荷兰有限公司
  • 2015-08-13 - 2021-02-12 - G03F7/20
  • 通过光刻过程在衬底(W)上形成量测目标。以空间相干辐射在不同的条件下照射包括一个或多个光栅结构的目标(T)。由所述目标区域衍射的辐射(650)与参考辐射(652)干涉,在图像检测器(623)处干涉形成干涉图案。捕获所述干涉图案的一个或多个图像。根据所捕获的图像和参考辐射的知识,计算检测器处的所收集的散射辐射的复数场。根据所述复数场,计算被每个光栅衍射的辐射的合成辐射量测图像(814、814’)。根据光栅衍射谱的相反部分的合成辐射量测图像(814、814’),获得对所述光栅中的不对称度的量度。使用合适的目标,可以根据所量度的不对称度,计算光刻过程的重叠和其他性能参数。
  • 检查设备方法制造

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