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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于共享气体输送架构的气体输送系统-CN202180090593.3在审
发明人： A·C·查克拉瓦希;C·尼马;A·A·坎古德;E·内维尔;V·S·贾姆卡恩迪;K·R·朗厄兰;S·A·阿拉姆;徐明;K·勒 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：示例性基板处理系统可以包括盖板。所述系统可包括安置在盖板上的气体分流器。气体分流器可限定多个气体入口和气体出口。气体出口的数量可以大于气体入口的数量。所述系统可包括与气体分流器对接的多个阀块。每个阀块可以限定多个气体管腔。气体管腔中的每一者的入口可以与气体出口中的一者流体连通。气体分流器和每个阀块之间的界面可以包括扼流器。所述系统可包括安置在盖板上的多个输出歧管。所述系统可以包括多个输出焊件，其可以将气体管腔中的一者的出口与输出歧管中的一者耦合。
用于共享气体输送架构系统

[发明专利]容纳寄生等离子体形成的半导体处理腔室-CN202180080503.2在审
发明人： K·C·保罗;田中努;A·J·菲施巴赫;A·A·坎古德;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：示例性处理系统可包括腔室主体。系统可包括底座，所述底座被配置成支撑半导体基板。系统可包括面板。腔室主体、底座和面板可限定处理区域。可将面板与RF电源耦接。系统可包括远程等离子体单元。远程等离子体单元可耦接在电气接地处。系统可包括放电管，所述放电管从远程等离子体单元向面板延伸。放电管可限定中心孔。面板和远程等离子体单元中的每一者可与放电管电耦接。放电管可包括围绕放电管中心孔延伸的铁氧体。
容纳寄生等离子体形成半导体处理

[发明专利]用于半导体处理室的气箱-CN202180071053.0在审
发明人： R·拉杰夫;Y·杨;A·A·坎古德;K·乔希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：示例性半导体处理室可以包括气箱，该气箱包括第一板，该第一板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。气箱的第一板可以界定从第一表面延伸到第二表面的中心孔。第一板可以在第二表面中界定环形凹槽。第一板可以界定从第一表面延伸到第二表面中的环形凹槽的多个孔。气箱可以包括第二板，该第二板由环形表征。第二板可以在环形凹槽处与第一板耦接，以在第一板内界定第一气室。
用于半导体处理

[发明专利]用于沉积低介电常数介电膜的系统和方法-CN202180019623.1在审
发明人： S·慕克吉;K·S·伊姆;D·帕德希;A·A·坎古德;R·拉杰夫;S·乔杜里 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-02-17 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：形成含硅和碳材料的示例性方法可包括：将含硅和碳前驱物流入半导体处理腔室的处理区域内。基板可容置于半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括：在处理区域内形成含硅和碳前驱物的等离子体。可在高于15MHz的频率下形成等离子体。所述方法可包括：将含硅和碳材料沉积于基板上。所沉积的含硅和碳材料的特征在于：低于或约3.0的介电常数。
用于沉积介电常数介电膜系统方法

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共 4 条

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