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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于对行敲击事件进行响应的方法、装置和系统-CN201810783870.9有效
发明人： J.B.哈尔伯特;K.S.贝恩斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本公开涉及用于对行敲击事件进行响应的方法、装置和系统，用于促进为存储器中的行的定向刷新作准备的存储器设备的操作模式。在实施例中，存储器设备在操作在该模式中的同时执行一个或多个操作以为来自存储器控制器的将来的命令作准备，所述命令至少部分地实施存储器设备的第一存储体中的行的定向刷新。在这样的命令之前，存储器设备服务于来自存储器控制器的另一个命令。在另一个实施例中，服务于另一个命令包括存储器设备在存储器设备在该模式中操作的同时和在完成预期的将来的定向行刷新之前访问存储器设备的第二存储体。
用于敲击事件进行响应方法装置系统

[发明专利]动态随机存取存储器装置、存储器控制器以及存储系统-CN201680050250.3有效
发明人： J.B.哈尔伯特;K.S.拜因斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：错误校验和清除（ECS）模式使存储器装置能够执行错误校验和纠正（ECC）并对错误计数。关联的存储器控制器用发送到存储器装置的触发器触发ECS模式。存储器装置包含多个可寻址存储器位置，其能被组织成段（诸如字线）。存储器位置存储数据并且具有关联的ECC信息。在ECS模式中，存储器装置读一个或更多存储器位置，并且基于ECC信息对于所述一个或更多存储器位置执行ECC。存储器装置对错误信息进行计数，错误信息包含指示具有至少阈值数量的错误的段的数量的段计数以及指示在任何段中的最大数量的错误的最大计数。
动态随机存取存储器装置存储器控制器以及存储系统

[发明专利]DRAM设备、错误校正管理的方法和存储器控制器-CN201680050178.4有效
发明人： J.B.哈尔伯特;K.S.拜因斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G11C11/409 文献下载
摘要：校验位读取模式使得存储器设备能够向相关联的主机提供内部校验位。存储器子系统的存储器控制器可以为存储器子系统的存储器设备生成一个或多个读取命令。该读取命令可以包括地址位置信息。该存储器设备包括具有用地址位置信息可寻址的存储器位置的存储器阵列。该存储器位置具有相关联的数据和内部校验位，在这里该校验位是由存储器在内部生成地以用于错误校正。如果存储器设备被配置用于校验位读取模式，则它响应于读取命令发送与所标识的地址位置相关联的内部校验位。如果存储器设备没有被配置成校验位读取模式，则它在不暴露内部校验位的情况下响应于读取命令返回数据。
dram 设备错误校正管理方法存储器控制器

[发明专利]在自刷新模式期间附加刷新操作的执行-CN201680072231.0有效
发明人： K.S.拜因斯;S.富克斯;J.B.哈尔伯特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：实施例通常涉及在自刷新模式期间附加刷新操作的执行。存储器设备的实施例包括：一个或多个存储体；模式寄存器组，该模式寄存器组包括第一组模式寄存器位；以及用来为存储器设备提供控制操作的控制逻辑，所述操作包括在刷新信用模式下针对一个或多个存储体的操作。该控制逻辑用来响应于自刷新命令的接收来执行一个或多个额外刷新周期，该自刷新命令用来提供当前刷新状态信息，并且用来在执行一个或多个额外刷新周期之后关于经修改的刷新状态在第一组模式寄存器位中存储信息。
刷新模式期间附加操作执行

[发明专利]存储器装置错误校验和清除模式以及错误透明度-CN202111091173.5在审
发明人： J.B.哈尔伯特;K.S.拜因斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：错误校验和清除（ECS）模式使存储器装置能够执行错误校验和纠正（ECC）并对错误计数。关联的存储器控制器用发送到存储器装置的触发器触发ECS模式。存储器装置包含多个可寻址存储器位置，其能被组织成段（诸如字线）。存储器位置存储数据并且具有关联的ECC信息。在ECS模式中，存储器装置读一个或更多存储器位置，并且基于ECC信息对于所述一个或更多存储器位置执行ECC。存储器装置对错误信息进行计数，错误信息包含指示具有至少阈值数量的错误的段的数量的段计数以及指示在任何段中的最大数量的错误的最大计数。
存储器装置错误校验清除模式以及透明度

[发明专利]行锤击刷新命令-CN201710590341.2有效
发明人： K.拜因斯;J.B.哈尔伯特;C.P.莫扎克;T.Z.舍恩博恩;Z.格林菲尔德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：行锤击刷新命令。存储器控制器发布目标刷新命令。存储器设备的特定行可以是重复访问的目标。当行在时间阈值内被重复访问时（也称为“锤击”或“行锤击事件”），物理邻近行（“受害”行）可能经历数据恶化。存储器控制器接收行锤击事件的指示，标识与行锤击事件相关联的行，并且向存储器设备发送一个或多个命令以使得存储器设备执行将刷新受害行的目标刷新。
行锤击刷新命令

[发明专利]存储器装置管芯上错误校验和纠正代码-CN201680050473.X有效
发明人： J.B.哈尔伯特;K.S.拜因斯;K.E.克里斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：在其中存储器装置执行管芯上ECC的系统中，ECC操作在按照两个(N/2)位段的N位数据字上，其中代码矩阵具有对应的N个代码，所述N个代码能按照第一部分(N/2)个代码和第二部分(N/2)个代码在其上进行操作以分别计算用于数据字的第一和第二(N/2)位段的第一和第二错误校验。在代码矩阵中，代码矩阵的第一部分中的任何两个代码或代码矩阵的第二部分中的任何两个代码的按位XOR导致不在代码矩阵中的或者在代码矩阵的另一部分中的代码。从而，在一个部分中的误纠正双位错误引起在另一部分中要被切换的位，而不是产生三位错误。
存储器装置管芯错误校验纠正代码

[发明专利]采用错误计数器和内部地址生成的管芯上ECC-CN201680024940.1有效
发明人： J.B.哈尔伯特;K.S.拜因斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：一种存储器子系统实现管理错误纠正信息。存储器装置对存储器位置的范围内部执行错误检测，并且对所检测的各错误使内部计数递增。存储器装置包括ECC逻辑，以生成指示内部计数与对存储器装置预设的错误的基准数量之间的差的错误结果。存储器装置能够向系统的关联主机提供错误结果，以便仅暴露所累加的错误数量，而没有从结合到系统中之前暴露内部错误。能够使存储器装置能够生成内部地址，以运行从存储器控制器所接收的命令。能够使存储器装置能够在经过在其中对错误计数的存储区的第一遍之后重置计数器。
采用错误计数器内部地址生成管芯 ecc

[发明专利]对制造相关的数据讹误错误具有缩减暴露的存储器-CN201811494686.9在审
发明人：姜郁成;K.E.克里斯;R.阿加瓦尔;J.B.哈尔伯特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：描述了一种由存储器来执行的方法。所述方法包含与从与第二子字线结构关联的第二激活列读出第二比特同时地从与第一子字线结构关联的第一激活列读出第一比特。方法也包含提供在突发读取序列的不同读取字内的相同第一比特位置的第一比特，以及提供在突发读取序列的不同读取字内的相同第二比特位置的第二比特。
读取存储器比特位置子字线读出激活关联数据讹误暴露制造

[发明专利]具有降低的基线刷新速率与对弱单元的附加刷新的存储器芯片-CN201810972059.5在审
发明人：姜郁成;J.B.哈尔伯特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明公开了具有降低的基线刷新速率与对弱单元的附加刷新的存储器芯片。描述了一种由存储器芯片执行的方法。该方法包含特别地请求对存储器芯片的弱存储单元的附加刷新，所述弱存储单元比存储器芯片的其他存储单元更快地耗尽其电荷。附加刷新被添加到应用于弱存储单元和其他存储单元的分布式基线刷新命令序列。分布式基线刷新命令序列具有根据其他存储单元的电荷耗尽特性确定的刷新速率。
存储器芯片基线存储单元弱存储命令序列电荷弱单元耗尽特性确定应用

[发明专利]用于存储器装置中的差错管理的方法和系统-CN201410301005.8有效
发明人： K.S.贝恩斯;D.J.齐默曼;D.W.布热津斯基;M.威廉斯;J.B.哈尔伯特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：用于存储器装置中的差错管理的方法和系统。在本发明的一个实施例中，存储器装置可处理命令和地址奇偶校验差错以及循环冗余校验差错。在本发明的一个实施例中，存储器可通过确定所接收命令的命令位或地址位是否具有任何奇偶校验差错，来检测所接收命令是否具有任何奇偶校验差错。如果检测到所接收命令中的奇偶校验差错或循环冗余校验差错，则触发差错处理机制，以便从错误命令进行恢复。
用于存储器装置中的差错管理方法系统

[发明专利]用于对行敲击事件进行响应的方法、装置和系统-CN201380060811.4有效
发明人： J.B.哈尔伯特;K.S.贝恩斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：技术和机制用于促进为存储器中的行的定向刷新作准备的存储器设备的操作模式。在实施例中，存储器设备在操作在该模式中的同时执行一个或多个操作以为来自存储器控制器的将来的命令作准备，所述命令至少部分地实施存储器设备的第一存储体中的行的定向刷新。在这样的命令之前，存储器设备服务于来自存储器控制器的另一个命令。在另一个实施例中，服务于另一个命令包括存储器设备在存储器设备在该模式中操作的同时和在完成预期的将来的定向行刷新之前访问存储器设备的第二存储体。
用于敲击事件进行响应方法装置系统

[发明专利]利用页面打开的存储器刷新操作-CN201680069003.8在审
发明人： B.夸尔巴克;K.S.拜因斯;J.B.哈尔伯特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：实施例一般地涉及利用页面打开的存储器刷新操作。存储器设备的实施例包括：包括多个存储体的存储器阵列;以及控制逻辑，用于为包括页面打开刷新模式的存储器设备提供控制操作，其中，所述控制逻辑响应于利用存储器阵列的存储器页面打开的刷新命令来执行刷新周期，所述刷新操作包括多个存储体的一个或多个存储体的预充电、一个或多个存储体的刷新以及存储器页面的激活。
存储体页面打开存储器设备存储器刷新存储器阵列控制逻辑存储器页面存储器页刷新操作刷新模式刷新周期预充电激活响应

[发明专利]用于行锤击监视的装置，存储器和方法-CN201380057057.9有效
发明人： K.拜恩斯;J.B.哈尔伯特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：存储器子系统的检测逻辑获取针对存储器设备的阈值，该阈值指示时间窗内导致物理上相邻的行上的数据损坏风险的访问的数量。检测逻辑从存储针对存储器设备的配置信息并且可以是该存储器设备本身上的寄存器和/或可以是该存储器设备所属的存储器模块的配置存储设备中的项的寄存器获取阈值。检测逻辑确定对存储器设备的行的访问的数量是否超过阈值。响应于检测到访问的数量超过阈值，检测逻辑可以生成触发以使得存储器设备执行目标为物理上相邻的受害者行的刷新。
存储器设备检测寄存器存储器子系统存储器模块配置存储配置信息数据损坏阈值指示存储器访问时间窗触发锤击存储监视响应

[发明专利]行锤击刷新命令-CN201380028047.2有效
发明人： K.拜因斯;J.B.哈尔伯特;C.P.莫扎克;T.Z.舍恩博恩;Z.格林菲尔德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：存储器控制器发布目标刷新命令。存储器设备的特定行可以是重复访问的目标。当行在时间阈值内被重复访问时（也称为“锤击”或“行锤击事件”），物理邻近行（“受害”行）可能经历数据恶化。存储器控制器接收行锤击事件的指示，标识与行锤击事件相关联的行，并且向存储器设备发送一个或多个命令以使得存储器设备执行将刷新受害行的目标刷新。
行锤击刷新命令

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