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[发明专利]具有用于改变衬底温度的衬底托盘的预清洗腔室和借助所述衬底托盘进行的预清洗工艺-CN201610133338.3有效
发明人： J·托尔;E·R·希尔 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种用于从衬底的表面去除氧化物材料的系统可包括用以收纳所述衬底的衬底托盘，和用以收纳所述衬底托盘的冷却体。所述系统可包括：第一温度控制元件，其被配置用来控制所述衬底托盘的温度，和第二温度控制元件，其被配置用来控制所述冷却体的温度，其中所述第一温度控制元件和所述第二温度控制元件可被独立地控制。一种用于从衬底的表面去除氧化物材料的方法可包括：在具有加热元件的衬底托盘上提供所述衬底；通过将热从所述衬底托盘传递至冷却体来冷却所述衬底；在所述衬底在所述冷却体上时将含有卤素的材料沉积在所述冷却的衬底上；以及随后通过借助将热从所述衬底托盘传递至所述衬底而加热所述冷却的衬底来使所述含有卤素的材料升华。
具有用于改变衬底温度托盘清洗借助进行工艺

[发明专利]用于微创缝合的设备和方法-CN201710957876.9有效
发明人： G·I·布雷歇尔;J·C·米德;J·阿霍;R·巴斯克;J·H·布勒克;J·F·卡森;T·伊根;M·J·赫兰德;J·W·默里;A·珀金斯;W·A·沙卡尔;J·托尔 -专利权人：直观外科手术操作公司
申请日： 2012-08-08 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： A61B17/04 文献下载
摘要：本发明公开了用于微创缝合的设备和方法。一种用于微创缝合的缝合设备包括近端部分、远端以及位于两者之间的中间区域。所述设备包括缝合头组件，其具有带尖端和第二端的缝合针。所述缝合针能够围绕近似垂直于所述设备纵轴的轴而旋转，其中缝合针的尖端在导轨展开前定位在所述缝合头组件中，所述导轨适于且被构造成以当驱动机构推进时引导针围绕环形路径，所述驱动机构具有用于使所述缝合针接合和旋转的针驱动器。
用于缝合设备方法

[发明专利]经由偏置的多端口喷射装置的径向和厚度控制-CN201710173292.2有效
发明人： J·玛格蒂斯;J·托尔;G·巴特立特;N·巴尔加瓦 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及经由偏置的多端口喷射装置的径向和厚度控制。本发明公开了气体分布系统，以便在交叉流动反应器中的衬底上获得更好的膜均匀性。可以通过对气体分布系统的单独喷射端口的不对称偏置实现更好的膜均匀性。气体分布可以允许膜性质的变化的可调性。
经由偏置多端喷射装置径向厚度控制

[发明专利]产生具有叙述的定制高光展现的方法、计算机可读媒体和系统-CN201580053938.2有效
发明人： W·帕卡德;D·卡尼金;J·托尔;D·莱科特海姆斯;A·莱文 -专利权人：图兹公司
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H04N21/2343 文献下载
摘要：产生和呈现用于体育事件、娱乐事件和/或类似事件的具有叙述成分的定制高光展现。所述事件可为体育事件、娱乐事件和/或类似事件。举例来说，在体育事件的情境中，做出所述用户对何种类型的体育、队伍、联盟、运动选手、场景和/或类似物感兴趣的确定。随后产生和呈现含有所述体育事件的可能被关注的那些特定部分的定制高光展现，所述特定部分是以所述用户可能将得到娱乐和感兴趣且呈现衔接叙述的方式布置。
产生具有叙述定制展现方法计算机可读媒体系统

[发明专利]氧化锗预清洁模块和方法-CN201511016858.8有效
发明人： J·托尔;M·G·古德曼 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及氧化锗预清洁模块和方法。在一些实施方案中，一种用于集成电路制造的方法包括从衬底的表面去除氧化物材料，其中所述表面包括硅和锗。去除所述氧化物材料包括将含卤素的预清洁材料沉积在含氧化硅的表面上，并且升华所述含卤素的预清洁材料的一部分以暴露所述表面上的硅。将钝化膜沉积在暴露硅上。所述钝化膜可包括氯。所述钝化膜可防止硅表面受来自稍后升华的化学物质污染，稍后升华可在高于较早升华的温度下。随后，使所述含卤素的预清洁材料的剩余部分和所述钝化膜升华。随后可将如导电材料的目标材料沉积在衬底表面上。
氧化清洁模块方法

[发明专利]沉积IV族半导体的方法及相关的半导体器件结构-CN201810594778.8在审
发明人： J·托尔;J·玛格蒂斯 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：公开了一种在衬底的表面上沉积IV族半导体的方法。所述方法可包括：在反应室内提供衬底并加热衬底至沉积温度。所述方法可还包括：暴露衬底于至少一种IV族前体和暴露衬底于至少一种IIIA族掺杂剂前体；其中所述至少一种IIIA族掺杂剂前体包含硼氢化物、有机硼氢化物、卤化物或有机卤化物。还提供了包含通过本公开的方法沉积的IV族半导体的半导体器件结构。
衬底沉积半导体器件结构掺杂剂前体有机卤化物硼氢化物卤化物氢化物有机硼暴露前体加热室内

[发明专利]半导体处理设备以及用于校准半导体处理设备的方法-CN201810612758.9在审
发明人： S·拉贾贝鲁;J·托尔;R·麦克卡特尼 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开了一种半导体处理设备。所述半导体处理设备可包括：反应室，所述反应室包括：由竖直侧壁连接的上室壁和下室壁，所述室壁由上游入口法兰和下游出口法兰接合，其中所述室的纵向方向从所述入口法兰延伸到所述出口法兰；以及设置在至少所述上室壁的外表面上的多个肋材，所述多个肋材横向于所述室的所述纵向方向而定向。所述半导体处理设备还可包括：至少一个加热元件阵列，所述至少一个加热元件阵列安置在所述反应室上方；以及至少一个可变定位装置，所述至少一个可变定位装置连接到所述至少一个加热元件阵列并且被配置成相对于所述多个肋材的位置可控制地调整所述至少一个加热元件阵列的位置。还公开了校准半导体处理设备的方法。
半导体处理设备加热元件阵列反应室肋材定位装置入口法兰上室壁可变校准出口法兰竖直侧壁下游出口接合可控制法兰室壁下室上游安置配置延伸

[发明专利]用于微创缝合的设备和方法-CN201280038779.5在审
发明人： G·I·布雷歇尔;J·C·米德;J·阿霍;R·巴斯克;J·H·布勒克;J·F·卡森;T·伊根;M·J·赫兰德;J·W·默里;A·珀金斯;W·A·沙卡尔;J·托尔 -专利权人：远藤发展有限责任公司
申请日： 2012-08-08 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： A61B17/06 文献下载
摘要：本发明公开了用于微创缝合的设备和方法。一种用于微创缝合的缝合设备包括近端部分、远端以及位于两者之间的中间区域。所述设备包括缝合头组件，其具有带尖端和第二端的缝合针。所述缝合针能够围绕近似垂直于所述设备纵轴的轴而旋转，其中缝合针的尖端在导轨展开前定位在所述缝合头组件中，所述导轨适于且被构造成以当驱动机构推进时引导针围绕环形路径，所述驱动机构具有用于使所述缝合针接合和旋转的针驱动器。
用于缝合设备方法

[发明专利]用于微创缝合的设备和方法-CN201180056273.2无效
发明人： G·I·布雷歇尔;J·C·米德;J·阿霍;R·巴斯克;J·H·布勒克;J·F·卡森;T·伊根;M·J·赫兰德;J·W·默里;A·珀金斯;W·A·沙卡尔;J·托尔 -专利权人：远藤发展有限责任公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： A61B17/04 文献下载
摘要：本发明公开了用于微创缝合的设备和方法。一种用于微创缝合的缝合设备包括近端部分、远端以及位于两者之间的中间区域。该设备包括缝合头组件，其具有带尖端和第二端的缝合针。缝合针能够围绕近似垂直于设备纵轴的轴而旋转，其中在导轨展开之前，将缝合针的尖端定位在缝合头组件中，所述导轨适于且配置以当驱动机构推进时引导针围绕环形路径，所述驱动机构具有用于使缝合针接合和旋转的针驱动器。
用于缝合设备方法

[发明专利]标签打印设备-CN200880124811.5有效
发明人： C·特里;J·托尔;J·阿霍;L·谢纳;T·伊根 -专利权人：迪默公司
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： B65C9/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种盒体(10)，所述盒体包括标签材料的供给品(8)和制动器(26)。制动器具有第一位置和第二位置。在第一位置中，供给品(8)由制动器(26)夹持。在第二位置中，供给品(8)可从盒体(10)移除。
标签打印设备

[发明专利]在衬底上生长Si－Ge半导体材料和器件的方法-CN200580038437.3无效
发明人： J·库韦塔基斯;I·S·T·宗;C·胡;J·托尔 -专利权人：代表亚利桑那州立大学行事的亚利桑那董事会
申请日： 2005-04-08 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种在Si(100)上生长具有富Ge含量(Ge＞50原子％)和精确化学计量比SiGe、SiGe₂、SiGe₃和SiGe₄的Si－Ge材料的方法。使用源于(H₃Ge)_xSiH_4－x(x＝1－4)化合物族的具有直接Si－Ge键的新型氢化物在约300－450℃的空前低的温度下生长具有低缺陷密度的均匀、松驰且高度平坦的膜，完全解决了厚的组成渐变缓冲层和剥离(lift off)技术的需要。在约500－700℃下，生长出具有窄尺寸分布、无缺陷的显微组织和原子级高度均匀的元素含量的SiGe_x量子点。该方法通过向膜中引入气态前体的全部Si/Ge构架提供了形貌、组成、结构和应变的精确控制。所生长的材料具有高频电子学和光学系统应用中，以及用于开发基于高迁移率Si和Ge沟道的商品化器件的模板和缓冲层所需的形貌和显微组织特性。
衬底生长 si ge 半导体材料器件方法

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