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[发明专利]电渗析器和用于从海水中捕获CO2-CN202180075561.6在审
发明人： C·向;H·A·阿特沃特;I·A·迪格达亚 -专利权人：加州理工学院
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B01D53/22 文献下载
摘要：公开了电化学系统，其包括电渗析器和蒸汽供给的CO2还原(CO2R)单元以从海水中捕获和转化CO2。电渗析器包括端电极之间的双极膜电渗析(BPMED)单元的电堆。电渗析器纳入防止多价阳离子在相邻单元隔间之间传输的单价阳离子交换膜(M‑CEM)，允许电解质和溶液的连续再循环，从而提供更安全且更无结垢的电渗析系统。在一些实施方式中，电渗析器可配置为用电极处溶液中的单电子可逆氧化还原电对来代替端电极处的水裂解反应。结果是，在整个电渗析器电堆中，没有成键、断键反应，且没有气体产生，这显著简化了单元设计并改善了操作安全性。所述系统为仅用电化学过程从海水中捕获和转化CO2提供了独特的技术途径。
电渗析用于海水捕获 co base sub

[发明专利]纳米级等离子体激元场效应调制器-CN201480019856.1有效
发明人：赫·伟·李;斯坦利·布尔戈斯;乔治亚·帕帕扎基斯;H·A·阿特沃特 -专利权人：加州理工学院
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：等离子体激元器件具有透明导电氧化物(TCO)波导和施加在TCO和金属层之间的用于调制输入光信号的可调整电压。等离子体激元器件包括：衬底；在衬底上的并具有开槽通道的金属层；在金属层上和开槽通道中的介电层；以及在介电层上和开槽通道中的透明导电氧化物(TCO)。
纳米等离子体场效应调制器

[发明专利]并有电插入于含磷族元素化物的吸收体层与发射极层之间的薄硫族元素化物膜的光伏打装置-CN201380052315.4无效
发明人： J·P·博斯科;H·A·阿特沃特;G·M·金伯尔;R·K·费斯特;M·W·格鲁特;J·C·史蒂文斯 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司;加州理工学院
申请日： 2013-10-07 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供用于改善绝缘体层与至少一个含磷族元素化物的膜界面连接的MIS及SIS装置中的所述绝缘层的质量的策略。本发明的原理至少部分基于以下发现：包括例如i-ZnS的硫族元素化物的非常薄(20nm或以下)的绝缘膜出人意料地为在并有磷族元素化物半导体的MIS及SIS器件中的优越隧道势垒。在一方面，本发明涉及一种光伏打装置，所述光伏打装置包括：半导体区域，其包括至少一个磷族元素化物半导体；绝缘区域，其电耦合到所述半导体区域，其中绝缘区域包括至少一种硫族元素化物且具有在从0.5nm到20nm的范围中的厚度；及整流区域，其按所述绝缘区域电插入于集极区域与所述半导体区域之间的方式电耦合到所述半导体区域。
插入含磷族元素吸收体发射极之间薄硫族化物膜光伏打装置

[发明专利]具有堆叠光谱分裂光学器件和调谐到由所述光谱分裂光学器件产生的所得光谱片的光伏阵列的光伏系统-CN201380052931.X无效
发明人： M·D·爱斯嘉拉;S·达尔贝;H·A·阿特沃特;R·K·费斯特;C·E·霍夫曼;E·D·克斯顿;M·E·米尔斯;N·拉梅什;J·C·史蒂文斯 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司;加州理工学院
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本发明提供包含多个带隙电池阵列以及光谱分裂光学器件的光伏装置。所述光谱分裂光学器件包括一或多个光谱分裂模块，所述光谱分裂模块包括两个或两个以上光学分裂衍射元件，所述光学分裂衍射元件光学串联以连续并且以衍射方式将入射光分裂成独立地引导到具有适当带隙特征的阵列的不同光伏电池上的片段或片。
具有堆叠光谱分裂光学器件调谐产生所得阵列系统

[发明专利]光谱分光模块和包括聚光器光学器件的光伏系统-CN201380053714.2在审
发明人： C·艾斯勒;E·D·克斯顿;H·A·阿特沃特;E·C·沃曼;C·E·霍夫曼;R·K·费斯特;J·C·史蒂文斯;W·周;M·米尔斯;C·A·弗罗尔斯;N·拉梅什 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司;加州理工学院
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种将入射光转化成电能的分光光学模块，所述模块包括包含接收光的输入端、第一侧面以及与所述第一侧面隔开的第二侧面的固体光学元件；邻近于所述固体光学元件的所述第一侧面的第一太阳能电池；以及邻近于所述固体光学元件的所述第二侧面的第二太阳能电池。放置所述第一太阳能电池以吸收入射光的第一子集，并且使所述入射光的第一其余部分通过所述固体光学元件反射到所述第二太阳能电池。
光谱分光模块包括聚光器光学器件系统

[发明专利]包括光捕捉过滤光学模块的光伏系统-CN201380052930.5无效
发明人： E·D·科斯滕;C·A·弗劳尔斯;J·V·劳埃德;C·E·霍夫曼;H·A·阿特沃特;E·C·沃曼;J·C·史蒂文斯;R·K·费斯特;W·周;M·米尔斯;N·拉梅什 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司;加州理工学院
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：一种将入射光转化成电能的光伏系统，其包括光捕捉光学模块，所述光捕捉光学模块具有光随机化介电平板，其具有第一表面和第二表面；第一电池，其邻接于所述平板的所述第一表面，其具有与所述介电平板吸收开始的能量相比能量较低的带隙；至少一个滤光器元件，其与所述介电平板的所述第二表面光学接触；以及子电池阵列，其具有多个光伏子电池，其中所述子电池中的至少一者具有与所述至少一个滤光器元件光学接触的第一表面。
包括捕捉过滤光学模块系统

[发明专利]聚合物嵌入式半导体棒阵列-CN200880105135.7无效
发明人：内森·S·刘易斯;凯瑟琳·E·普拉斯;约书亚·M·斯珀津;H·A·阿特沃特 -专利权人：加利福尼亚技术学院
申请日： 2008-07-18 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：一种由嵌入在粘合剂材料中的良序半导体结构组成的结构，所述粘合剂材料保持所述半导体结构的次序和取向。用于形成这种结构的方法包括在衬底上形成半导体结构，将粘合剂材料涂布到所述衬底上以在所述粘合剂材料中嵌入所述半导体材料，以及在所述衬底处将所述粘合剂材料从所述衬底分离。这些方法为保持分离的粘合剂材料中的高度有序的半导体的取向和次序做准备。
聚合物嵌入式半导体阵列

[发明专利]半导体的有序阵列结构-CN200880107746.5无效
发明人： H·A·阿特沃特;布兰登·M·卡耶斯;内森·S·刘易斯;詹姆士·R·马约洛三世;约书亚·M·斯珀津 -专利权人：加利福尼亚技术学院
申请日： 2008-07-18 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：一种具有半导体结构阵列的设备，所述半导体阵列具有的尺寸、有序性和取向为光吸收和载荷子分离做了准备。该半导体结构以相对高的长宽比形成，即该半导体结构在接收光的方向上长，但是其具有相对小的半径以促进载流子的高效径向收集。
半导体有序阵列结构

[发明专利]用于生长垂直排列的线阵列的晶片的再利用方法-CN200880105133.8无效
发明人：约书亚·M·斯珀津;凯瑟琳·E·普拉斯;内森·S·刘易斯;H·A·阿特沃特 -专利权人：加利福尼亚技术学院
申请日： 2008-07-18 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：通过将线阵列转移到聚合物基体、再利用用于几个阵列生长的图案化的氧化物以及最后抛光和再氧化晶片表面并再应用图案化的氧化物，来再利用用于线阵列的形成的硅晶片。
用于生长垂直排列阵列晶片再利用方法

[发明专利]垂直排列的硅线阵列的结构及其形成方法-CN200880102837.X无效
发明人：布兰登·M·卡耶斯;迈克尔·A·菲勒;内森·S·刘易斯;H·A·阿特沃特 -专利权人：加利福尼亚技术学院
申请日： 2008-07-18 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种由在硅(Si)基底上垂直排列的线阵列所组成的结构，和一种用于生产这种线阵列的方法。该线阵列用特别适合于把所接收到的光转换为能量的方向和密度在基底上被制造并且定位。被图案化的氧化层用来为显示出狭小的直径和长度的分布的线阵列做准备，并且为被控制的线位置做准备。
垂直排列阵列结构及其形成方法

[发明专利]制造结晶硅的方法-CN200480043738.0无效
发明人： C·E·理查森;H·A·阿特沃特 -专利权人：加州理工大学
申请日： 2004-10-26 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供由非晶硅制造基本为结晶形式的硅的方法。
制造结晶方法

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