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[发明专利]具有掠过栅极的集成电路图像传感器单元-CN201811473257.3有效
发明人： F·罗伊 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及具有掠过栅极的集成电路图像传感器单元。一种成像单元，包括耦合在光敏电荷节点和中间节点之间的掠过栅极晶体管，以及耦合在中间节点和感测节点之间的传输栅极晶体管。掠过栅极晶体管包括垂直栅极电极结构，该垂直栅极电极结构由延伸到衬底中的第一电容性深沟槽隔离和延伸到衬底中的第二电容性深沟槽隔离形成。掠过栅极晶体管的沟道位于第一和第二电容性深沟槽隔离之间。每个电容性深沟槽隔离由沟槽形成，该沟槽衬有绝缘衬垫并填充有导电或半导电材料。
具有掠过栅极集成电路图像传感器单元

[发明专利]电子图像采集装置-CN201810729632.X有效
发明人： F·罗伊 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及电子图像采集装置。一种电子图像采集装置包括第一部分和第二部分。第一部分由衬底晶片形成，该衬底晶片在其一侧上设置有电子电路以及具有电连接网络和在外表面上的外部电接触的介电层。第二部分包括在光的作用下能够生成电信号的像素晶片、安装到像素晶片并设置有电子电路的衬底晶片以及具有电连接网络和外表面上的外部电接触的介电层。外表面和外部电接触彼此结合，以便将第一部分安装到第二部分。连接焊盘延伸穿过像素晶片中的孔，以与第二部分的电连接网络电连接。
电子图像采集装置

[实用新型]传感器和电子设备-CN202222459182.1有效
发明人： F·罗伊 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及传感器和电子设备。传感器包括由被掺杂有第一导电类型的衬底支撑的像素。每个像素包括衬底的由具有图像感测组装件和深度感测组装件的垂直绝缘结构界定的部分。图像感测组装件包括衬底的第一区域和完全横向包围第一区域的第一垂直传输门，该第一区域被更重地掺杂有第一导电类型。深度感测组装件中的每个深度感测组装件包括衬底的第二区域和第二垂直传输门，该第二区域被更重地掺杂有第一导电类型，该第二垂直传输门与第一垂直传输门的对应部分相对。第二区域被布置在第二垂直传输门与第一垂直传输门的相应部分之间。
传感器电子设备

[发明专利]图像传感器-CN202211485514.1在审
发明人： F·罗伊;T·达洛 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H04N25/78 文献下载
摘要：本公开的各实施例总体上涉及图像传感器。一种图像传感器包括像素阵列，其中每个像素形成在衬底的与衬底的其他部分电绝缘的部分中。每个像素包括光电检测器；传输晶体管；以及包括一个或多个晶体管的读出电路。读出电路的晶体管形成在该部分的至少一个阱的内部和之上。从当前行的像素的光电检测器进行读取使用至少一个前一行的像素的读出电路的至少一个晶体管，前一行的像素的阱以第一电压被偏置，该第一电压大于当前行的像素的阱的第二偏置电压。
图像传感器

[发明专利]图像和深度像素-CN202211132166.X在审
发明人： F·罗伊 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：传感器包括由被掺杂有第一导电类型的衬底支撑的像素。每个像素包括衬底的由具有图像感测组装件和深度感测组装件的垂直绝缘结构界定的部分。图像感测组装件包括衬底的第一区域和完全横向包围第一区域的第一垂直传输门，该第一区域被更重地掺杂有第一导电类型。深度感测组装件中的每个深度感测组装件包括衬底的第二区域和第二垂直传输门，该第二区域被更重地掺杂有第一导电类型，该第二垂直传输门与第一垂直传输门的对应部分相对。第二区域被布置在第二垂直传输门与第一垂直传输门的相应部分之间。
图像深度像素

[发明专利]飞行时间探测像素-CN201611273191.4有效
发明人： F·罗伊;B·罗德里古斯;M·古尔伦;Y·卡扎尤科斯;B·吉法德 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及飞行时间探测像素。该像素包括半导体衬底，该像素包括：光敏区域，包括第一导电类型的第一掺杂层和所述第一类型的电荷收集区域，电荷收集区域比第一层更重掺杂并且延伸穿过第一层的全部或部分；至少两个电荷存储区域，每个电荷存储区域包括第一类型的阱，阱比电荷收集区域更重掺杂并且至少通过第一层的第一部分与电荷收集区域隔开，第一部分被第一栅极覆盖，每个电荷存储区域在横向上由两个绝缘的导电电极界定，所述两个绝缘的导电电极彼此平行且面对；以及第二导电类型的第二掺杂层，覆盖收集区域和电荷存储区域。
飞行时间探测像素

[发明专利]光敏传感器以及对应的制造方法-CN202210681758.0在审
发明人： F·罗伊 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及光敏传感器以及对应的制造方法。一种光敏传感器，包括像素，该像素由光敏区、读取区、以及传送栅极形成，光敏区在第一半导体材料中，读取区在第二半导体材料中，传送栅极面向第一半导体材料和第二半导体材料的位于光敏区与读取区之间的部分。第一半导体材料和第二半导体材料具有不同带隙，并且彼此接触以形成面向传送栅极的异质结。
光敏传感器以及对应制造方法

[实用新型]光敏传感器-CN202221506248.1有效
发明人： F·罗伊 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及光敏传感器。一种光敏传感器，包括像素，该像素由光敏区、读取区、以及传送栅极形成，光敏区在第一半导体中，读取区在第二半导体中，传送栅极面向第一半导体和第二半导体的位于光敏区与读取区之间的部分。第一半导体和第二半导体具有不同带隙，并且彼此接触以形成面向传送栅极的异质结。本公开能够提供一种适用于短波红外波长范围、具有低噪声、快速电荷转移、基于非笨重架构的光敏传感器。
光敏传感器

[发明专利]能够控制电流线路中的电池单元上的均匀电流的电池控制方法-CN202080063097.4在审
发明人： F·罗伊;A·迪特里克;B·雷沃尔;D·拉布鲁斯;T·珀尚 -专利权人：标致雪铁龙汽车股份有限公司;国立科学研究中心;法国国立工艺学院;帅福得;巴黎-萨克雷高等师范学校
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： B60L58/22 文献下载
摘要：本发明的目标在于提供一种用于控制具有经集成逆变器的电池的控制方法，所述电池包括n个传递基本电压Vcell的基本电池单元模块(MEk)，所述n个基本电池单元模块能够在所述电池单元的组合上施加均匀电流。更确切地，所述方法包括：调控步骤，所述调控步骤用于调控所述基本模块(MEk)的控制信号(uik)，以便基于根据参考电压设定值Vref进行的对于q个基本模块(MEk)的集合的选择提供所述电压波形(VM1)，其中，Vref＝qVcell，确定对于n个基本模块的整理，根据所述基本模块(MEk)的位置的循环排列来处理对于所述n多个的整理，以便使得所述n多个中的每个基本模块(MEk)在对于每个模块相等的时长期间参与实施所述电压波形。本发明应用于电动汽车领域和站点式能量存储领域。
能够控制电流线路中的电池单元均匀方法

[实用新型]图像传感器和成像像素-CN202021414996.8有效
发明人： F·罗伊;A·苏勒 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及一种图像传感器和成像像素。图像传感器包括多个像素，每个像素包括：在半导体衬底中竖直地延伸的第一导电类型的掺杂光敏区域；比光敏区域更重地掺杂有第一导电类型的电荷收集区域，电荷收集区域在衬底中从衬底的上表面竖直地延伸并且被布置在光敏区域上方；以及竖直堆叠，其包括竖直传输栅极和竖直电绝缘壁，该堆叠穿过衬底并与电荷收集区域接触，该栅极被布置在衬底的上表面侧上并且比电荷收集区域更深地穿透到衬底中。
图像传感器成像像素

[发明专利]用于使框架上的画布绷紧的装置-CN201980016976.9有效
发明人： F·罗伊 -专利权人：盖斯普兰管理咨询公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： B44D3/18 文献下载
摘要：一种用于对安装到框架的画布进行拉伸的装置，包括间隔件和螺丝。所述框架具有多个侧构件，所述多个侧构件各自在倾斜端处相互邻接。所述间隔件的第一部分包括从中穿过的中心孔隙和两个相对的端或侧。所述第一部分的每一端被设定大小以接合每一侧构件的接触表面。所述螺丝具有螺纹轴，所述螺纹轴适于与所述间隔件的所述第一部分的所述中心孔隙旋转接合。所述螺纹轴在其第一端处以螺丝头终止，所述螺丝头具有截头圆锥形侧壁和端面，所述端面包括工具接合凹口。旋转所述螺丝以使所述螺丝头移动得更接近于所述间隔件致使所述间隔件将所述侧构件互相推离彼此而对所述画布进行拉伸。
用于框架画布绷紧装置

[外观设计]框架的互锁担架式杆构件-CN202030432550.7有效
发明人： F·罗伊 -专利权人：杰斯普兰管理顾问有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： 06-07 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：框架的互锁担架式杆构件。2.本外观设计产品的用途：用于艺术画布框架，四个杆构件组成了一个艺术或印刷画布的框架。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图1。5.指定设计1为基本设计。6.本申请产品为细长物品，图中采用了省略长度画法。
框架互锁担架构件

[发明专利]图像传感器-CN202010691031.1在审
发明人： F·罗伊;A·苏勒 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及一种图像传感器，该图像传感器包括多个像素，每个像素包括：在半导体衬底中竖直地延伸的第一导电类型的掺杂光敏区域；比光敏区域更重地掺杂有第一导电类型的电荷收集区域，电荷收集区域在衬底中从衬底的上表面竖直地延伸并且被布置在光敏区域上方；以及竖直堆叠，其包括竖直传输栅极和竖直电绝缘壁，该堆叠穿过衬底并与电荷收集区域接触，该栅极被布置在衬底的上表面侧上并且比电荷收集区域更深地穿透到衬底中。
图像传感器

[发明专利]堆叠半导体衬底之间的接触沟槽-CN201710179654.9有效
发明人： F·罗伊 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：第一半导体衬底层支撑第一晶体管，该第一晶体管包括由该衬底层的掺杂区域形成的第一源漏。第二半导体衬底层支撑第二晶体管，该第二晶体管包括由该衬底层的掺杂区域形成的第二源漏。该第二半导体衬底层被叠置于该第一半导体衬底层之上并且通过绝缘层与该第一半导体衬底层分隔开。金属布线从与用于该第一源漏的该掺杂区域的电接触延伸，通过该绝缘层，并且穿过该第二半导体衬底层中的电隔离结构以与用于该第二源漏的该掺杂区域进行电接触。该电隔离结构由沟槽隔离或该第二源漏的该掺杂区域本身中的一项形成。该隔离结构的厚度等于该第二半导体衬底层的厚度。
堆叠半导体衬底之间接触沟槽

[发明专利]绝缘壁及其制造方法-CN201610730493.3有效
发明人： F·罗伊 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种像素，包括半导体层，该半导体层具有在半导体层中延伸的电荷累积层。晶体管具有向下穿透进入半导体层至第一深度的读取区。绝缘壁从上表面穿透进入半导体层并且包含连接至电位施加的节点的绝缘导体。绝缘壁至少包括设有向下穿透进入绝缘导体至第二深度的深绝缘插头的部分，该第二深度大于第一深度。绝缘壁的连续部分至少部分地横向划定电荷累积区并且包括具有至少部分地横向划定晶体管的读取区的深绝缘插头的壁部分。
绝缘及其制造方法

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