“E·J·希罗”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果12个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于均匀气相沉积的岐管-CN201710403047.6有效
发明人： D·马夸特;A·M·耶德纳克三世;E·J·希罗;H·特霍斯特 -专利权人： ASM IP 控股有限公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括用于均匀气相沉积的岐管。所述半导体装置可以包括岐管，所述岐管包括孔道并且具有内壁。所述内壁可以至少部分地界定所述孔道。所述孔道的第一轴向部分可以沿着所述岐管的纵轴延伸。供应通道可以提供气体源与所述孔道之间的流体连通。所述供应通道可以包括界定穿过所述岐管的所述内壁的至少部分环形的间隙的狭缝，以将气体从所述气体源递送到所述孔道。所述至少部分环形的间隙可以围绕所述纵轴旋转。
用于均匀沉积

[发明专利]气相反应器和气相反应器系统-CN201610131743.1有效
发明人： C·L·怀特;E·J·希罗;M·维戈瑟 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： B01J10/00 文献下载
摘要：本发明涉及气相反应器和气相反应器系统。示例性反应器包括具有渐变高度的反应室。反应器的高度渐变被认为用于减小沿着通过反应器的气体流的压降。示例性反应器也可包括在间隙内的间隔件，以控制在区域和反应室之间的气体流。
相反和气系统

[发明专利]反应物汽化器和相关系统与方法-CN201710795262.5有效
发明人： M·E·韦尔盖塞;E·J·希罗;C·L·怀特;K·范德如里奥;H·特霍斯特 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本文公开了与固体源化学物质汽化器容器和多腔室沉积模块相关的系统和方法。在一些实施方案中，固体源化学物质汽化器包括外壳底座和外壳盖。一些实施方案还包括被构造成安置于所述外壳底座内的第一和第二托盘，其中每个托盘界定适合于容纳固体源化学物质并且允许气体在它上方流动的第一蛇形路径。在一些实施方案中，多腔室沉积模块包括第一和第二气相反应室以及用以供应所述第一和第二气相反应室中的每一个的固体源化学物质汽化器容器。
反应物汽化器相关系统方法

[发明专利]淋喷头组件和部件-CN202110045361.8在审
发明人： D·南德瓦纳;C·L·怀特;E·J·希罗;W·G·皮特罗;H·特霍斯特;G·特雷弗缇 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开涉及淋喷头组件的实施方案，所述淋喷头组件可用于使用诸如原子层沉积(ALD)的工艺来沉积半导体层。所述淋喷头组件具有淋喷头，所述淋喷头具有增加的厚度，这有利地减小反应室尺寸并缩短循环时间。缩短循环时间可以提高吞吐量并降低成本。
喷头组件部件

[发明专利]半导体沉积反应器歧管-CN202011124004.2在审
发明人： D·南德瓦纳;E·J·希罗;C·L·怀特;T·R·杜纳;W·G·皮特罗;J·L·温科;A·奇塔莱 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体沉积反应器歧管和使用所述半导体沉积反应器歧管的方法的实施例，所述半导体沉积反应器歧管可用于使用如原子层沉积(ALD)等工艺沉积半导体层。所述半导体沉积反应器歧管具有孔、第一供应通道和第二供应通道。有利的是，第一供应通道和第二供应通道以偏移的方式与孔合并，这导致减少供应通道内的交叉污染。
半导体沉积反应器歧管

[发明专利]用于化学品升华器的填充容器和连接器-CN202010945180.6在审
发明人： P·马;C·L·怀特;E·J·希罗 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本文公开了与固体源化学品中间填充容器有关的系统和方法。所述填充容器可包含近端、远端，以及被安置于所述近端处的被配置成在其中保持固体源化学品反应物的基底。所述中间填充容器还可包含在所述远端处的包括第二热导体的盖。所述盖可包含化学品入口、载气入口和化学品出口。所述填充容器还可包含安置于所述基底与所述盖之间的中间层。所述中间层可以包含被配置成减少所述基底与所述盖之间的热流的绝热体。
用于化学品升华填充容器连接器

[发明专利]半导体处理装置-CN202010979312.7在审
发明人： J·L·温科;E·J·希罗;C·L·怀特;S·斯瓦米纳坦;B·佐普 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：公开一种半导体处理装置。所述装置可包含反应器以及被配置成向所述反应器供应气化固体反应物的固体源容器。过程控制室可安置在所述固体源容器与所述反应器之间。所述装置可包含所述过程控制室的上游的阀。控制系统可被配置成至少部分地基于所述过程控制室中的测得压力的反馈来控制所述阀的操作。
半导体处理装置

[发明专利]用于反应物蒸发系统的加热区分离-CN202010951370.9在审
发明人： C·L·怀特;E·J·希罗;K·范德如里奥 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：与温度区控制系统相关的系统和方法可以包括构造成至少部分抽空的反应物源柜、构造成将固体源化学反应物保持在其中的容器基部以及联接到容器基部的远侧部分的盖。所述盖可以包括一个或多个盖阀。所述系统可以进一步包括多个气体面板阀，所述多个气体面板阀构造成将气体从气体源输送到容器。所述系统可以包括构造成加热一个或多个盖阀的加热元件。所述系统可以包括挡热板，挡热板的第一部分设置于一个或多个盖阀与容器基部之间。挡热板的第二部分可以设置于第一加热元件与多个气体面板阀之间。
用于反应物蒸发系统加热区分

[发明专利]反应器歧管-CN202010179812.2在审
发明人： D·南德瓦纳;J·L·温科;E·J·希罗;T·R·杜纳;C·L·怀特 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本文公开了与半导体处理装置相关的系统和方法，所述半导体处理装置包括歧管，所述歧管包括构造成将气体递送到反应腔室的开孔，所述歧管包括第一块，所述第一块安装到第二块，第一安装块和第二安装块协作以至少部分地限定开孔。供应通道提供气体源与开孔之间的流体连通，且所述供应通道至少部分地设置于第二块中。金属密封件围绕开孔设置在所述第一块与所述第二块之间的界面处。有利地，金属密封件改善所述第一块与所述第二块之间的界面之间的密封。
反应器歧管

[发明专利]固体源升华器-CN201910756128.3在审
发明人： E·J·希罗;C·L·怀特;M·E·韦尔盖塞;K·范德如里奥;T·J·沙利文 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本文公开了与固体源化学升华器容器和相应的沉积模块有关的系统和方法。固体源化学升华器可以包括配置成在其中保持固体化学反应物的壳体。盖可以布置在所述壳体的近侧部分上。所述盖可以包括流体入口和流体出口，并且在所述盖的远侧部分内限定蛇形流动路径。所述盖可以适于允许所述流动路径内的气流。所述固体源化学升华器可以包括布置在所述蛇形流动路径和所述壳体的远侧部分之间的过滤器。所述过滤器可以具有配置成限制固体化学反应物通过其中的孔隙率。
固体升华

[发明专利]用于气相沉积的三叔丁基铝反应剂-CN201610837765.X有效
发明人： E·J·希罗;M·E·韦尔盖塞 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：提供铝(Al)烃前驱组合物，其可用于过渡金属碳化物薄膜，例如掺铝过渡金属碳化物薄膜，诸如掺铝碳化钛薄膜的气相沉积。在一些实施方案中，所述前驱组合物包含三叔丁基铝(TTBA)的一种或多种异构体。具体来说，在一些实施方案中，所述前驱组合物包含至少70％TTBA的异构体1，其中异构体1具有式Al(叔丁基)
用于沉积丁基反应

[发明专利]多区反应器、包括该反应器的系统和使用该反应器的方法-CN201610141027.1有效
发明人： C·L·怀特;M·维戈瑟;E·J·希罗;T·R·邓恩 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及多区反应器、包括该反应器的系统和使用该反应器的方法。示例性多区反应器包括可移动的感受器组件和可移动的板。可移动的感受器组件和可移动的板能在反应器的反应区之间竖直地移动，以使基底暴露于多个过程或多种反应物。
反应器包括系统使用方法

1
共 12 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top