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[发明专利]接收器模块-CN201810933824.2有效
发明人： D·富尔曼;T·劳尔曼;G·凯勒 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：一种接收器模块(EM)，其具有光运行的电压源(SP)，该电压源包括具有上侧(OSP1)和下侧(USP1)的第一堆叠(SP1)，该电压源构造在非硅衬底(NSSUB)的上侧上，该电压源具有第二电连接接通部(K2)和第一电连接接通部(K1)，在它们之间存在电压，接收器模块具有带有MOS晶体管结构(MOS1)的第二堆叠(ST2)，该MOS晶体管结构具有控制连接端、漏极连接端和源极连接端，MOS晶体管结构构造成自导通的场效应晶体管，控制连接端与两个连接接通部中的一个连接，漏极连接端与两个连接接通部中的另一个连接，如果所产生的电压下降到低于阈值，则该场效应晶体管使两个连接接通部短接。
接收器模块

[发明专利]堆叠状的单片的正置变质的多结太阳能电池-CN201911281644.1有效
发明人： D·富尔曼;R·范莱斯特;M·莫伊泽尔 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明涉及一种堆叠状的单片的正置变质的多结太阳能电池，其具有：至少一个第一子电池，第一子电池具有第一带隙、第一晶格常数，并且超过50％由锗组成；布置在第一子电池上方的第二子电池，第二子电池具有第二带隙和第二晶格常数；布置在第一子电池和第二子电池之间的变质缓冲部，变质缓冲部包括至少三个层的序列，三个层具有在第二子电池的方向上逐层增大的晶格常数；布置在变质缓冲部和第二子单元之间的第一隧道二极管，第一隧道二极管具有n+层和p+层，其中，第二带隙大于第一带隙，第一隧道二极管的n+层包括InAlP，第一隧道二极管的p+层包括含As的III‑V族材料，在n+层和p+层之间布置有中间层，中间层分别比n+层更薄且比p+层更薄。
堆叠单片变质太阳能电池

[发明专利]用于照明汽车的车辆内部空间的照明装置-CN201880032472.1有效
发明人： D·富尔曼;D·克纳普;M·霍尔策;F·施泰布;T·格拉姆利奇;T·凯尔伯勒 -专利权人：梅赛德斯-奔驰集团股份公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B60Q3/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于照明汽车(1)的车辆内部空间(5)的照明装置(6)。所述汽车(1)包括多个用于照明所述车辆内部空间(5)的光源(2a‑2g)和控制装置(7)，所述控制装置用来对所述多个光源(2a‑2g)进行独立控制。所述汽车(1)还具有与所述控制装置(7)连接的操作装置(8)，所述操作装置包括用来由使用者对所述光源(2a‑2g)进行独立控制的操作元件(4)和区段(22a，22b)。本发明还设有显示单元，所述显示单元显示可被或被所述可控光源(2a‑2g)照明的车辆内部空间(5)的至少一个局部图像(11)。
用于照明汽车车辆内部空间装置

[发明专利]用于控制交通工具的内部空间照明的装置和方法-CN201780025016.X有效
发明人： D·贝茨;D·富尔曼;M·霍尔策;J·凯特尔;D·S·塞茨 -专利权人：梅赛德斯-奔驰集团股份公司
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B60K37/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于控制交通工具(1)的内部空间照明的装置(100)，其中所述内部空间照明为了产生环境照明和/或阅读照明而具有由多个光源(16)构成的阵列(15)。所述装置(100)包括控制单元(25)，其用于对所述阵列(15)的光源(16)进行单独控制，用以产生环境照明和/或阅读照明，以及可以与所述控制单元(25)连接的输入单元(27)，其中所述输入单元(27)具有用于输入针对控制单元(25)的当前控制信息集的触敏屏幕(28)。其中控制单元(25)适于基于当前控制信息集来控制所述光源(16)。此外，输入单元(27)适于基于当前控制信息集在屏幕(28)上针对交通工具内部空间中的可照明区域显示对应的环境照明和/或阅读照明。
用于控制交通工具内部空间照明装置方法

[发明专利]堆叠状的III-V族半导体二极管-CN202210104842.6在审
发明人： V·杜德克;J·科瓦尔斯基;R·博贾尼;D·富尔曼;T·维尔茨科夫斯基 -专利权人： 3-5电力电子有限责任公司;阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种堆叠状的III‑V族半导体二极管，包括GaAs或由GaAs组成，具有高n掺杂的阴极层、高p掺杂的阳极层和布置在所述阴极层与所述阳极层之间的漂移区，所述漂移区具有最高8·1015cm‑3的掺杂剂浓度和至少10μm的层厚，其中，所述阴极层具有δ层区段，所述δ层区段具有从0.1μm至2μm的层厚和至少1·1019cm‑3的掺杂剂浓度。
堆叠 iii 半导体二极管

[发明专利]光学电压源-CN201811530916.2有效
发明人： G·凯勒;D·富尔曼 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明涉及一种光学电压源和一种耦合输出设备，该光学电压源具有数量N个彼此串联连接的半导体二极管(D1，DN)，该半导体二极管分别具有pn结，半导体二极管(D1，D2，DN)一起单片地集成并且共同构成第一堆叠(ST1)，该第一堆叠具有上侧和下侧，并且该第一堆叠(ST1)的半导体二极管的数量N大于等于2，所述耦合输出设备具有另外的半导体二极管(Dpin)，所述另外的半导体二极管具有pin结，所述另外的半导体二极管与第一堆叠的半导体二极管反向串联连接，另外的半导体二极管的下侧与所述第一堆叠的上侧材料锁合地连接，并且所述另外的半导体二极管与所述第一堆叠一起构成总堆叠(STG)。
光学电压

[发明专利]温度设定的反馈方法-CN201780027230.9有效
发明人： D·贝茨;F·埃特尔;D·富尔曼;D·S·塞茨 -专利权人：戴姆勒股份公司
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： B60Q3/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种特别是在汽车(14)中反馈空调装置(12)的温度设定(10)的方法，其中为显示(16)所设温度而调整至少一个照明元件(18)的光色。本发明的基本理念在于，利用彩色光源来呈现温度设定。
温度设定反馈方法

[发明专利]通信网络-CN201880047378.3有效
发明人： D·富尔曼;S·克莱因 -专利权人：戴姆勒股份公司
申请日： 2018-06-18 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H04L67/12 文献下载
摘要：本发明涉及用于在车辆(2)和家居设备(3)之间数据交换的通信网络(1)，具有家居局域网(5)、在各个家居设备(3)与局域网(5)之间的通信接口(6)、在车辆(2)和配属于车辆(2)的应用(9)之间的至少一个通信连接(14)、用于使应用(9)与家居局域网(5)连接的转接功能，该转接功能设计用于所述应用(9)与各个家居设备(3)之间的数据交换。本发明的通信网络(1)的特点是，通过至少一个关联表(12)将车辆(2)的状态信号或家居设备(3)的状态信号与家居设备(3)的功能或车辆功能对应关联。
通信网络

[发明专利]照明单元和车辆-CN202080044369.6在审
发明人： S·鲍尔;D·贝茨;D·富尔曼;S·舒勒 -专利权人：戴姆勒股份公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： B60Q3/252 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于车辆(3)的内舱的照明单元(2)，该照明单元(2)具有至少一个光源(5)。根据本发明，‑所述至少一个光源(5)被集成到遮阳板(1)的在该遮阳板(1)的非使用位置朝向乘员(6)的表面侧，其中，‑所述至少一个光源(5)在启用状态下所发出的光朝向乘员(6)，并且‑设有用于覆盖该光源(5)的出光面(L)的覆盖元件(4)。
照明单元车辆

[发明专利]单片的变质的多结太阳能电池-CN202110781830.2在审
发明人： M·莫伊泽尔;D·富尔曼 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：一种单片的变质的多结太阳能电池，其包括第一III‑V族子电池和第二III‑V族子电池和第三III‑V族子电池和第四Ge子电池，其中，所述子电池以所说明的顺序彼此上下堆叠，并且所述第一子电池构造最上方的子电池，并且在所述第三子电池与所述第四子电池之间构造有变质缓冲层，并且所有子电池都分别具有n掺杂的发射极层和p掺杂的基极层，并且在所述第二子电池中发射极掺杂大于基极层。
单片变质太阳能电池

[发明专利]堆叠状的单片的多结太阳能电池-CN202110775969.6在审
发明人： D·富尔曼;R·范莱斯特;G·凯勒;M·莫伊泽尔 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明涉及一种堆叠状的单片的多结太阳能电池，所述多结太阳能电池具有第一子电池，所述第一子电池具有p/n结，其具有发射极层和基极层，其中，所述发射极层的厚度至多为基极层的厚度的五分之一，所述第一子电池包括具有来自III族和V族的半导体材料的衬底或包括来自IV族的衬底，所述多结太阳能电池此外具有布置在所述第一子电池上的第二子电池和布置在所述第二子电池上的第三子电池，其中，两个子电池分别具有发射极层和基极，其中，在所述子电池之间分别构造隧道二极管和背侧场层，在所述第二子电池和/或在所述第三子电池中，所述发射极层的厚度分别大于所述基极的厚度。
堆叠单片太阳能电池

[发明专利]垂直的高阻断的III-V族双极晶体管-CN202110755861.0在审
发明人： G·凯勒;C·瓦赫特;D·富尔曼 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：一种垂直的高阻断的III‑V族双极晶体管，具有发射极、基极和集电极，发射极具有第一导电类型的高掺杂的发射极半导体接通区域，其具有大于1·1018N/cm3的掺杂剂浓度和第一晶格常数，基极具有低掺杂的基极半导体区域，集电极具有第一导电类型的层状的低掺杂的集电极半导体区域，其具有大于10μm的层厚和第一晶格常数，集电极具有层状的高掺杂的集电极半导体接通区域，第一金属连接接通层与发射极连接，第二金属连接接通层与基极连接，第三金属连接接通层布置在集电极下方，发射极半导体接通区域、基极半导体区域和集电极半导体区域包括III‑V族材料。
垂直阻断 iii 双极晶体管

[发明专利]可扩展的电压源-CN202111000142.4在审
发明人： D·富尔曼;W·古特;V·科伦科 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：一种可扩展的电压源，具有：数量为N的相互串联连接的部分电压源，部分电压源构造为半导体二极管，每个半导体二极管具有p掺杂的吸收层和n吸收层；在每两个彼此相继的部分电压源之间构造有一个隧道二极管；部分电压源和隧道二极管单片地集成在一起并且共同构成具有上侧和下侧的第一堆叠；光在上侧处入射到堆叠，并且在堆叠上侧的照射面的尺寸基本上是所述堆叠在上侧处的面的尺寸；在300K的情况下，只要所述第一堆叠被具有特定波长的光子流照射，则第一堆叠具有大于3伏特的电源电压，在从所述堆叠的上侧向着堆叠下侧的光入射方向上，半导体二极管的p吸收层和n吸收层的总厚度从最上面的二极管向着最下面的二极管增加。
扩展电压

[发明专利]光电耦合器-CN201780010690.0有效
发明人： W·克斯特勒;D·富尔曼;W·古特;C·韦希特尔;C·佩珀 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2017-02-02 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H03K19/14 文献下载
摘要：一种光电耦合器(OPK)，其具有发送单元(S)和接收单元(EM)，所述发送单元与所述接收单元彼此电流隔离并且彼此光学耦合，并且集成在一个共同的壳体中。所述发送单元(S)具有至少一个第一发送二极管(SD1)和第二发送二极管(SD2)，所述第一发送二极管具有第一光波长(L1)，所述第二发送二极管具有第二光波长(L2)。所述接收单元(EM)的能量源(VQ)具有两个部分源(VQ1、VQ2)，其中，该第一部分源(VQ1)具有第一半导体二极管(D1)，该第二部分源(VQ2)具有第二半导体二极管(D2)，其中，该第一半导体二极管(D1)具有匹配于第一光波长(L1)的吸收边，该第二半导体二极管(D2)具有匹配于第二光波长(L2)的吸收边，使得该第一部分源(VQ1)在借助第一光波长(L1)照射时产生能量，该第二部分源(VQ2)在借助第二光波长(L2)照射时产生能量。两个部分源(VQ1，VQ2)构成共同的堆叠，并且相继布置的半导体二极管(D1、D2)通过隧道二极管串联连接。
光电耦合器

[发明专利]堆叠状的高阻断的InGaAs半导体功率二极管-CN202110294208.9在审
发明人： T·维尔茨科夫斯基;D·富尔曼 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：堆叠状的高阻断的III‑V族半导体功率二极管和制造方法，III‑V族半导体功率二极管具有高掺杂的第一半导体接通区、布置在第一半导体接通区下方的低掺杂的半导体漂移区、布置在半导体漂移区下方的高掺杂的第二半导体接通区和两个连接接通层，至少第一半导体接通区构造核心堆叠，核心堆叠沿侧面由电介质框架区域包围，核心堆叠的和电介质框架区域上侧或下侧彼此封闭或相对于彼此构造台阶，III‑V族半导体功率二极管的布置在第一半导体接通区下方的半导体区域分别由核心堆叠包括或构造载体区域，其中，载体区域布置在核心堆叠和框架区域下方，并与由电介质框架区域的下侧和核心堆叠的下侧形成的共同下侧材料锁合地连接。
堆叠阻断 ingaas 半导体功率二极管

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