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[发明专利]具有简化的光学器件、尤其是具有可变的光瞳位置的光扫描显微镜-CN201580031361.5有效
发明人： M.瓦尔德;B.贝姆;D.施韦特;T.安哈特 -专利权人：卡尔蔡司股份公司;卡尔蔡司显微镜有限责任公司
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G02B21/00 文献下载
摘要：光扫描显微镜通常包括用于产生与显微镜物镜的光瞳平面共轭的光瞳平面(PE‘)的扫描光学器件(35)和共轭的光瞳平面中的能够可变调节的光束偏转单元(30)，其中，在显微镜物镜与扫描光学器件之间具有中间图像(Zb1)并且光束在共轭的光瞳平面中准直。这些扫描光学器件是耗费且并不光学高效的，因为它们必须补偿不同的成像误差，如场曲和横向色差。此外，由于共轭的光瞳平面与扫描光学器件的距离较小，可供偏转单元使用的结构空间较小。本发明应能够使用更简单的扫描光学器件并且提供更大的结构空间。这通过以下方式实现，即扫描光学器件通过光束偏转单元将第二中间图像(Zb2)成像到第一中间图像中，其中，第二中间图像在空间上是弯曲的。偏转单元不再布置在光路的准直区段中，而是布置在光路的会聚区段中。扫描光学器件的光学性能和质量只需要与作为传统扫描物镜的目镜一致。非线性显微镜。
具有简化光学器件尤其是可变位置扫描显微镜

[发明专利]具有低畸变像差的显微镜-CN201580061544.1有效
发明人： D.施韦特;T.安胡特;M.沃尔德;B.贝姆;T.考夫霍尔德 -专利权人：卡尔蔡司显微镜有限责任公司;卡尔蔡司股份公司
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G02B21/00 文献下载
摘要：光扫描显微镜中的束偏转单元通常布置在与物镜光瞳共轭的平面中。产生共轭光瞳平面所需的扫描光学单元是复杂的，并且不是光高效的，因为扫描光学单元需要补偿不同的成像误差，比如场曲和横向色差。本发明解决的问题是，允许较高图像质量、较简单调整和较低光损失。该问题通过以下解决，光学系统包括凹面反射镜(36)，用于将第一束偏转单元(30A)的各点和第二束偏转单元(30B)的相应点成像至彼此，其中凹面反射镜(36)和第一束偏转单元(30A)和第二束偏转单元(30B)布置为使得照明束路径在凹面反射镜(36)处精确反射一次，并且在照明束路径在凹面反射镜处反射时由凹面反射镜(36)造成的第一畸变和由第一束偏转单元和第二束偏转单元(30A，30B)造成的图像的第二畸变至少部分彼此补偿。
具有畸变显微镜

[发明专利]用于在发射辐射的半导体器件中制造结构的光刻方法-CN201410401977.4有效
发明人： B.贝姆;S.霍伊布尔 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2014-08-15 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：用于在发射辐射的半导体器件中制造结构的光刻方法，具有步骤：提供半导体晶片，将第一光刻胶层涂布到半导体晶片上，提供具有掩膜元件的掩膜，将掩膜布置在第一位置处，曝光第一光刻胶层并且将掩膜成像在第一光刻胶层中，将掩膜布置在第二位置处，重新曝光第一光刻胶层并且将掩膜成像在第一光刻胶层中，或将第二光刻胶层涂布到第一光刻胶层上，将掩膜布置在第二位置处并且曝光第二光刻胶层并且将掩膜成像在第二光刻胶层中，构造结构化的光刻胶层并且借助结构化的光刻胶层来结构化半导体晶片，其中多个结构元件被构造在半导体晶片上，并且在结构元件之间的最大间隔比掩膜元件之间的最大间隔小，将半导体晶片分离成多个分别具有结构的半导体器件。
用于发射辐射半导体器件制造结构光刻方法

[发明专利]带有光学件的特殊成型的过渡区域的眼睛晶状体-CN201480051850.2有效
发明人： M.格拉克;B.贝姆;H-J.多布沙尔 -专利权人：卡尔蔡司医疗技术股份公司
申请日： 2014-08-04 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： G02B3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种眼睛晶状体(1)，其具有光学件(2)，所述光学件(2)具有第一光学表面(4)，其中，所述第一光学表面(4)被设计为带有节距地围绕眼睛晶状体(1)的主轴线(A)的绕组，并且在绕组的起点(7)与终点(8)之间构建有过渡区域(9)，所述过渡区域以起始边缘(10)和末端边缘(11)接合到绕组中，其中，起始边缘(10)从主轴线(A)向第一环周位置(13)延伸，并且末端边缘(11)从主轴线(A)向第二环周位置(14)延伸，并且其中，所述起始边缘(10)在垂直于主轴线(A)的平面(H)上的投影具有非直线的走向，和/或所述末端边缘(11)在垂直于主轴线(A)的平面(H)上的投影具有非直线的走向。
带有光学特殊成型过渡区域眼睛晶状体

[发明专利]支承衬底和用于制造半导体芯片的方法-CN201280009171.X有效
发明人： E.K.M.京特;A.普勒斯尔;H.祖尔;T.维特;M.肯普夫;J.邓内马克;B.贝姆;K.珀兹尔迈尔 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2012-02-07 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/761 文献下载
摘要：说明了一种用于半导体层序列的支承衬底（10），该支承衬底（10）具有第一主面（11）和与第一主面对置的第二主面（12）。在第一主面与第二主面之间构造有二极管结构（2），该二极管结构（2）使第一主面与第二主面至少针对电压的一个极性电绝缘。此外，说明了一种用于制造具有支承衬底的半导体芯片（3）的方法。
支承衬底用于制造半导体芯片方法

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