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[发明专利]用于质量回焊期间的堆叠裸片翘曲控制的方法和设备-CN202310200511.7在审
发明人：林庭仪;B·P·沃兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本申请涉及用于质量回焊期间的堆叠裸片翘曲控制的方法和设备。一种半导体装置组合件包含裸片堆叠、多个热固性区以及底部填充材料。所述裸片堆叠包含各自在上表面上具有多个导电互连元件的至少第一裸片和第二裸片。所述互连元件的一部分连接到在相关联裸片的所述上表面与下表面之间延伸的硅穿孔。所述多个热固性区各自包括从所述第二裸片的所述下表面延伸到所述第一裸片的所述上表面的热固性材料层，且彼此间隔开且为离散的。所述热固性区中的每一个延伸以填充所述第一裸片的多个邻近互连元件之间的区域。所述底部填充材料填充所述第一裸片的所述互连元件之间的剩余开放区域。
用于质量期间堆叠裸片翘曲控制方法设备

[发明专利]将半导体装置从带去除的设备、系统和方法-CN201811632431.4有效
发明人： J·E·明尼克;B·P·沃兹;B·K·施特雷特;J·M·戴德里安 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请案涉及一种将半导体装置从带去除的设备、系统和方法。所述设备或系统包含安放在带与粘合层之间的囊状物，所述粘合层经配置以选择性地将所述带连接到半导体装置。所述囊状物包含一或多个腔室，其可选择性地展开，以将所述囊状物和粘合层的一部分移动远离所述带，这可使得能够去除所述半导体装置。流体到所述腔室中的每一者中的流动可选择性地展开所述腔室。所述腔室可具有大体上圆形的上部轮廓或大体上尖形的上部轮廓。可加热所述腔室内的材料，以展开所述腔室。多个导管可准许流体流动到所述腔室中。可将所述导管插入到所述囊状物中。所述腔室可在展开之后塌缩，以使得能够将半导体装置从所述带去除。
半导体装置去除设备系统方法

[发明专利]具有表面安装裸片支撑结构的半导体装置组合件-CN201880033499.2有效
发明人： B·P·沃兹;B·L·麦克莱恩 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置组合件。所述组合件包含第一封装元件及安置于所述第一封装元件上方的第二封装元件。所述组合件进一步包含所述第一及第二封装元件之间的多个裸片支撑结构，其中所述多个裸片支撑结构中的每一者具有第一高度、表面安装到所述第一封装元件的下部分及与所述第二封装元件接触的上部分。所述组合件进一步包含所述第一及第二封装元件之间的多个互连件，其中所述多个互连件中的每一者包含具有第二高度的导电柱、导电垫及在所述导电柱与所述导电垫之间具有焊料接头厚度的接合材料。所述第一高度约等于所述焊料接头厚度及所述第二高度的总和。
具有表面安装支撑结构半导体装置组合

[发明专利]用于调整电介质接合线材料的尺寸的工艺以及相关膜、物品及组合件-CN202011474022.3有效
发明人： A·M·贝利斯;B·P·沃兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请案涉及用于调整电介质接合线材料的尺寸的工艺以及相关膜、物品及组合件。描述用于调整微电子组件堆叠中的电介质接合线材料的尺寸的工艺以及相关材料膜、物品及组合件。
用于调整电介质接合线材尺寸工艺以及相关物品组合

[发明专利]根据翘曲对微电子组件的特性化及任选分类及组装-CN202210629988.2在审
发明人：曾冠维;D·维尔马;游子贤;B·P·沃兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请案涉及根据翘曲对微电子组件的特性化及任选分类及组装。本申请案涉及一种处理微电子组件的方法，其包括：在无约束状态下测量经单切微电子组件的翘曲性质及程度中的至少一者的参数值；及响应于所述翘曲性质及程度中的至少一者的所述所测量参数值来对所述经单切微电子组件进行分类。所述经分类裸片可用于组合件中以最小化组件之间的接合线高度差异及所得开路。还公开用于实施所述方法的系统。
根据微电子组件特性任选分类组装

[发明专利]用于卷带式半导体拾取的凹穴结构及相关联系统及方法-CN202111238936.4在审
发明人： B·P·沃兹;刘晨举;盛瑞颖;邵培贤;曾冠维 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请案涉及用于卷带式半导体拾取的凹穴结构及相关联系统及方法。本文中公开一种经配置以可释放地保持一或多个半导体装置的载体带及相关联系统及方法。所述载体带包含最上表面及至少一个半导体装置凹穴。所述凹穴具有所述最上表面处的顶部边缘、纵向覆盖区、所述最上表面下方的底面及所述底面上的孔。网格结构经定位于所述装置凹穴内。所述网格结构可透气，从而允许空气在所述网格中的开放空间之间移动。柔性层经安置于所述网格结构之上，从而将所述凹穴划分成所述柔性层上方的第一部分及所述柔性层下方的第二部分。所述柔性层经配置以在空气通过所述孔从所述第二部分移除时至少部分变形到所述网格结构的所述开放空间中。
用于卷带式半导体拾取结构相关联系方法

[发明专利]凹入式半导体装置以及相关联系统和方法-CN202210446838.8在审
发明人： A·M·贝利斯;B·P·沃兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本公开涉及凹入式半导体装置以及相关联系统和方法。本文中公开在凹入式边缘具有镀敷结构的半导体装置、由所述半导体装置形成的半导体组合件以及相关联系统和方法。在一个实施例中，半导体组合件包含第一半导体装置和第二半导体装置。所述第一半导体装置可包含上表面和处于所述上表面上方的第一介电层，所述第二半导体装置可包含下表面和处于所述下表面上方的第二介电层，且所述第一和第二介电层可接合以耦合所述第一和第二半导体装置。所述第一和第二介电层可各自包含暴露所述相应上表面和下表面上的多个金属结构的多个向内延伸的凹部，且所述上表面凹部和金属结构可对应于所述下表面凹部和金属结构。所述金属结构可通过定位于所述凹部中的镀敷结构被电耦合。
凹入式半导体装置以及相关联系方法

[实用新型]一种半导体封装结构-CN202221330870.1有效
发明人： O·R·费伊;B·P·沃兹;A·M·贝利斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体封装结构。根据本实用新型的一实施例，一种半导体封装结构包含：半导体裸片堆叠，其包含多个半导体裸片；绝缘层，其位于相邻半导体裸片之间；耦合元件，其邻近所述多个半导体裸片的每一者的表面安置，所述多个半导体裸片经由所述耦合元件彼此电连接；以及边缘连接件，其位于所述半导体裸片堆叠的至少部分侧壁上，所述多个半导体裸片的每一者经由所述边缘连接件连接至公共信号。
一种半导体封装结构

[发明专利]用于半导体裸片组合件的囊封翘曲减少及相关联方法及系统-CN202210474510.7在审
发明人： B·P·沃兹;陈亮均 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开用于半导体裸片组合件的囊封翘曲减少及相关联方法及系统。在一个实施例中，一种半导体裸片组合件包含接口裸片、附接到所述接口裸片的表面的半导体裸片堆叠，其中所述半导体裸片堆叠具有距所述表面的第一高度。所述半导体裸片组合件还包含在所述表面之上且包围所述半导体裸片堆叠的囊封剂，其中所述囊封剂包含侧壁，所述侧壁具有从所述表面延伸到小于所述第一高度的第二高度的第一部分及从所述第二高速延伸到所述第一高度的第二部分。此外，所述第一部分具有第一纹理且所述第二部分具有不同于所述第一纹理的第二纹理。
用于半导体组合囊封翘曲减少相关方法系统

[发明专利]制造微电子装置的方法以及相关微电子装置、工具和设备-CN202210457775.6在审
发明人： A·M·贝利斯;B·P·沃兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种制造微电子装置的方法以及相关微电子装置、工具和设备，其包含微电子装置，所述微电子装置可具有侧表面，所述侧表面各自包含第一部分和第二部分。所述第一部分可具有从所述微电子装置的邻近表面延伸的高度不规则表面构形。所述第二部分可具有从所述第一部分延伸到所述微电子装置的对置表面的程度较轻的不平整表面。形成微电子装置的方法可包含：通过植入离子在所述一或多个微电子装置之间的过道中在晶片中产生位错；以及经由施加热、张力或其组合而响应于在所述位错附近的应力集中故障而使所述晶片分裂。还公开了相关封装和方法。
制造微电子装置方法以及相关工具设备

[发明专利]具有用于裸片堆叠互连的凹陷衬垫的半导体装置-CN202210391519.1在审
发明人：盛睿颖;A·M·贝利斯;B·P·沃兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本文公开了具有用于裸片堆叠互连的凹陷衬垫的半导体装置。在一些实施例中，半导体组合件包含具有多个半导体裸片的裸片堆叠。每一半导体裸片可包含具有绝缘材料的表面、形成于至少一个表面中的凹部，以及在所述凹部内的导电衬垫。所述半导体裸片可经由所述绝缘材料直接耦合到彼此。所述半导体组合件还可包含电耦合到所述半导体裸片中的每一个的互连结构。所述互连结构可包含连续地延伸穿过所述裸片堆叠中的所述半导体裸片中的每一个的单片通孔。所述互连结构还可包含从所述单片通孔延伸的多个突起。每一突起可定位在相应半导体裸片的所述凹部内，且可电耦合到所述凹部内的所述导电衬垫。
具有用于堆叠互连凹陷衬垫半导体装置

[发明专利]用于半导体装置组合件的半导体裸片边缘保护和相关联系统和方法-CN202210391904.6在审
发明人： B·P·沃兹;A·M·贝利斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本申请案涉及用于半导体装置组合件的半导体裸片边缘保护和相关联系统和方法。公开了具有受保护边缘的半导体裸片和用于产生所述半导体裸片的方法。此外，所公开方法提供在不使用切割技术的情况下使所述半导体裸片分离。在一个实施例中，在包含半导体裸片的衬底的前侧上形成沟槽。个别沟槽对应于所述衬底的划线，其中每一沟槽具有大于所述半导体裸片的最终厚度的深度。可在所述沟槽的侧壁上形成复合材料层以保护所述半导体裸片的边缘。所述复合材料层包含将所述半导体裸片屏蔽于电磁干扰的金属层。随后，可从后侧薄化所述衬底以从所述衬底单分个别半导体裸片。
用于半导体装置组合边缘保护相关联系方法

[发明专利]制造微电子装置的方法以及相关微电子装置、工具和设备-CN202210392197.2在审
发明人： B·P·沃兹;A·M·贝利斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本申请案涉及制造微电子装置的方法以及相关微电子装置、工具和设备。微电子装置可包含作用表面和侧表面。所述侧表面可包含具有反射表面的第一部分和具有非反射表面的第二部分。可通过在晶片上沿着所述微电子装置之间的过道将导电材料沉积在形成于所述晶片的材料中的沟槽中来形成所述反射表面。可加热所述导电材料。可在加热所述导电材料之后冷却所述晶片，从而使所述晶片沿着所述过道分裂且分离所述微电子装置。
制造微电子装置方法以及相关工具设备

[发明专利]用于从载体结构能量场辅助释放微电子装置的设备和方法-CN202110663856.7在审
发明人： A·M·贝利斯;B·P·沃兹;C·L·贝利斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请涉及用于从载体结构能量场辅助释放微电子装置的设备和方法。从载体结构向上拾取微电子装置，同时施加能量场以从所述载体结构排斥所述微电子装置，或拉动所述载体结构远离所述微电子装置。颗粒嵌入在粘附到所述微电子装置的材料中，并且所述能量场是磁场，所述颗粒响应于所述磁场以在所述微电子装置或所述载体结构上生成原动力。还公开了在减薄的装置晶片的切单之前从所述装置晶片去除载体晶片。
用于载体结构能量辅助释放微电子装置设备方法

[实用新型]一种半导体结构-CN202220390764.6有效
发明人： B·P·沃兹;盛睿颖;黄穗麒 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体结构。根据本实用新型的一实施例，一种半导体结构包含：半导体元件；第一电介质层；以及第二电介质层。第一电介质层设置在所述半导体元件的第一表面上。第二电介质层设置在所述第一电介质层上，其中所述第二电介质层的第一表面包括具有锥形内壁的沟槽。
一种半导体结构

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