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[发明专利]包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统-CN201710997020.4有效
发明人： K·杰纳基拉曼;A·B·马利克;H·K·波内坎蒂;M·斯里拉姆;A·T·迪莫斯;M·斯里尼瓦桑;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;D·R·杜波依斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统。本文描述一种用于在处理系统中处理基板的设备和方法，所述处理系统包含沉积腔室、处理腔室以及隔离区域，所述隔离区域将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。所述沉积腔室将膜沉积在基板上。所述处理腔室从所述沉积腔室接收所述基板，并且利用膜特性更改装置来更改沉积在所述沉积腔室中的所述膜。提供了根据以上实施例以及其他实施例的处理系统和方法。
包含沉积处理分开隔离区域系统

[发明专利]用于先进互连应用的超薄电介质扩散阻挡层与蚀刻终止层-CN201580068587.2有效
发明人： D·帕德希;陈一宏;K·陈;A·B·玛里克;A·T·迪莫斯;M·斯利尼瓦萨恩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在此所述的实施例一般涉及含硅与铝层的形成。在此所述的包法可包括：将基板定位在工艺腔室的处理区域中；输送工艺气体到该处理区域，该工艺气体包含含铝气体与含硅气体；活化反应物气体，该反应物气体包含含氮气体、含氢气体、或上述的组合物；输送该反应物气体到该工艺气体以产生沉积气体，该沉积气体将含硅与铝层沉积在该基板上；及净化该处理区域。可执行上述步骤一或更多次以沉积蚀刻终止层。
用于先进互连应用超薄电介质扩散阻挡蚀刻终止

[发明专利]氮化铝阻挡层-CN201680011676.8有效
发明人： D·帕德希;S·古格吉拉;A·T·迪莫斯;B·库玛;任河;P·达舍 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-02-10 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：描述一种在电介质层中形成特征的方法。通孔、沟槽或双镶嵌结构可以在沉积共形氮化铝层前存在于电介质层中。共形氮化铝层被配置成用作阻挡层以便防止跨阻挡层的扩散。形成氮化铝层的方法包括交替地暴露于两个前驱物处理(如ALD)以便实现高共形度。氮化铝阻挡层的高共形度使得厚度减小和后续的填隙金属层的有效导电率增大。
氮化阻挡

[发明专利]包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统-CN201510736705.4有效
发明人： K·杰纳基拉曼;A·B·马利克;H·K·波内坎蒂;M·斯里拉姆;A·T·迪莫斯;M·斯里尼瓦桑;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;D·R·杜波依斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文描述一种用于在处理系统中处理基板的设备和方法，所述处理系统包含沉积腔室、处理腔室以及隔离区域，所述隔离区域将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。所述沉积腔室将膜沉积在基板上。所述处理腔室从所述沉积腔室接收所述基板，并且利用膜特性更改装置来更改沉积在所述沉积腔室中的所述膜。提供了根据以上实施例以及其他实施例的处理系统和方法。
包含沉积处理分开隔离区域系统

[发明专利]通过气相化学暴露的低K介电质损伤修复-CN201380039886.4在审
发明人： K·陈;A·T·迪莫斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供了一种用于修复及降低半导体制造中所使用的低k介电层的介电常数的方法。在一个实施例中，一种修复损伤低k介电层的方法包括使多孔的低k介电层暴露于含乙烯基硅烷的化合物；及可选择地使该多孔的低k介电层暴露于紫外线(UV)固化工艺。
通过化学暴露介电质损伤修复

[发明专利]降低多孔低K膜的介电常数的方法-CN201380036771.X在审
发明人： K·陈;J·徐;K·S·伊姆;A·T·迪莫斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明的实施例一般是关于降低半导体制造中所使用的低k介电质薄膜的介电常数之方法。在一实施例中，一种用于降低低k的含硅介电质薄膜的介电常数(k)的方法包括使多孔的低k的含硅介电质薄膜暴露于氢氟酸溶液，接着使该低k的含硅介电质薄膜暴露于硅烷化作用剂。硅烷化作用剂与该多孔的低k介电质薄膜中的Si-OH官能基反应，以增加低k介电质薄膜中的碳浓度。
降低多孔介电常数方法

[发明专利]藉由紫外线辅助的光化学沉积而对等离子体损坏的低介电常数薄膜的介电恢复-CN201280027958.9无效
发明人： K·S·伊姆;T·诺瓦克;B·谢;A·T·迪莫斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-05-14 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供了用于修复损坏的低k膜的方法。低k膜的损坏发生在处理膜期间，诸如在蚀刻、灰化和平坦化期间。处理低k膜导致水储存在膜的孔隙中，并且处理低k膜进一步导致亲水性化合物在低k膜结构中形成。结合紫外线（UV）辐射与含碳化合物的修复工艺从孔隙移除水，并且所述修复工艺进一步从低k膜结构中移除亲水性化合物。
藉由紫外线辅助光化学沉积等离子体损坏介电常数薄膜恢复

[发明专利]用于恢复及封孔受损的低介电常数薄膜的紫外线辅助硅烷化-CN201280012115.1无效
发明人：谢波;A·T·迪莫斯;K·S·伊姆;T·诺瓦克;陈劲文 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-04-04 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供了用于修复受损的低介电常数薄膜的方法。对低介电常数薄膜的损坏发生在处理薄膜期间，诸如，在蚀刻、灰化及平坦化期间。对低介电常数薄膜的处理使水储存在薄膜的孔中且进一步使亲水性化合物形成在低介电常数薄膜结构中。结合紫外线（UV）辐射及硅烷化化合物的修复工艺自孔移除水且进一步自低介电常数薄膜结构移除亲水性化合物。
用于恢复受损介电常数薄膜紫外线辅助硅烷

[发明专利]用于高电容应用的氧化侧壁介电质的脉冲方法-CN201280006332.X无效
发明人： B·谢;A·T·迪莫斯;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯;S·巴录佳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-01-23 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供了用于制造存储单元的系统、方法和设备。本发明包括：在第一介电材料中形成特征，所述特征具有侧壁；在所述特征的侧壁上形成第一导电材料；将具有第二介电材料的层沉积至导电材料上；以及使第二介电材料接触氧化物质和紫外光，以氧化第二介电材料。本发明揭示了许多附加方面。
用于电容应用氧化侧壁介电质脉冲方法

[发明专利]原位低介电常数加盖以改良整合损坏抗性-CN201180057643.4无效
发明人： K·S·伊姆;J·徐;S·恩戈;A·T·迪莫斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种用于形成包括气隙的低k介电层的方法及装置。在一个实施例中，提供一种处理基板的方法。该方法包含：将基板安置在处理区域内；在存在等离子体的情况下，将有机硅化合物与氧化气体以及提供致孔剂的前驱物反应，以将包含硅、氧及碳的含致孔剂的低k介电层沉积在基板上；将包含硅、氧及碳的多孔介电加盖层沉积在含致孔剂的低k介电层上；以及紫外线(UV)固化含致孔剂的低k介电层及多孔介电加盖层，以经由多孔介电加盖层从含致孔剂的低k介电层中移除致孔剂的至少一部分，以将含致孔剂的低k介电层转化为具有气隙的多孔低k介电层。
原位介电常数加盖改良整合损坏抗性

[发明专利]用于在UV腔室中调节晶圆处理轮廓的方法及装置-CN201180056998.1无效
发明人： S·巴录佳;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯;A·T·迪莫斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L21/26 文献下载
摘要：提供用以提供遍布基板表面的均匀UV辐射照射轮廓的方法与装置。在一实施例中，一种基板处理工具包括：处理腔室，该处理腔室定义处理区域；基板支撑件，该基板支撑件用以支撑基板在该处理区域内；紫外线(UV)辐射源，该UV辐射源和该基板支撑件隔离，且该UV辐射源被配置成朝向设置在该基板支撑件上的该基板传输紫外线辐射；以及光透输窗口，该光透射窗口设置在该UV辐射源与该基板支撑件之间，该光透射窗口具有被涂覆在该光透射窗口上的光学膜层。在一示例中，该光学膜层在径向方向上具有非均匀厚度轮廓，其中该光学膜层在该光透射窗口的周边区域处的厚度比在该光学膜层的中心区域处的厚度相对更厚。
用于 uv 腔室中调节处理轮廓方法装置

[发明专利]用以降低超低k介电薄膜的黏着层厚度并提高抗破坏性的工艺-CN201180053880.3无效
发明人： M·查布拉;K·S·伊姆;A·T·迪莫斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供了一种改良的方法用于沉积超低介电常数薄膜堆栈。本发明实施例藉由降低超低介电薄膜堆栈中的氧化物黏着层厚度而将来自沉积超低介电常数薄膜堆栈的最初阶段的k(介电常数)影响最小化，因而将薄膜堆栈的厚度非均匀性降低至小于2%。所述改良的工艺以较低的沉积速率与较低的等离子体密度以及较高的总流速，在超低介电薄膜堆栈中沉积氧化物黏着层与块层，从而在薄膜沉积期间产生共沉积物质的较佳封装/排序，所述较佳封装/排序导致较高机械强度与较低孔隙率。
用以降低薄膜黏着厚度提高破坏性工艺

[发明专利]用于紫外线纳米固化腔室的石英喷洒器-CN201180044541.9有效
发明人： S·巴录佳;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯;A·T·迪莫斯;T·诺瓦克;J·周 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明的实施例通常提供用于控制处理腔室内的气流分布的装置及方法。在一个实施例中，处理工具包括：紫外线处理腔室，该紫外线处理腔室界定处理区域；基板支撑件；窗口，该窗口设置于UV辐射源与该基板支撑件之间；以及透明喷洒器，该透明喷洒器设置于该窗口与该基板支撑件间的处理区域内且该透明喷洒器具有介于上处理区域与下处理区域间的一或更多透明喷洒器通道。该处理工具还包括气体分配环，该气体分配环具有介于气体分配环内沟槽与该上处理区域间的一或更多气体分配环通道；及气体出口环，该气体出口环设置于该气体分配环的下方，该气体出口环具有介于该气体出口环内的气体出口环内沟槽与该下处理区域间的一或更多气体出口通道。
用于紫外线纳米固化石英喷洒

[发明专利]藉由等离子体增强化学气相沉积使用含有具有机官能基的硅的杂化前驱物所形成的超低介电材料-CN201180010481.9无效
发明人： K·S·伊姆;A·T·迪莫斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-02-16 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：提供一种在衬底上沉积低介电常数层的方法。在一个实施例中，所述方法包括将一种或更多种有机硅化合物引进腔室，其中所述一种或更多种有机硅化合物包含硅原子和成孔剂成分；在存在射频功率的情况下，使所述一种或更多种有机硅化合物反应而在腔室内的衬底上沉积低介电常数层；以及后处理低介电常数层，以从低介电常数层基本移除成孔剂成分。可选地，将惰性载气、氧化气体或惰性载气与氧化气体伴随所述一种或更多种有机硅化合物引进处理腔室。后处理工艺可以是紫外线辐射固化沉积材料。紫外线固化工艺可与热或电子束固化工艺同时或按顺序进行。所述低介电常数层具有良好的机械性质和预期的介电常数。
藉由等离子体增强化学沉积使用含有有机官能前驱形成超低介电材料

[发明专利]包括低k值电介质的微电子结构及控制所述结构内碳分布的方法-CN201180010539.X无效
发明人：谢波;A·T·迪莫斯;D·拉杰;S·恩戈;K·S·伊姆 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-02-03 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明的实施例关于形成微电子结构。对于下一代32纳米的技术节点，低k电介质材料需要呈现低于约2.6的电介质常数。本发明能利用此低k电介质材料来形成半导体装置，同时提供改善的整体微电子结构的弯曲与剪切强度整合性。
包括电介质微电子结构控制分布方法

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