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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]多层多功能间隔物堆叠-CN202210831084.8在审
发明人： A·C-H·魏;G·布歇 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开涉及多层多功能间隔物堆叠。提供用于形成具有多层间隔物结构的半导体器件的技术。在示例中，半导体器件包括在源极区和漏极区之间延伸的半导体区以及在半导体区上延伸的栅极层。由一个或多个介电层构成的间隔物结构沿着栅极结构的侧壁以及沿着源极区或漏极区的侧壁存在。该间隔物结构具有三个不同的部分：沿着栅极的侧壁的第一部分、沿着源极区或漏极区的侧壁的第二部分、以及连接在前两部分之间的第三部分。间隔物结构的第三部分具有多层配置，而第一和第二部分具有数量较少的材料层。
多层多功能间隔堆叠

[发明专利]用于改进通孔集成的自组装单分子层的应用-CN202111105612.3在审
发明人： G·布歇;S·维亚斯;A·S·乔扈里;A·C-H·魏;C·H·华莱士 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了用于通过应用自组装单分子层（SAM）来制造IC结构的方法。一种示例IC结构包括：在支撑结构之上提供的三个金属化层的堆叠，其中第一金属化层包括底部金属线，第三金属化层包括顶部金属线，并且第二金属化层包括耦合在底部金属线与顶部金属线之间的通孔，其中第一电介质材料包围通孔的侧壁。一个或多个SAM的应用导致了通孔的侧壁的至少一部分被内衬有第二电介质材料，使得第二电介质材料处于第一电介质材料与所述通孔的导电材料之间，其中第二电介质材料的介电常数高于第一电介质材料的介电常数并且低于大约6。
用于改进集成组装单分子层应用

[发明专利]预切割半导体结构的金属线的方法-CN201510516163.X有效
发明人： A·C-H·魏;G·布什;M·A·扎勒斯基 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了预切割金属线。具体地，本发明的实施例提供一种方法用于后段制程结构中牺牲金属线的切割。在金属Mx线上面形成牺牲Mx+1线。在该牺牲Mx+1线上方沉积和图案化线切口微影堆栈物并且形成切穴。该切穴用介电材料填充。以选择性蚀刻制程去除该牺牲Mx+1线，保护填充在该切穴中的电介质。接着在去除该牺牲Mx+1线的地方沉积金属来形成预切金属线。因此本发明的实施例提供预切金属线，并且不需要金属切割。通过避免金属切割的需要，也避免了与金属切割有关的风险。
切割金属线

[发明专利]自对准的后段工艺切口-CN201510514927.1有效
发明人： G·布什;A·C-H·魏;M·A·扎勒斯基 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了自对准的后段工艺切口。具体地，本发明的实施例提供一种方法用于在后段工艺结构中的自对准金属切口。牺牲Mx+1线形成在金属Mx线上方。间隔件形成在各个Mx+1牺牲线上。该间隔件之间的间隙是用来决定该Mx金属线的切口的位置和厚度。这确保该Mx金属线的切口不会超出互连该Mx和Mx+1层的通道。它也允许用于减少通道包围规则的限制，其能够增加电流密度。
对准后段工艺切口

[发明专利]二维自对准的晶体管接触-CN201510162184.6有效
发明人： A·C-H·魏;G·布赫;M·A·扎勒斯基;T·G·尼奥吉;J·E·史蒂芬斯;桂宗郁;J·曾 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及二维自对准的晶体管接触，其中，本发明的具体实施例提供改良型半导体结构及制造方法，其提供二维自对准的晶体管接触。使用的是两个各由不同材料构成的不同覆盖层。这两个覆盖层互为可选择性蚀刻。一覆盖层用于栅极覆盖，而另一覆盖层用于源极/漏极覆盖。选择性蚀刻程序使所需的栅极和源极/漏极敞开，而阻隔掩模则用于覆盖并非连接架构任何部分的元件。金属化线件(层件)经沉积而与敞开的元件接触，以在两者之间提供电连接性。
覆盖层自对准晶体管二维选择性蚀刻源极/漏极覆盖半导体结构敞开电连接性金属化线连接架构元件接触改良型沉积掩模阻隔制造

[发明专利]具有低电阻栅极结构的多鳍片鳍式场效晶体管-CN201510208212.3有效
发明人： G·布赫;A·C-H·魏 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的实施例提供具有低电阻栅极结构的多鳍片鳍式场效晶体管(finFET)。金属化线形成平行于栅极，且多个接点形成于鳍片上方，以连接该金属化线至该栅极。该金属化线提供减少的栅极电阻，使得能使用较少晶体管来提供输入‑输出(IO)功能，从而提供省下的空间而能够增加电路密度。
具有电阻栅极结构多鳍片鳍式场效晶体管

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