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[发明专利]N型双面电池及其制备方法-CN201610383582.5在审
发明人： 黄纪德;蒋方丹;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本申请公开了一种N型双面电池的制备方法，包括：S1：对N型硅片衬底的上下表面进行反应离子刻蚀，并去除损伤层，使得N型硅片衬底的上下表面形成凹坑绒面层；S2：在炉管中对N型硅片衬底的一面进行硼扩散形成P型层，作为N型双面电池的正面；S3：去除硼硅玻璃，并在N型双面电池的正面制作掩膜；S4：在炉管中对N型硅片衬底的另一面进行磷扩散小形成N+层，作为N型双面电池的背面；S5：去除边结、磷硅玻璃以及N型双面电池的正面制作的掩膜；S6：分别在N型双面电池的正面和所述N型双面电池的背面制作电极，获得N型双面电池。N型双面电池的制备方法提高了N型双面电池的光利用率和光电转换效率。本申请还公开了一种N型双面电池。
双面电池及其制备方法

[发明专利]一种太阳能电池硅片的清洗方法-CN201610380358.0在审
发明人：侯玥玥;金井升;黄纪德;蒋方丹;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池硅片的清洗方法，包括步骤：采用臭氧水溶液对硅片进行浸泡清洗，使硅片表面产生氧化层；采用氢氟酸溶液对硅片进行表面腐蚀处理；对硅片进行漂洗。本发明清洗方法先以臭氧水溶液对硅片进行浸泡清洗，能够有效地氧化硅片表面沾污的有机物污质，并氧化硅片表面形成氧化膜；然后通过氢氟酸溶液对硅片进行腐蚀清洗，去除表面的金属污质，并腐蚀掉表面的氧化膜，在腐蚀掉表面氧化膜的同时去除了表面污质，从而实现对硅片表面的清洗。本发明清洗方法中采用臭氧水溶液，臭氧水溶液与表面有机物污质反应产生CO₂和H₂O，对人体无危害性，且臭氧水溶液产生的废液对环境污染小，不需要进行特殊处理。
一种太阳能电池硅片清洗方法

[发明专利]一种硅片亲水性检测平台-CN201510867791.2在审
发明人： 黄纪德;金井升;蒋方丹;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： G01N13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片亲水性检测平台，包括：载片基板，所述载片基板的正面具有凹槽，所述凹槽用于承载待测硅片，所述凹槽的底面与所述载片基板的表面平行；刻度标尺，所述刻度标尺设置于所述载片基板上，沿着所述载片基板与所述凹槽的相交线设置，用于在硅片滴液后判断液滴扩散范围；水平基板，所述水平基板与所述载片基板的下端铰接，用于控制所述载片基板与所述水平基板的表面的角度。所述硅片亲水性检测平台使用载片基板承载硅片，测试稳定，倾斜角度可控，同时使用刻度标尺检测液滴亲水性效果，结果准确，判断方便。
一种硅片亲水性检测平台

[实用新型]一种不等间距舟片的石墨舟-CN201520088896.3有效
发明人： 黄纪德;蒋方丹;金浩;陈康平 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种不等间距舟片的石墨舟，包括若干石墨舟片，所述石墨舟片上设有若干装载硅片的凹槽，所述石墨舟片之间由陶瓷杆相连接，所述陶瓷杆上石墨舟片之间设有不同长度的陶瓷套，所述不同长度的陶瓷套使石墨舟片之间形成不同的间距。本实用新型通过调整石墨舟片之间的间距，提升太阳能电池镀膜均匀性，且与传统太阳能电池生产线兼容，适合于大规模生产。
一种不等间距石墨

[实用新型]用于双面镀膜的石墨舟片及石墨舟-CN201420625377.1有效
发明人： 黄纪德;蒋方丹;金井升;金浩;陈康平 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2014-10-27 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于双面镀膜的石墨舟片，所述石墨舟片设置有镂空硅片位；所述镂空硅片位边缘设置有硅片卡件。本实用新型还提供了一种用于双模镀膜的石墨舟，包括多片上述技术方案所述的石墨舟片。本实用新型提供的石墨舟包括的石墨片上设置有镂空的硅片位，通过镂空硅片位边缘设置的硅片卡件将待镀膜的硅片卡在硅片位上，从而在镀膜时实现硅片的双面镀膜。而且，本实用新型提供的石墨舟与传统的太阳能电池生产线兼容，适合大规模工业生产。
用于双面镀膜石墨

[发明专利]用于双面镀膜的石墨舟片及石墨舟-CN201410582768.4在审
发明人： 黄纪德;蒋方丹;金井升;金浩;陈康平 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2014-10-27 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于双面镀膜的石墨舟片，所述石墨舟片设置有镂空硅片位；所述镂空硅片位边缘设置有硅片卡件。本发明还提供了一种用于双模镀膜的石墨舟，包括多片上述技术方案所述的石墨舟片。本发明提供的石墨舟包括的石墨片上设置有镂空的硅片位，通过镂空硅片位边缘设置的硅片卡件将待镀膜的硅片卡在硅片位上，从而在镀膜时实现硅片的双面镀膜。而且，本发明提供的石墨舟与传统的太阳能电池生产线兼容，适合大规模工业生产。
用于双面镀膜石墨

[发明专利]一种太阳能电池钝化膜的制作方法-CN201410448332.6无效
发明人： 黄纪德;蒋方丹;金浩;陈康平 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池钝化膜的制作方法，(1)将P型多晶硅片完成酸制绒、磷扩散、刻蚀清洗工序后采用臭氧对硅片表面进行氧化钝化，生成一层二氧化硅薄层，所述臭氧浓度为10～40mg/L，流量为2～10slm，反应时间为2～10分钟；(2)将氧化钝化后的硅片送入镀膜设备中，在二氧化硅薄层表面沉积一层均匀的氮化硅薄层。本发明可有效提升短路电流和开路电压，电池效率将有0.1%左右的提升，同时成本低廉，且该技术与传统镀膜工艺兼容，适合于大批量生产。
一种太阳能电池钝化制作方法

[发明专利]一种太阳能电池片抗PID效应能力的检测装置及检测方法-CN201310187374.4有效
发明人：蒋方丹;黄纪德;郭长春;金浩;陈康平 -专利权人：晶科能源有限公司
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H02S50/10 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种太阳能电池片抗PID效应能力的检测装置和检测方法，其中所述检测装置包括：静电发生器，所述静电发生器包括高压电源供应器和与所述高压电源供应器相连的离子棒；位于所述离子棒下方的金属托盘，从而可以只用该检测装置通过直接对太阳能电池片进行检测，来判断所述太阳能电池片是否具有抗PID效应的能力，从而无需待所述太阳能电池片制作成太阳能电池组件，即可判断所述太阳能电池片是否具有抗PID效应的能力，进而避免了太阳能电池组件的制作工艺和封装材料对于其PID效应的测试结果的影响，提高了太阳能电池片PID效应检测结果的准确性，而且节约了时间和成本，有利于太阳能电池片的工艺优化。
一种太阳能电池 pid 效应能力检测装置方法

[发明专利]一种太阳能电池的表面钝化方法-CN201410295070.4无效
发明人： 黄纪德;蒋方丹;金浩;郭俊华;陈康平 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池的表面钝化方法，在镀膜工序制作减反射膜层时，采用CO₂或CO₂与SiH₄作为反应气体，与太阳能电池硅片表面反应制作钝化膜层，然后在钝化膜层表面再镀一层氮化硅减反膜层；采用CO₂作为反应气体时，CO₂流量为500～15000sccm，射频功率为4000～8000W，时间为30～300s，钝化膜层的膜厚为5～20nm；采用CO₂与SiH₄作为反应气体时，CO₂与SiH₄的流量比例为1～45：1，射频功率为4000～8000W，时间为30～300s，钝化膜层的膜厚为5～20nm；本发明能有效提高太阳能电池的转换效率，节约生产成本，且与传统太阳能电池生产线兼容。
一种太阳能电池表面钝化方法

[发明专利]一种抗电势诱导衰减的太阳能电池片及其制作方法-CN201310092404.3在审
发明人： 黄纪德;蒋方丹;金浩;陈康平 -专利权人：晶科能源有限公司
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种抗电势诱导衰减的太阳能电池片及其制作方法，该方法包括：利用氧化性气体对硅片进行等离子体清洗，在所述硅片表面形成第一层氧化硅薄膜；在所述第一层氧化硅薄膜表面形成减反射膜，所述减反射膜至少包括一层氧化硅薄膜。由于氧化硅薄膜具有优越的电绝缘特性和减反射作用，因此，利用本发明实施例所提供的制作方法制作的太阳能电池片与封装材料以及玻璃基板等之间具有良好的电绝缘性，从而使得其相应的光伏组件具有抗电势诱导衰减效应，提高了所述光伏组件长期工作在高负压环境中的电性能。
一种电势诱导衰减太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种改善管式PECVD系统镀膜均匀性的方法-CN201410011375.8无效
发明人： 黄纪德 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2014-01-10 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善管式PECVD系统镀膜均匀性的方法，在镀膜工序制作减反射膜过程中采用分段式通入反应气体，所述分段的次数为2～10次。本发明通过改变在镀膜工序制作减反射膜过程中通入反应气体的进气方式，使太阳能电池表面成膜均匀，且与传统太阳能电池生产线兼容，适合于大规模生产。
一种改善 pecvd 系统镀膜均匀方法

[发明专利]一种太阳能电池减反射膜的制作方法-CN201310489233.8无效
发明人： 黄纪德;陈康平;金浩;蒋方丹 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池减反射膜的制作方法，具体步骤如下：（1）沉积氮化硅膜层：将完成酸制绒、磷扩散和刻蚀清洗的P型多晶硅片置于镀膜设备中，通入反应气体NH3和SiH4，在硅片表面沉积至少一层均匀的氮化硅膜层；所述SiH4和NH3气体标准状态下的流量比例为1∶1～40；（2）沉积二氧化硅膜层：然后在镀膜设备中通入反应气体为N2O和SiH4，在硅片表面沉积一层均匀的二氧化硅膜层，所述SiH4和N2O气体标准状态下的流量比例为1∶1～40。本发明通过减反射膜膜层的组合方式和优化减反射膜镀膜气体的配方，以提高增透强度、减少色差，从而提高转换效率，且与传统太阳能电池生产线兼容，适合于大规模生产。
一种太阳能电池减反射膜制作方法

[实用新型]一种镀膜设备-CN201220510671.9有效
发明人：金井升;黄纪德;许佳平;王单单;蒋方丹 -专利权人：上饶光电高科技有限公司
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种镀膜设备，在该设备中可形成氧化层和氮化层的叠层，且所述氧化层为低温氧化层，该设备包括：反应腔室；与该反应腔室相连的气体管路，该气体管路连接氧化性气体源，该气体管路为在常规镀膜设备上新增的气体管路。本实用新型实施例通过在镀膜设备中引入氧化性气体管路，可以在此种镀膜设备中形成氧化层和氮化层的叠层结构，进一步提高减反射膜的钝化作用，从而提高太阳能电池的转化效率；并且将氧化层和氮化层的制作过程集成在一个镀膜设备中，此种镀膜设备避免在叠层结构制作过程中增加额外设备成本，简化了制作工艺，方便投入大规模生产。
一种镀膜设备

[实用新型]一种背发射极太阳能电池-CN201220616938.2有效
发明人：金井升;许佳平;黄纪德;王单单;蒋方丹 -专利权人：上饶光电高科技有限公司
申请日： 2012-11-20 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种背发射极太阳能电池，包括半导体衬底、位于所述半导体衬底正面的减反射层、位于所述半导体衬底背面的钝化层；位于所述半导体衬底通孔内的导电电极，与所述导电电极电性相连的多个第一背接触电极和多个细栅；位于所述钝化层的开口内的多个第二背接触电极，所述第二背接触电极与所述第一背接触电极绝缘；位于所述半导体衬底背表面内且与该半导体衬底欧姆接触的局部背发射极，所述局部背发射极与所述钝化层的开口区域相对应，且与所述第二背接触电极电性相连。该太阳能电池的半导体衬底中形成导电电极，将正面细栅收集的电流导到电池背面，从而省略了主栅，减小了太阳能电池正面的遮光面积，有效提高了太阳能电池的效率。
一种发射极太阳能电池

[实用新型]一种丝网印刷胶条-CN201220555968.7有效
发明人： 黄纪德;金井升;王单单;许佳平;蒋方丹 -专利权人：上饶光电高科技有限公司
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： B41F15/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种丝网印刷胶条，所述胶条包括至少一个印刷部，所述胶条印刷部横截面的角度大于45°且小于90°，同时还公开了一种丝网印刷装置，包括印刷夹具、胶条、印刷网版和工作台，所述胶条为印刷部横截面的角度大于45°且小于90°的丝网印刷胶条，所述胶条的印刷面与所述印刷网版的印刷面间的角度大于45°且小于90°。本实用新型改变了胶条横截面形状，使得印刷部的角度减小，无需调节夹具的倾斜度，就可以达到增大胶条印刷面与丝网印刷面之间的夹角的目的，从而减小胶条对浆料的压力，节省了浆料的使用量，同时减小胶条对印刷网版的压力，使胶条对印刷网版的损伤减小，相对于现有技术，增加了印刷网版的使用寿命。
一种丝网印刷