[发明专利]一种太阳能电池的表面钝化方法

摘要

本发明公开了一种太阳能电池的表面钝化方法，在镀膜工序制作减反射膜层时，采用CO₂或CO₂与SiH₄作为反应气体，与太阳能电池硅片表面反应制作钝化膜层，然后在钝化膜层表面再镀一层氮化硅减反膜层；采用CO₂作为反应气体时，CO₂流量为500～15000sccm，射频功率为4000～8000W，时间为30～300s，钝化膜层的膜厚为5～20nm；采用CO₂与SiH₄作为反应气体时，CO₂与SiH₄的流量比例为1～45：1，射频功率为4000～8000W，时间为30～300s，钝化膜层的膜厚为5～20nm；本发明能有效提高太阳能电池的转换效率，节约生产成本，且与传统太阳能电池生产线兼容。

主权项

一种太阳能电池的表面钝化方法，其特征在于：在镀膜工序制作减反射膜层时，采用CO₂或CO₂与SiH₄作为反应气体，与太阳能电池硅片（1）表面反应制作钝化膜层（2），然后在钝化膜层（2）表面再镀一层氮化硅减反膜层（3）；采用CO₂作为反应气体时的具体步骤如下：1）将P型多晶硅片（1）完成酸制绒、磷扩散、刻蚀清洗工序后置于镀膜机台中；2）在镀膜设备中通入反应气体CO₂，在硅片（1）表面生成一层钝化膜层（2），所述CO₂流量为500～15000sccm，射频功率为4000～8000W，时间为30～300s，所述钝化膜层的膜厚为5～20nm，折射率为2.0～2.1；3）钝化膜层（2）制作完成后，在镀膜设备中通入反应气体NH₃和SiH₄，在钝化膜层（2）表面沉积一层均匀的氮化硅膜层，所述NH₃与SiH₄的流量比例为1～45：1，所述氮化硅减反膜层的膜厚为10～100nm，折射率为1.8～2.5；采用CO₂与SiH₄作为反应气体时的具体步骤如下：1）将P型多晶硅片（1）完成酸制绒、磷扩散、刻蚀清洗工序后置于镀膜机台中；2）在镀膜设备中通入反应气体CO₂与SiH₄，在硅片（1）表面生成一层钝化膜层（2），所述CO₂与SiH₄的流量为比例为1～45：1，射频功率为4000～8000W，时间为30～300s，所述钝化膜层的膜厚为5～20nm，折射率为2.0～2.1；3）钝化膜层（2）制作完成后，在镀膜设备中通入反应气体NH₃和SiH₄，在钝化膜层（2）表面沉积一层均匀的氮化硅膜层，所述NH₃与SiH₄的流量比例为1～45：1，所述氮化硅减反膜层的膜厚为10～100nm，折射率为1.8～2.5。