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[发明专利]一种高维持电压的低触发双向可控硅静电防护器件-CN201810249187.7有效
发明人：汪洋;关健;骆生辉;董鹏;金湘亮 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高维持电压的低触发双向可控硅静电防护器件，包括P型衬底，P型衬底内设有N深阱；N型深阱内设有第一P阱和第二P阱；第一P阱内设有第一P+注入区、第二P+注入区、第一N+注入区；第二P阱内设有第二N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区；所述第二P+注入区、第一N+注入区连接在一起并作为器件的阳极；所述第二N+注入区、第三P+注入区连接在一起并作为器件的阴极。本发明具有双向泄放静电的能力，可同时用于信号电平低于地和高于地的集成电路输入输出引脚的静电防护，在不增加额外面积和降低器件导通能力的前提下，保证器件具有低触发电压的同时还具有较高的维持电压，从而使得器件具有优良的ESD窗口。
一种维持电压触发双向可控硅静电防护器件

[发明专利]低导通电阻高鲁棒性双向可控硅静电防护器件及制作方法-CN202210873373.4在审
发明人：董鹏;关文杰;汪洋;李幸;骆生辉 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种低导通电阻高鲁棒性双向可控硅静电防护器件及制作方法，包括P型衬底、N型埋层、P型阱、P型浅阱等；第二N+注入区与第三N+注入区通过导线直接相连，且在第二N+注入区与第三N+注入区的正下方设有浓度较高的P型浅阱PB，该设计能够对降低器件的正反向导通电阻以及触发电压起重要作用；第一P+注入区、第一N+注入区连接在一起并作为器件的阳极，第二P+注入区、第四N+注入区连接在一起并作为器件的阴极，如此，该器件能够在明显地降低器件导通电阻的情况下，有效地保护芯片的核心电路，远离闩锁的风险。该器件能够应用于‑5.5～5.5V工作电压的I/O端口的ESD防护。
通电阻高鲁棒性双向可控硅静电防护器件制作方法

[发明专利]一种高维持电压NPNPN型双向可控硅静电防护器件-CN201810578321.8有效
发明人：汪洋;骆生辉;陈锡均;金湘亮;董鹏 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高维持电压NPNPN型双向可控硅静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底中设有N型埋层；N型埋层上设有第一N型深阱、高压N阱、第二N型深阱；高压N阱上设有第一N阱、第一P阱、第二N阱、第二P阱、第三N阱、第三P阱和第四N阱；第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区；第三P阱内设有第三N+注入区、第四N+注入区、第二P+注入区。本发明在两个N阱之间加入一个P阱，P阱的厚度刚好与左右两边的N阱耗尽而形成具有一定电阻的通路，能够使得双向SCR结构在雪崩击穿导通后具有一个较高的维持电压，有效的防止静电释放器件在导通后因维持电压低而锁住的问题。
一种维持电压 npnpn 双向可控硅静电防护器件

[发明专利]低触发电压高维持电压单向可控硅静电防护器件及方法-CN202211602676.9在审
发明人：董鹏;陶洪柯;骆生辉;李幸;黄昭;李忠 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低触发电压高维持电压的单向可控硅静电防护器件，利用了在阳极N阱的左侧增添PW/P+结构P+，并阳极相连；在阴极P阱的右侧增添一个NW/P+结构，P+注入与阳极N阱内的新嵌入的N+结构短接，并利用GGNMOS结构完成触发过程，在传统的单向可控硅静电防护器件的基础上多出了两条ESD电流泄放路径，可有效地抑制SCR泄放路径的正反馈效应；本发明的可控硅整流器静电释放器件具有高维持电压高失效电流低触发电压的特点，可在有效避免闩锁效应的同时实现高防护等级。
触发电压维持单向可控硅静电防护器件方法

[实用新型]一种高可靠性大电流运算放大器版图结构-CN202223111598.0有效
发明人：董鹏;潘轩;李幸;骆生辉 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高可靠性大电流运算放大器的版图结构，包含第一版图区域、第二版图区域、第三版图区域、第四版图区域，第五版图区域、第六版图区域、第七版图区域、第八版图区域、第九版图区域、第十版图区域、第十一版图区域、第十二版图区域，本实用新型提供了内部集成带隙基准源和ESD静电防护器件的大电流运算放大器的版图结构，在充分考虑电流运算放大器需要有较大的电流输出能力的同时具有较强的抗ESD能力的前提下，通过对版图的合理布局布线设计，更好地实现了电流运算放大器的电路功能，使设计的芯片的可靠性高、输出电流能力强、安全性高。
一种可靠性电流运算放大器版图结构

[发明专利]一种强鲁棒性非对称双向可控硅静电防护器件及制作方法-CN202211588593.9在审
发明人：董鹏;刘威;骆生辉;李幸;黄昭;李忠 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种强鲁棒性非对称双向可控硅静电防护器件及制作方法，包括P型衬底、N型深阱、N型阱、P型阱等；第一N阱与第二P+注入区，第二N阱与第五P+注入区，通过高掺杂P+注入与N阱雪崩击穿来降低器件触发电压；第一P+注入区、第三N+注入区二个电极连接在一起作为器件的阴极；第一N+注入区、第三P+注入区、第二N+注入区、第四P+注入区四个电极连接在一起作为器件的阳极；该器件在降低器件触发电压的情况下，利用不同的静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)泄放路径实现I/O端口双向防护，从而有效地保护传输正负电平的芯片I/O信号端口；该器件具有低触发电压，高失效电流的特点，能够应用于I/O端口的双向ESD防护。
一种强鲁棒性非对称双向可控硅静电防护器件制作方法

[发明专利]NMOS触发的高维持电压单向可控硅静电防护器件及其方法-CN202211585388.7在审
发明人：董鹏;陶洪柯;骆生辉;李幸;黄昭;李忠 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种NMOS触发的高维持电压单向可控硅静电防护器件及其制作方法，首先，本发明选用单向可控硅结构，利用了NMOS结构与二极管结构完成对器件的触发过程，在传统的单向可控硅静电防护器件的基础上多出了一条表面ESD电流泄放路径，可有效地抑制SCR泄放路径的正反馈效应，本发明的可控硅整流器静电释放器件具有高维持电压高失效电流的特点，可在有效避免闩锁效应的同时实现高防护等级，该器件能够应用于0～5.5V工作电压的I/O端口的ESD防护。
nmos 触发维持电压单向可控硅静电防护器件及其方法

[发明专利]一种内嵌PMOS的双向可控硅静电防护器件及其制作方法-CN202211589424.7在审
发明人：董鹏;李爽;骆生辉;李幸;黄昭;李忠 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种内嵌PMOS的双向可控硅静电防护器件，包括P型衬底；衬底中设有N型埋层；N型埋层上方有N型深阱；N型深阱内设有第一P阱、第二P阱，以及第一N阱；利用跨接在第一N阱与第二P阱中多晶硅栅接阴极来引导电流，其中接阴极的多晶硅栅能产生垂直向上的电场力，促进载流子在P阱中的运动，从而减小导通电阻；第一N阱中的P+与第一P阱中的N+短接，使其在传统的双向可控硅静电防护器件的基础上增加一条ESD电流泄放路径，可有效地抑制SCR泄放路径的正反馈效应；本发明的可控硅整流器静电释放器件具有低触发电压及高的抗ESD能力的特点，可在有效避免闩锁效应的同时实现高防护等级。
一种 pmos 双向可控硅静电防护器件及其制作方法

[发明专利]一种增强型高鲁棒性可控硅静电防护器件及其制作方法-CN202211588672.X在审
发明人：董鹏;曾志文;骆生辉;李幸;黄昭;李忠 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种增强型高鲁棒性可控硅静电防护器件及其制作方法，包括P型衬底、两个N阱、和P阱；由于P阱和右侧N阱两侧的浓度较高，雪崩击穿容易发生在该区域，通过该设计引导雪崩电流，优化器件的放电路径；P型衬底上方两个N阱和一个P阱，左侧N阱第一N+注入区作为器件的阴极，第二P+注入区和P阱中的第三P+注入区电极连接在一起引导电流，第二N+注入区跨接在N阱和P阱上方，最右侧第三P+注入区作为器件的阳极。该器件在降低导通电阻和触发电压的情况下，增加不同的静电放电泄放路径提高维持电压和失效电流，有效保护核心电路，远离闩锁风险并提高芯片的ESD防护等级。
一种增强型高鲁棒性可控硅静电防护器件及其制作方法

[发明专利]GGNMOS静电防护器件及其制作方法-CN202110774823.X在审
发明人：董鹏;张玉叶;汪洋;金湘亮;李幸;骆生辉 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种GGNMOS静电防护器件及其制作方法，包括：P型衬底、N型埋层、第一N型深阱、第二N型深阱与第一P型阱；第一N型深阱、第二N型深阱上还设有第一N+注入区、第四N+注入区；第一P型阱上设有P型半导体衬底以及第一NMOS的栅区、源区以及漏区，其中，第一NMOS的漏区被加宽；第一N型深阱、第二N型深阱以及第一N+注入区、第四N+注入区与N型埋层构成N型隔离带；P型半导体衬底与第一NMOS的源区连接在一起并作为器件的阴极，第一NMOS的漏区与第一N型深阱、第二N型深阱上的第一N+注入区、第四N+注入区连接在一起并作为器件的阳极；第一NMOS的栅区位于第二N+与第三N+注入区之间；第一NMOS的栅区接第一PMOS和电容C以及反相器的耦合电路。
ggnmos 静电防护器件及其制作方法

[发明专利]高维持高失效双向可控硅静电防护器件及其制作方法-CN202110774824.4在审
发明人：董鹏;杨康帅;汪洋;金湘亮;李幸;骆生辉 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种高维持高失效双向可控硅静电防护器件及其制作方法，P型衬底、N型埋层、第一N型深阱、第二N型深阱和第三N型深阱；第二N型深阱的左侧设有第三P+注入区，右侧设有第四P+注入区；第二N型深阱左侧设有第一P阱，右侧设有第二P阱；第一P阱内设有第一P型漂移区和第二P型漂移区，第二P阱内设有第三P型漂移区和第四P型漂移区；第一P型漂移区内设有第一P+注入区，第二P型漂移区内设有第一N+注入区；第三P型漂移区内设有第二N+注入区，第四P型漂移区内设有第六P+注入区；第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区连接在一起作为器件的阳极，第二N+注入区、第五P+注入区、第六P+注入区连接在一起作为器件的阴极。
维持失效双向可控硅静电防护器件及其制作方法

[发明专利]低触发高维持电压的双向可控硅静电防护器件及制作方法-CN202110774825.9在审
发明人：董鹏;关文杰;汪洋;金湘亮;李幸;骆生辉 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种低触发高维持电压的双向可控硅静电防护器件及制作方法，包括P型衬底、N型埋层、N型阱；N型埋层左侧设有第一P阱，N型埋层右侧设有第二P阱；第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区和第一浮空P+注入区，第一P阱和第二P阱之间设有N型阱，N型阱中间位置设有中间N+注入区，同时，第一P型浅阱PB和第二P型浅阱PB分别设置横跨在第一P阱、N型阱和第二P阱中间位置；N型埋层的上方的左侧和右侧分别设有第一高压N阱和第二高压N阱；第一P+注入区、第一N+注入区连接在一起并作为器件的阳极，第二P+注入区、第二N+注入区连接在一起并作为器件的阴极，如此，该器件能够有效地保护芯片的核心电路，远离闩锁的风险。
触发维持电压双向可控硅静电防护器件制作方法

[发明专利]低压带栅单向可控硅静电防护器件及其制作方法-CN202110775154.8在审
发明人：汪洋;邓志勤;金湘亮;董鹏;李幸;骆生辉 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种低压带栅单向可控硅静电防护器件及其制备方法，包括：P型衬底；P型衬底中设有N型埋层、N型深阱区和P型深阱区；N型深阱包括第一N阱，P型深阱包括第二P阱，N型深阱和第一N阱不等宽，P型深阱和第二P阱不等宽；第一N阱上有第一N+注入、第二P+注入、第三N+注入；N型深阱上有第四P+注入；P型深阱上设有第二P阱；第五N+注入的左部在N型深阱上，右部在P型深阱上和第二P阱上；第六N+注入的左部在第二P阱上，右部在P型深阱上；P型深阱上有第七P+注入；多晶硅栅极在第二P阱上；P型深阱的两个电极和第二P阱上的一个栅极电极均连接在一起并作为器件的阴极，第一N阱里的两个电极均连接在一起作为器件的阳极。
低压单向可控硅静电防护器件及其制作方法

[发明专利]高维持低阻均匀导通双向可控硅静电防护器件及制作方法-CN202211324316.7在审
发明人：董鹏;余博;汪洋;李幸;骆生辉 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种高维持低阻均匀导通双向可控硅静电防护器件及制作方法，第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区与第三N+注入区通过导线直接相连作为器件的阳极，第二P+注入区、第四N+注入区、第五N+注入区与第六N+注入区通过导线直接相连并作为器件的阴极；第一浮空P+注入区设置于第一P阱内的第三N+注入区右侧，第四浮空P+注入区设置于第二P阱内的第四N+注入区左侧；所述第一P阱和第二P阱之间设有N型阱，N型阱中间位置设有浮空N+注入区，第二浮空P+注入区和第三浮空P+注入区分别设置横跨在第一P阱、N型阱和第二P阱中间位置，第二浮空P+注入区和浮空N+注入区之间设有第一栅极，第三浮空P+注入区和浮空N+注入区之间设有第二栅极。
维持均匀双向可控硅静电防护器件制作方法

[发明专利]带NMOS的栅控二极管单向可控硅静电防护器件及其制作方法-CN202210867324.X在审
发明人：董鹏;陶洪柯;汪洋;李幸;骆生辉 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种带NMOS的栅控二极管单向可控硅静电防护器件及其制作方法，本发明选用单向可控硅结构，利用了在跨接NW/PW的浮空P+区域的两端嵌入一个正向偏置、一个反向偏置的栅控二极管，两个栅控二极管的栅极通过金属连接线接到跨接的P+区，其中位于NW的反向偏置的栅控二极管D1的N+区域处于浮空状态，位于PW的正向偏置二极管D2的N+区域与P阱中嵌入NMOS管相连，在传统的单向可控硅静电防护器件的基础上多出了一条表面ESD电流泄放路径，可有效地抑制SCR泄放路径的正反馈效应；本发明的可控硅整流器静电释放器件具有高维持电压高失效电流的特点，可在有效避免闩锁效应的同时实现高防护等级。
nmos 二极管单向可控硅静电防护器件及其制作方法

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