专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种座舱盖操纵电动机构-CN202210579789.5有效
  • 来进勇;骆光照;袁宗儒;汪玉基;李志力 - 兰州万里航空机电有限责任公司;西北工业大学
  • 2022-05-25 - 2023-08-15 - E05F15/603
  • 本发明提供一种座舱盖操纵电动机构,包括:电动机(1)、逆止器、行星齿轮减速器(11)、轴组件(15)、三环少齿差减速器(16)、差动行星齿轮减速器(17)、手动离合器(21);所述电动机(1)的输出轴通过所述逆止器与行星齿轮减速器(11)中太阳轮连接,行星齿轮减速器(11)带动差动行星齿轮减速器(17)运动;差动行星齿轮减速器(17)上行星架上有外花键与三环少齿差减速器(16)输入轴端部内花键啮合,通过三环少齿差减速器(16)上三个内齿轮环板带动三环少齿差减速器(16)上的输出轴输出动力驱动座舱盖解锁‑打开/关闭‑上锁;差动行星齿轮减速器(17)上内齿轮外端有外齿轮与手动离合器(21)齿轮轴啮合。缩小了体积和重量。
  • 一种座舱操纵电动机构
  • [发明专利]三相两电平PMSM驱动逆变器单管开路故障的控制方法-CN202110975228.2有效
  • 骆光照;张泽良;刘鑫;鲁绪恺;李寅 - 西北工业大学
  • 2021-08-24 - 2023-06-30 - H02P6/08
  • 本发明涉及一种三相两电平PMSM驱动逆变器单管开路故障的容错控制方法,将由开路故障引起的电机转速和转矩波动减少90%以上。针对开路故障在各空间扇区对电压矢量的影响,提出了一种矢量作用时间再分配的策略,以在故障状态下最大程度地追踪健康状态下的参考电压矢量。由于单管开路故障发生后电流控制模式需要在故障状态与健康状态间周期性切换,为了保证故障后电流控制模式的准确切换,提出了一种使能机制。所提的使能机制基于一种新型的电流预测模型,根据所提预测模型与普通预测模型之间的残差来使能电流控制切换。不同于现有的基于冗余拓扑的容错控制方法,本发明无需增加硬件配置。
  • 三相电平pmsm驱动逆变器开路故障控制方法
  • [发明专利]PMSM驱动器开关开路故障电流的采样方法-CN202211179898.4在审
  • 骆光照;张泽良;刘春强;陈哲;李寅;刘鑫 - 西北工业大学;西北工业大学深圳研究院
  • 2023-02-21 - 2023-05-16 - G01R31/54
  • 本发明涉及一种PMSM驱动器开关开路故障电流的采样方法,实现了通过驱动器探测到功率开关开路后通过续流二极管导通的故障电流。首先,分析了功率开关开路故障后的等效电路,得到了故障后续流二极管导通的条件;之后,分析了可以实现上述导通条件的电压矢量,并指出在上述电压矢量作用时间的末尾,故障电流达到在当前开关周期的峰值;在矢量作用时间末尾的基础上,进一步考虑了模数转换电路要求的采样保持时间,确定了电流采样时机;最终以控制器中PWM计数器的计数值为参考,当计数值到达采样时机时触发电流采样。该方法拓展了驱动器的电流采样能力,使其可以探测到独属于开关开路故障的故障电流,从而为将这一类故障与其他开路故障区分打下基础。
  • pmsm驱动器开关开路故障电流采样方法
  • [发明专利]一种Cascode型器件内部寄生电容参数提取的方法-CN202210598903.9在审
  • 骆光照;罗斌;安泽舟;刘春强;鲁绪恺;王涛鸣;李寅 - 西北工业大学深圳研究院
  • 2022-05-30 - 2022-09-30 - G06F30/367
  • 本发明涉及一种Cascode型器件内部寄生电容参数提取的方法,提出了一种基于实验测量和2端口网络分析的混合物理行为建模法,测量出Cascode型GaN器件的输入电容Ciss,传输电容Crss和输出电容Coss。通过对不同电压等级下的测量数据进行拟合,得到Cascode型GaN器件的Ciss–VDS,Crss–VDS和Coss–VDS非线性压变特性曲线。从测量结果来看,这几个电容容值是随着电压的不同非线性变化的。第二步,根据测量拟合的3条非线性压变电容曲线和低压Si‑MOSFET的3个寄生电容的参数曲线,通过二端口网络分析法推导出取Cascode型GaN器件内部耗尽型的GaN的三个结电容的C–V模型。本发明获得了Cascode GaN的内部的高压耗尽型GaN的非线性电容参数及C‑V其特性曲线,为定量地分析振荡以及设计抑制电路提供参数依据。
  • 一种cascode器件内部寄生电容参数提取方法
  • [发明专利]高频等效电路、高频等效电路的建模方法及建模装置-CN202210326552.6在审
  • 骆光照;罗斌;鲁绪恺;刘春强;李四海 - 西北工业大学
  • 2022-03-30 - 2022-07-29 - G06F30/36
  • 本发明实施例公开了一种高频等效电路、高频等效电路的建模方法及建模装置。该电路包括:等效电阻、等效电容和漏极寄生电感串联,并与寄生电感、吸收电阻和吸收电容串联形成的吸收电路并联,然后串联上管导通等效电阻、功率回路寄生电感、直流链路等效串联电阻、电源、功率回路电阻以及分流电阻。通过本发明,解决了相关技术中Cascode型GaN器件在高开关频率下引起较大的振荡,从而导致严重的电压超调、额外的功率损耗、电磁干扰噪声,甚至器件击穿,降低系统的可靠性的问题,达到了定量化地抑制开关振荡的和匹配抑制振荡的参数、保证GaN器件安全可靠运行并充分发挥GaN功率器件的高频开关特性的技术效果。
  • 高频等效电路建模方法装置

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