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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]改善大面积镀膜均匀性的方法-CN200710005079.7无效
发明人：李沅民;马昕 -专利权人：北京行者多媒体科技有限公司
申请日： 2007-02-14 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善大面积镀膜均匀性的办法。在电容耦合式平行电极的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中，将大面积的激发电极进行虚拟的延伸或改变，以减少被引入的射频功率在边界反射和干涉而造成的激发电场的不均匀分布。这种方法简单易行，适用于任何形状的电极，且不需对PECVD系统作出重大改动。
改善大面积镀膜均匀方法

[发明专利]大批量生产薄膜的等离子箱-CN200710005089.0无效
发明人：李沅民;马昕 -专利权人：北京行者多媒体科技有限公司
申请日： 2007-02-14 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明公开了一个用于同时在许多个大面积基板上镀膜的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备和方法。多个基板被放置在由多个间隔平行、交错排列的激发电极和接地电极组成的长方形等离子箱中，所有相邻相反电极之间一致均匀地形成多个等离子体区域。所有等离子箱中大面积电极表面被用于在单一真空室PECVD系统中大量、相同、固定且成批的镀膜。
大批量生产薄膜等离子

[发明专利]透明导电氧化物的等离子体沉积方式-CN200710004965.8无效
发明人：李沅民;马昕 -专利权人：北京行者多媒体科技有限公司
申请日： 2007-02-14 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用等离子体沉积过程制作透明导电氧化物的方法。向等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中提供包含有氧和金属元素的源气体混合物，以辉光放电的方式激活镀膜的前期物质，从而形成金属氧化物薄膜。这种镀膜方式与制作基于氢化硅薄膜的PECVD过程非常相似，且可共用同一PECVD设备，十分有利于简化氢化硅薄膜光伏器件的生产过程，并降低其成本。
透明导电氧化物等离子体沉积方式

[发明专利]氢氩高稀释方法生产氢化硅薄膜-CN200710005081.4无效
发明人：李沅民;马昕 -专利权人：北京行者多媒体科技有限公司
申请日： 2007-02-14 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了PECVD过程中氢氩高稀释方法生产氢化硅薄膜的技术手段。用PECVD(等离子体增强化学气相沉积方法)生产感光度灵敏的氢化硅薄膜时，如在沉积过程中把大量的惰性气体(如氩气)与氢气一起导入含有硅烷的源气体混合物中，可使制成的薄膜有更佳的光电性能和稳定性。和单纯的氢稀释相比，氢气和氩气共同稀释的方法更有效，更适合大面积、高速率的基于氢化硅薄膜的太阳能电池的生产。
氢氩高稀释方法生产氢化薄膜

[发明专利]临界条件下生长纳米晶硅的方法-CN200710004979.X无效
发明人：李沅民;马昕 -专利权人：北京行者多媒体科技有限公司
申请日： 2007-02-14 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一个适用于太阳能电池的纳米晶硅的制作方法。在等离子体增强化学气相沉积过程中，一个或多个等离子体参数被周期性的调制，使得所形成的纳米晶硅的晶化程度不随薄膜厚度的增长而增加，且一直维持在非常接近于生长成非晶硅的状态。如此形成的非掺杂的i型纳米晶硅是制作p－i－n型光伏器件i层的最佳选择材料。
临界条件下生长纳米方法

[发明专利]玻璃基板的防反射层制作方法-CN200710004970.9无效
发明人：李沅民;马昕 -专利权人：北京行者多媒体科技有限公司
申请日： 2007-02-14 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： C03C17/02 文献下载
摘要：本发明公开了一个减弱薄膜光伏器件光反射的方法。将以玻璃为基板的光伏器件浸入含有玻璃珠粒的液体之中，使具有稀疏结构的玻璃物质沉积在基板外表，形成一个光折射系数介于空气和玻璃之间的膜层。这个简单易行的防辐射层制作方法特别适用于大面积，以玻璃为基板的光伏组件的生产。
玻璃反射层制作方法

[发明专利]薄膜太阳能电池的超白反射层-CN200710005091.8无效
发明人：李沅民;马昕 -专利权人：北京行者多媒体科技有限公司
申请日： 2007-02-14 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜太阳能电池的超白反射层。薄膜太阳能电池的反光背电极由一个足够厚的透明导电氧化物(TCO)薄膜和一个施加在其后的具有高度光反射性的超白反射层构成，使得弱吸收的长波光在TCO与超白反射层的界面被反射回太阳能电池的半导体吸收层，从而增强光捕获能力和光电转换效率。
薄膜太阳能电池反射层

[发明专利]多结薄膜光伏器件的制作-CN200710005088.6无效
发明人：李沅民;马昕 -专利权人：北京行者多媒体科技有限公司
申请日： 2007-02-14 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开一种多结薄膜光伏器件的制作方法。在基于硅薄膜的由多个p－i－n单元依序叠加形成的多结光伏器件中，一个复合层在至少一对相邻单元的n层和p层之间形成，从而消除n－p分界面的导电屏障并改善多结光伏器件的性能。复合层由含有带隙缩窄元素，如锗、锡、镓的重掺杂的n型和p型硅薄膜合金构成。厚度不大于6纳米的窄带隙复合层可以是非晶态的或是纳米晶态的。
薄膜器件制作

[发明专利]再次沉积的非晶硅薄膜-CN200710004978.5无效
发明人：李沅民;马昕 -专利权人：北京行者多媒体科技有限公司
申请日： 2007-02-14 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种新颖的非晶硅薄膜的形成方法。这个依赖于等离子体增强化学气相沉积过程的方法由两步组成，第一步是将硅材料沉积在平行双电极的负电极表面上；第二步是将基板放置在正电极上，利用直流辉光放电的氢等离子体蚀刻的非对称性将负极表面的硅材料转移到基板上。如此生成的非晶硅具有改善的光电子性能和稳定性，且便于在极大面积基板上形成均匀膜层。
再次沉积非晶硅薄膜

[发明专利]非晶硅光伏器件中的防反射膜-CN200710004971.3无效
发明人：李沅民;马昕 -专利权人：北京行者多媒体科技有限公司
申请日： 2007-02-14 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶硅光伏器件中的防反射膜的技术手段。在基于薄膜硅的光伏器件的前电极和第一p层之间嵌入一个金属氧化物薄膜，能够减少光学损耗，并能增强器件的光电转化效率。这样的有适当折射系数的防反射膜可以通过真空薄膜沉积法制作，包括溅射法和化学气相沉积法。
非晶硅光伏器件中的反射

[发明专利]作为非晶硅电池p层的透明导电聚合物-CN200710004982.1无效
发明人：李沅民;马昕 -专利权人：北京行者多媒体科技有限公司
申请日： 2007-02-14 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了p型聚合物薄膜在氢化非晶硅光伏器件中的应用。真空镀膜产生的10－30纳米厚的透明p型聚合物，可被用做p－i－n型非晶硅太阳能电池的p层，减少光吸收损失，从而提高其输出功率。
作为非晶硅电池透明导电聚合物

[发明专利]薄膜硅太阳能电池的背接触层-CN200710005086.7无效
发明人：李沅民;马昕 -专利权人：北京行者多媒体科技有限公司
申请日： 2007-02-14 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型薄膜硅太阳能电池的背接触层。尽管以银作为背接触层的小型太阳能电池可具有很高的效能，但银很难被可靠地用于生产基于薄膜硅的光伏器件，因为它的稳定性很差，并且会强化分流。为大幅度提高成品率和稳定性，在制作高性能的大面积、低成本的薄膜硅光伏模板时，背接触层可选用其它金属材料，如镍－钒合金、钯或白金等。它们的反射率高、电阻系数低、能较好地和氧化锌这样的透明导电氧化物(TCO)相兼容，并且稳定性很强。
薄膜太阳能电池接触

[发明专利]改进非晶硅太阳能电池稳定性的方法-CN200710004981.7无效
发明人：李沅民;马昕 -专利权人：北京行者多媒体科技有限公司
申请日： 2007-02-14 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进非晶硅太阳能电池稳定性的方法。在使用等离子体增强化学气相沉积法生成氢化非晶硅的过程中，基板的温度被保持在110℃之下，并采用高浓度的原子氢减少薄膜生长过程中形成的原子结构和电子缺陷密度。使用这种更接近室温下形成的非晶硅i层的太阳能电池，具有比通常在200℃左右沉积的光伏器件明显减小的光致衰退。
改进非晶硅太阳能电池稳定性方法

[发明专利]纳米晶硅的等离子体沉积方法-CN200710005080.X无效
发明人：李沅民;马昕 -专利权人：北京行者多媒体科技有限公司
申请日： 2007-02-14 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米晶硅的等离子体沉积方法。传统方法制作氢化纳米晶硅(nc－Si)薄膜是在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)过程中用氢气高度稀释硅烷。与此不同，本发明中使用惰性气体混合物高度稀释硅烷。惰性气体稀释法增强了薄膜沉积速率，使生长出的薄膜更均匀，消耗气体更少，薄膜的电子性能和微结构更良好，结晶度也更容易控制。这种制作氢化纳米晶硅的方法更适合于生产薄膜硅太阳能电池。
纳米等离子体沉积方法

[发明专利]半导体生产过程中废气的处理设备及方法-CN200710002563.4无效
发明人：李沅民;马昕 -专利权人：北京行者多媒体科技有限公司
申请日： 2007-01-29 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： B01D53/46 文献下载
摘要：本发明公开了一个新颖的使用燃煤炉处理硅烷的设备及方法，适用于半导体生产过程。在燃煤炉中穿孔的煤块被有规律地替换添加。被镀膜设备排出的废气进入煤的燃烧区域，含硅的材料这时候被热沉积在燃烧的煤的表面，或者和氧气反应生成二氧化硅而集聚在煤的表面。本发明的显著特点是在不可比拟的低成本下就能高效可靠地为真空镀膜系统处理废气。
半导体生产过程废气处理设备方法

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