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[发明专利]半导体发光器件及其制造方法-CN201910140687.1有效
发明人：金炅珉;金奉焕;韩定佑 -专利权人：世迈克琉明有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：半导体发光器件及其制造方法。公开了一种半导体发光器件，其包括：半导体发光器件芯片，该半导体发光器件芯片包括多个半导体层以及电连接到所述多个半导体层的电极，所述多个半导体层包括适于通过电子和空穴的复合产生紫外光的有源层；封装构件，该封装构件适于包围所述半导体发光器件芯片；以及外部基板，该外部基板包括底座以及电连接到所述半导体发光器件芯片的电极的导电层。所述导电层被布置在所述封装构件的内部并且适于反射所述紫外光，且所述导电层的一个表面由UV反射率小于90％的物质制成。外部基板的与封装构件的下表面接触的平坦区域部分比外部基板的与封装构件的下表面没有接触的平坦区域部分小。
半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]半导体发光器件及其制造方法-CN201910140688.6在审
发明人：金炅珉;金奉焕;韩定佑 -专利权人：世迈克琉明有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：半导体发光器件及其制造方法。公开了一种半导体发光器件，包括：半导体发光器件芯片，该半导体发光器件芯片包括多个半导体层以及电连接到所述多个半导体层的电极，所述多个半导体层包括适于通过电子和空穴的复合产生光的有源层；透镜形状的封装构件，该封装构件由对于波段范围为100nm至400nm的光而言具有至少90％的透射率的透光热塑性树脂制成，以包围所述半导体发光器件芯片；以及外部基板，该外部基板包括导电层，所述导电层电连接到所述半导体发光器件芯片的所述电极。以使除了所述封装构件的下表面的与所述外部基板接触的部分之外的所述封装构件的所有表面都暴露于外部的方式形成所述封装构件。
半导体发光器件封装构件半导体层外部基板芯片电极空穴热塑性树脂导电层电透镜形状导电层电连接透射率下表面波段透光源层制造包围复合暴露外部