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[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202210412049.2在审
发明人： 陈志濠;沈依如 -专利权人：嘉和半导体股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中半导体元件包含半导体叠层、绝缘结构、电极结构及保护层。绝缘结构设置于半导体叠层之上，且包含第一部分。第一部分包含第一开口，且第一开口暴露出绝缘结构的内侧壁。保护层设置于内侧壁与电极结构之间，且包含第二开口。其中，电极结构包含属材料。电极结构设置于第一开口中且接触保护层，并经由第二开口电性连接半导体叠层。绝缘结构包含第一材料，保护层包含第二材料，第二材料与金属材料之间的反应温度高于第一材料与金属材料之间的反应温度。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202210377055.9在审
发明人： 陈志濠;沈依如 -专利权人：嘉和半导体股份有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中半导体元件包含基板、半导体叠层、绝缘结构以及电极。半导体叠层设置于基板之上，且包含二维电子气区域。绝缘结构设置于半导体叠层之上，且包含第一绝缘层和第二绝缘层。第一绝缘层包含第一开口，第一开口暴露出第一绝缘层的第一内侧壁。第二绝缘层设置于第一绝缘层之上，且覆盖住第一绝缘层的第一内侧壁。第二绝缘层包含第二开口，位于第一开口内且暴露出第二绝缘层的第二内侧壁。第二绝缘层包含阶梯轮廓，且阶梯轮廓的梯缘重合第二内侧壁。电极设置于绝缘结构之上，且位于第二开口内。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管元件及其制造方法-CN201811610977.X有效
发明人： 陈志濠;温文莹 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管元件，包括基底、第一通道层、第二通道层、顶盖层、第一金属氮化物层、栅极、源极与漏极。第一通道层设置在基底上。第二通道层设置在第一通道层上。顶盖层设置在第二通道层上，且暴露出部分第二通道层。第一金属氮化物层设置在顶盖层上。栅极设置在第一金属氮化物层上。第一金属氮化物层的宽度大于或等于栅极的宽度。源极与漏极设置在栅极两侧的第二通道层上。
电子迁移率晶体管元件及其制造方法

[发明专利]发光元件及其制造方法及发光电路-CN202211208091.9在审
发明人： 陈志濠;傅乔;沈依如 -专利权人：嘉和半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件及其制造方法及发光电路，其中该发光元件包括：控制部，包括第一半导体叠层，具有二维电子气(two‑dimensional electrongas)于其中；发光部，包括第二半导体叠层；第一电极，电连接控制部及发光部；以及第二电极，电连接控制部及发光部；其中控制部与发光部之间是经由第一电极与第二电极以并联形式电连接。
发光元件及其制造方法电路

[发明专利]果实计数方法、装置、设备及存储介质-CN202210889927.X在审
发明人： 陈志濠;孙开琼 -专利权人：武汉轻工大学
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G06V20/68 文献下载
摘要：本发明属于图像计数技术领域，公开了一种果实计数方法、装置、设备及存储介质。该方法包括：获取第一果实图像；将所述第一果实图像输入到第一计数模型的VGG‑16网络中，进行多次卷积和池化，得到第一特征信息；对所述第一特征信息进行局部特征提取，得到若干个块局部特征信息；将所述若干个块局部特征信息根据所述第一特征信息进行转换以及交叉，得到若干对比度特征信息，并根据所述若干对比度特征以及所述第一特征信息，得到第二特征信息；将所述第二特征信息输入到所述第一计数模型的分类网络中，得到所述第一果实图像中的果实数量。通过上述方式，能够有效提高最终的果实计数精度。
果实计数方法装置设备存储介质

[实用新型]一种电子阅读器-CN202122317393.7有效
发明人：彭焕东;陈志濠 -专利权人：深圳晋鹏文化传媒有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本实用新型公开一种电子阅读器，包括外壳，外壳正面的顶部嵌设有显示屏，调节组件，调节组件设置在外壳的外侧，调节组件包括第一防护盖，第一防护盖铰接在外壳背面的一端，涉及电子阅读领域。包括在需要放置整体时，转动板与卡槽相互卡合，能够实现角度调节之后的固定，方便调整使用者观看显示屏屏幕的角度，背面设置有香水盒，整体在使用的过程中，背部的电路板发热能够增加香水盒内部香水蒸发，香水盒的一端设置有注液管，通过活塞能够开启和关闭注液孔，浮球位于香水盒中的液体空腔，通过浮球能够开启和关闭出液孔，在开启出液孔的过程中通过转动块和传动杆的配合使用，能够实现的闭合孔的同步开启和闭合。
一种电子阅读器

[实用新型]一种文化创意宣传用广告牌-CN202122317403.7有效
发明人：彭焕东;陈志濠 -专利权人：深圳晋鹏文化传媒有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G09F15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种文化创意宣传用广告牌，涉及广告宣传领域。包括宣传架、支撑腿、乘坐组件和托扶组件，宣传架的顶端固定连接有遮挡板；两个支撑腿分别固定连接在宣传架的两侧，且顶端和遮挡板底端的边侧固定连接；乘坐组件设置在两个支撑腿之间，且位于宣传架的底端，乘坐组件包括支撑板，支撑板的正面开设有四个嵌放槽，四个嵌放槽内转动穿插连接有承载板；四个托扶组件均设置在支撑板的正面，且分别对应四个嵌放槽。该实用新型，在宣传架的底端设置了乘坐组件，这样就方便等车的乘客能够进行休息，丰富了广告牌的功能性，且在乘坐组件处搭配有承托组件，通过承托组件对承载板进行托扶，使得承载组件使用时更加安全稳定。
一种文化创意宣传广告牌

[实用新型]一种主题文化创意作品展示平台-CN202122317416.4有效
发明人：彭焕东;陈志濠 -专利权人：深圳有推传媒有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： A47F5/025 文献下载
摘要：本实用新型公开一种主题文化创意作品展示平台，涉及展示平台领域。包括支撑台，所述支撑台的顶端安装有装置框，所述装置框的上方设置有放置台，所述支撑台的底部设置有移动轮，所述放置台的正面开设有嵌入槽，所述嵌入槽的内部安装有连接轴；展示板，所述展示板设置在放置台的正面，所述展示板的一端对称安装有两组转块，该实用新型通过设置的展示板、第一放置条和第二放置条，将需要展示的创意作品放在放置台的表面，展示板的表面通过第一放置条和第二放置条可以放置介绍作品的文字说明，提供人们观看，文字说明放置在展示板、第二放置条和第二放置条之间的缝隙中，通过夹块夹紧，方便拿取更换。
一种主题文化创意作品展示平台

[实用新型]基于区块链的文化产业大数据分布式装置-CN202122319505.2有效
发明人：彭焕东;陈志濠 -专利权人：深圳晋鹏文化传媒有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H02G3/04 文献下载
摘要：本实用新型公开基于区块链的文化产业大数据分布式装置，涉及数据布线领域。包括箱体、隔板、联动杆和定位机构，箱体的两侧均设置有活动门，箱体的背面固定连接有固定座，隔板固定连接于箱体的内部，联动杆套设于箱体的内部，定位机构设置于隔板的两端，定位机构包括定弧板、动弧板和橡胶垫，定弧板固定连接于隔板的顶端，动弧板设置于定弧板的上方，橡胶垫固定连接于定弧板的顶端与动弧板的底端，该实用新型利用箱体、活动门、安装槽、定位机构的设计，能够对网线进行有序排列，避免了没有专用的布线装置导致网线之间容易出现互相缠绕的现象发生，防止网线聚集过热而短路的现象发生。
基于区块文化产业数据分布式装置

[发明专利]功率半导体元件及其形成方法-CN202110890138.3在审
发明人： 陈志濠;敦俊儒;沈依如 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种功率半导体元件及其形成方法，其中该功率半导体元件包括：基板；位于基板上的叠层，其依序包括III‑V族半导体缓冲结构、III‑V族半导体沟道结构、和III‑V族半导体阻障结构；位于叠层上的第一电极，并与该叠层之间形成欧姆接触；位于叠层上的第二电极，并与该叠层之间形成萧特基接触；以及位于第二电极下的V族元素供应层，其覆盖III‑V族半导体阻障结构的部分表面。
功率半导体元件及其形成方法

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN202111149489.5在审
发明人：柯竣腾;陈昭兴;王佳琨;郭彦良;陈志濠;钟伟荣;王志铭;彭韦智;洪详竣;林予尧 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件及其制造方法。发光元件包含：半导体叠层，具有第一半导体层、第二半导体层以及活性层；孔部暴露区，位于半导体叠层内，暴露出第一半导体层；第一导电层对应孔部暴露区；第一绝缘层，位于半导体叠层与第一导电层之间，包含开口对应孔部暴露区，第一导电层通过开口与第一半导体层电连接；第一电极层，位于第一导电层上，包含连接电极层对应第一导电层，与第一半导体层电连接；接合层，位于第一电极层上，与连接电极层电连接；导电基板，半导体叠层位于接合层的一侧，导电基板位于接合层相对于半导体叠层的另一侧；暴露区域，位于发光元件的一边或角落，与半导体叠层不重叠；及打线垫，位于暴露区域上，电连接第二半导体层。
发光元件及其制造方法

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN201711089661.6有效
发明人：柯竣腾;陈昭兴;王佳琨;郭彦良;陈志濠;钟伟荣;王志铭;彭韦智;洪详竣;林予尧 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件及其制造方法。该发光元件包含：半导体叠层具有第一半导体层，第二半导体层以及活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间；环绕暴露区，位于半导体叠层的周围，暴露出第一半导体层的一表面；导电层，位于第二半导体层上，具有第一导电区延伸接触环绕暴露区内的表面；电极层，位于环绕暴露区上环绕半导体叠层并接触导电层，包含一电极垫与半导体叠层不重叠；外侧绝缘层，覆盖导电层的一部分及电极层，且包含一第一开口暴露导电层的另一部分；接合层，覆盖外侧绝缘层，并经由第一开口与导电层的另一部分电连接；以及一导电基板，其中半导体叠层位于接合层的一侧，导电基板位于接合层相对于半导体叠层的另一侧。
发光元件及其制造方法

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