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[实用新型]一种酒具分类放置架-CN202223054679.1有效
发明人： 陈奕鹏 -专利权人： 陈奕鹏
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： A47G23/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种酒具分类放置架，包括：底座(1)，以底座(1)的上平面为第一基准面，以第一基准面向着底座下平面方向凹陷形成多个第一容纳凹槽(2)；分层板(5)，以分层板(5)的上平面为第二基准面，以第二基准面向着分层板下平面方向凹陷形成多个第二容纳凹槽(7)；多根连接杆(3)，布设在底座(1)与分层板(5)四个脚的位置，用于固定连接分层板(5)与底座(1)。本实用新型可实现分层摆放，并可实现对放置酒具的定位，防止晃动，增加放置稳定性，并可方便携带，可以收集酒具上的滴水，并可利用活动隔板实现集水与下压底部酒具的目的，大大拓宽使用功能。
一种酒具分类放置

[发明专利]一种用于集成电路静电防护的新型低压双向可控硅结构-CN202211332088.8在审
发明人：董树荣;陈奕鹏;朱信宇;邓非凡;侯晓华 -专利权人：海宁波恩斯坦生物科技有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于集成电路静电防护的新型低压双向可控硅结构，包括衬底和形成于衬底上的器件区，器件区内沿其长度方向设置有N阱和P阱，N阱内沿衬底的长度方向依次设置有第一N+注入区、第一P+注入区和第二P+注入区，P阱内沿衬底的长度方向依次设置有第二N+注入区、第三N+注入区和第三P+注入区，第二P+注入区、第三N+注入区通过金属相连并接入电学阳极，第一P+注入区、第二N+注入区通过金属相连并接入电学阴极，第一N+注入区、第三P+注入区通过金属相连。
一种用于集成电路静电防护新型低压双向可控硅结构

[发明专利]一种可控硅器件-CN202211342900.5在审
发明人：董树荣;朱信宇;邓非凡;陈奕鹏;侯晓华 -专利权人：海宁波恩斯坦生物科技有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了集成电路领域的一种可控硅器件，包括衬底和形成于所述衬底上的器件区，所述器件区内设置有第一N阱区和第一P阱区；所述第一N阱区上设置有第一N+注入区、第一隔离槽和第一P+注入区；所述第一P阱区上设置有第二N+注入区、第二隔离槽和第二P+注入区；所述第一N+注入区、第一P+注入区通过金属相连并接入阳极；所述第二N+注入区、第二P+注入区通过金属相连并接入阴极；所述第一P阱区和第一N阱区在交界处设置有第三P+注入区；由所述第一N+注入区、第一N阱区、第三P+注入区、第一P阱区以及第二P+注入区构成反向P+/Nwell二极管；本发明提升了维持电压，保持了可控硅器件高鲁棒性的特点。
一种可控硅器件

[发明专利]一种新型可控硅-CN202211326440.7在审
发明人：董树荣;朱信宇;陈奕鹏;邓非凡;段强 -专利权人：海宁波恩斯坦生物科技有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型可控硅，包括衬底和器件区，器件区为由拓扑单元经过两次镜像翻转形成的对称的多叉指矩形结构，器件区包括第一P阱区、第二P阱区和第一N阱区以及第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区、第二P+注入区和第三N+注入区，并在各个注入区之间分别设置有四个隔离槽。拓扑结构的器件区可以使ESD电流更均匀泄放，有利于增强器件的鲁棒性。另一方面，通过在器件区中部设置第二P阱区和设置在第二P阱区上的第三N+注入区，配合拓扑结构增大了SCR路径的泄放效率，增加了电流泄放路径，可以降低器件的导通电阻；同时第四隔离槽的设置以及该结构尺寸对于该器件的特性有关键性影响，可以通过对该尺寸的调节方便的调整器件特性。
一种新型可控硅

[外观设计]酒具分类放置架-CN202230731944.1有效
发明人： 陈奕鹏 -专利权人： 陈奕鹏
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： 06-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：酒具分类放置架。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于放酒杯的酒架。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.设计1后视图与设计1主视图相同，省略设计1后视图;设计2后视图与设计2主视图相同，省略设计2后视图;设计3后视图与设计3主视图相同，省略设计3后视图;设计1右视图与设计1左视图相同，省略设计1右视图;设计2右视图与设计2左视图相同，省略设计2右视图;设计3右视图与设计3左视图相同，省略设计3右视图;本外观设计产品的底面为使用时不容易看到或看不到的部位，省略设计1仰视图;本外观设计产品的底面为使用时不容易看到或看不到的部位，省略设计2仰视图;本外观设计产品的底面为使用时不容易看到或看不到的部位，省略设计3仰视图。6.指定设计1为基本设计。
酒具分类放置

[发明专利]用于ESD防护的PWELL隔离的栅控二极管触发SCR器件-CN202211312469.X在审
发明人：董树荣;邓非凡;陈奕鹏;朱信宇;刘红梅 -专利权人：海宁波恩斯坦生物科技有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于ESD防护的PWELL隔离的栅控二极管触发SCR器件，包括：通过在常规SCR上增加P+注入区和第二N阱以及利用栅控二极管辅助触发，提出了一种具有小电压回滞幅度和强ESD鲁棒性的技术方案。一方面，该SCR器件具有栅控二极管的辅助触发路径，可降低器件的触发电压并增加电流泄放能力；另一方面，随着ESD应力的增强，该器件位于表面与衬底的SCR触发路径开启，有利于增强器件的ESD电流泄放能力，提高器件的ESD鲁棒性，且较长的基区宽度可提高器件的维持电压，有利于改善ESD保护器件存在的深回滞问题。
用于 esd 防护 pwell 隔离二极管触发 scr 器件

[发明专利]一种用于低压电路静电防护的可控硅器件-CN202210435477.7在审
发明人：董树荣;俞方俊;邓非凡;朱信宇;陈奕鹏 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于低压电路静电防护的可控硅器件，包括衬底以及设于衬底上的器件区，所述器件区包括N阱，所述N阱内设有注入区和第三N+注入区，所述第三N+注入区围绕所述注入区连续设置，所述第三N+注入区下方设有PESD注入层；所述注入区被分割为相邻的第一N+注入区、第一P+注入区，第二N+注入区，所述第一N+注入区、第二N+注入区、N阱、PESD注入层、第三N+注入区构成NPN三极管；所述第一P+注入区、N阱、PESD注入层、第三N+注入区形成PNPN可控硅路径；所述第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区通过金属导线接入电学阳极；所述第三N+注入区通过金属导线接入电学阴极。
一种用于低压电路静电防护可控硅器件

[发明专利]一种用于集成电路的可控硅静电防护器件-CN202210313795.6在审
发明人：董树荣;俞方俊;朱信宇;邓非凡;陈奕鹏 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于集成电路的可控硅静电防护器件，包括衬底以及设于衬底上的器件区，器件区包括相邻设置的N阱和P阱，N阱内设有第一N+注入区、第一P+注入区和第二P+注入区，P阱内设有第二N+注入区、第三N+注入区和第三P+注入区，器件区外还设有第一多晶硅和第二多晶硅，第一多晶硅与第一P+注入区、N阱、第二P+注入区构成PMOS管；第二多晶硅与第二N+注入区、P阱、第三N+注入区构成NMOS管；第一P+注入区、第一多晶硅、第二N+注入区通过金属导线相连并接入电学阳极；第二P+注入区、第二多晶硅、第三N+注入区通过金属导线相连并接入电学阴极；第一N+注入区与第三P+注入区通过金属导线相连。
一种用于集成电路可控硅静电防护器件

[发明专利]来源于帚枝霉属真菌的激发子蛋白及其编码基因在蔬菜生防上的应用-CN201910650289.4有效
发明人：杨扬;蔡吉苗;陈奕鹏;王宝;徐春华;李博勋;黄贵修 -专利权人：中国热带农业科学院环境与植物保护研究所
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C07K14/37 文献下载
摘要：本发明开了一种来源于帚枝霉属真菌的激发子蛋白在蔬菜生防上的应用。所述应用是在诱导植物产生抗病性或者提高植物的抗病性中的应用。该激发子蛋白是具有下述氨基酸残基序列之一的蛋白质：1)序列表中的SEQ ID的氨基酸残基序列；2)将序列表中的SEQ ID氨基酸残基序列经过一个或几个氨基酸残基的取代和/或缺失和/或添加且具有激发子蛋白功能的由SEQ ID衍生的蛋白质。实验证明，该蛋白激发子SbES可以明显提高植物抗性、提高植物抗病基因表达、引起植物活性氧爆发和胼胝质积累，为提高植物抗病性提供了新的途径，在农业生产上具有广阔的应用前景。
来源于帚枝霉属真菌激发蛋白及其编码基因蔬菜生防上应用

[发明专利]一种来源于内生帚枝霉属真菌的激发子蛋白及其编码基因-CN201910650031.4有效
发明人：黄贵修;杨扬;蔡吉苗;王宝;刘先宝;陈奕鹏;徐春华 -专利权人：中国热带农业科学院环境与植物保护研究所
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C07K14/37 文献下载
摘要：本发明公开了一种来源于内生帚枝霉属真菌Sarocladium brachiariae菌株的激发子蛋白及其编码基因。该激发子蛋白是具有下述氨基酸残基序列之一的蛋白质：1)序列表中的SEQ ID.1的氨基酸残基序列；2)将序列表中的SEQ ID.1氨基酸残基序列经过一个或几个氨基酸残基的取代和/或缺失和/或添加且具有激发子蛋白功能的由SEQ ID：1衍生的蛋白质。试验证明，该蛋白激发子SbES可以明显诱导植物提高抗性、提高植物抗病基因表达、引起植物活性氧爆发和胼胝质积累，为提高植物抗病性提供了新的途径，在农业生产上具有广阔的应用前景。
一种来源于内生帚枝霉属真菌激发蛋白及其编码基因

[发明专利]一种木薯细菌性萎蔫病羅病种茎消毒方法-CN201710674786.9有效
发明人：黄贵修;李超萍;时涛;蔡吉苗;李博勋;陈奕鹏;刘先宝;杨杨 -专利权人：中国热带农业科学院环境与植物保护研究所
申请日： 2017-08-09 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： A01C1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种木薯细菌性萎蔫病羅病种茎消毒方法，该方法包括将木薯种茎在质量百分浓度为0.4‑4％的甲醛溶液中浸泡20‑90分钟。本发明的方法简单易行，可有效地防止和减少通过种茎携带木薯细菌性萎蔫病菌，降低病害发病率和田间病情指数，是防治木薯细菌性萎蔫病理想的木薯种茎浸泡液及种茎浸泡处理方法。
一种木薯细菌性萎蔫病羅病种茎消毒方法

[实用新型]一种用于机械配件制造的夹紧装置-CN202020376565.0有效
发明人： 陈奕鹏 -专利权人： 陈奕鹏
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： B23Q3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于机械配件制造的夹紧装置，涉及机械制造辅助设备技术领域，包括固定箱，固定箱底部上表面安装液压缸，液压缸连接伸缩杆，伸缩杆末端连接滑轮，液压缸右侧固定安装滑轨，滑轮安装在滑轨内，滑轮与滑轨滑动连接，液压缸左侧安装固定座，固定座与滑轮顶部连接交叉升降杆，交叉升降杆顶部连接支撑板，旋转转动把手，转动把手带动丝杆转动，推动左右两侧夹板同时向内靠近，实现对机械配件的夹紧，当对机械配件的位置高度需要进行调节时，液压缸带动伸缩杆拉伸和收缩，伸缩杆推动滑轮在滑轨内水平左右移动，滑轮带动交叉升降杆推动支撑板上升和下将，实现对机械配件位置高度的调节，更加实用，提高机械配件生产效率。
一种用于机械配件制造夹紧装置

[发明专利]一株植物病原菌拮抗菌及其在防治植物病害中的应用-CN201710608022.X有效
发明人：黄贵修;陈奕鹏;李超萍;时涛;霍姗姗;刘先宝;蔡吉苗;杨杨;李博勋 -专利权人：中国热带农业科学院环境与植物保护研究所
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： C12N1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一株植物病原菌拮抗菌及其在防治植物病害中的应用。该植物病原菌拮抗菌为类芽孢杆菌(Paenibacillus sp.)CEB33 CGMCC No.12719。该植物病原菌拮抗菌类芽孢杆菌(Paenibacillus sp.)CEB33 CGMCC No.12719可以防治木薯细菌性枯萎病菌(Xanthomonas axonopodis pv.manihotis)、木薯棒孢霉叶斑病菌(Corynespora cassiicola)、木薯炭疽病菌(Colletotrichum gloeosporioides)和木薯疫霉根腐病菌(Phytophthora palmivora)引起的植物病害；特别是可以与木薯共生，在木薯体内稳定的生存并防治木薯细菌性枯萎病。
植物病原菌拮抗及其防治植物病害中的应用

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