“陈万娇”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于WO3-CN201711017958.1有效
发明人：张金风;刘俊;任泽阳;陈万娇;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于WO3/Al2O3双层栅介质的零栅源间距金刚石场效应晶体管及制作方法，主要解决现有金刚石场效应晶体管导通电阻大，输出电流和跨导低的问题。其包括金刚石衬底(1)、氢终端表面(2)、WO3第一栅介质层(3)、Al2O3第二栅介质层(4)、源电极(5)、漏电极(6)和栅电极(7)，其中源、漏极位于氢终端表面上的两侧，第一栅介质层位于源、漏极之间的氢终端表面上并覆盖部分源、漏极，第二栅介质层覆盖在第一栅介质层之上，其上方的栅电极下半部分镶嵌在源、漏极之间，上半部分隔着2层栅介质覆盖在源、漏极之上，形成T型栅结构。本发明导通电阻小，跨导和输出电流高，可用于功率器件和电力电子器件。
基于 wo base sub

[发明专利]基于Al2-CN201810914883.5在审
发明人：袁冠生;任泽阳;张金风;陈万娇;苏凯;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于Al2O3/SiNx双层栅介质的金刚石场效应晶体管及其制备方法，所述方法包括：选取金刚石衬底；在所述金刚石衬底的上表面生长氢终端吸附层；在所述氢终端吸附层的上表面生长源电极和漏电极；在所述源电极的上表面、所述漏电极的上表面以及所述源电极与所述漏电极之间的氢终端吸附层的上表面生长Al2O3材料，形成第一介质层；在所述第一介质层的上表面生长SiNx材料，形成第二介质层；在所述第二介质层的上表面生长栅电极。本发明采用Al2O3/SiNx双层结构作为栅介质，在薄层Al2O3介质上方沉积一层SiNx介质，能够减小栅极电容，改善器件的频率特性，同时还起到钝化作用，能够显著增强器件的稳定性。
基于 al base sub

[发明专利]基于MoO3/Al2O3双层栅介质的零栅源间距金刚石场效应晶体管及制作方法-CN201711012975.6在审
发明人：张金风;徐佳敏;任泽阳;陈万娇;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了MoO3/Al2O3双层栅介质的零栅源间距金刚石场效应晶体管及制作方法，主要解决现有技术导通电阻大，输出电流和跨导低，击穿特性差的问题。其包括金刚石衬底(1)、氢终端表面(2)、源漏电极(3)、栅介质(4)和栅电极(5)。源、漏电极(3)位于氢终端表面(2)的两侧。栅介质(4)位于源、漏电极之间的氢终端表面上并覆盖源、漏电极的部分表面，且采用MoO3/Al2O3双层结构。其上方的栅电极下半部分镶嵌在源、漏极之间，上半部分隔着栅介质覆盖在源、漏极之上，形成T型栅结构。该栅电极与源、漏极之间的间距都为零。本发明导通电阻小，饱和电流和跨导高，击穿特性好，可用于功率器件、电力电子器件等。
基于 moo3 al2o3 双层介质零栅源间距金刚石场效应晶体管制作方法

[发明专利]基于CaF2栅介质的零栅源间距金刚石场效应晶体管及制作方法-CN201711017957.7在审
发明人：张金风;王晨昱;任泽阳;陈万娇;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于CaF2栅介质层的零栅源间距金刚石场效应晶体管及制作方法，主要解决现有技术导通电阻较大，输出电流和跨导较低的问题。其包括金刚石衬底(1)、氢终端表面(2)、栅介质层(3)、源漏电极(4)和栅电极(5)。源、漏电极位于氢终端表面上的两侧。栅介质层位于源、漏电极之间的氢终端表面上并覆盖源、漏电极的部分表面，且栅介质层的上方设有栅电极，栅电极的下半部分镶嵌在源、漏电极之间，上半部分隔着栅介质覆盖在源、漏电极之上，形成T型栅结构，该栅极分别与源漏极之间的间距都为零；栅介质(3)采用CaF2材料。本发明具有导通电阻小，跨导高以及饱和电流大的优点，可用于功率器件和数字逻辑电路器件等。
基于 caf2 介质零栅源间距金刚石场效应晶体管制作方法

[发明专利]基于MoO3/Al2O3双层栅介质的金刚石场效应晶体管及制作方法-CN201710923085.4在审
发明人：张金风;陈万娇;任泽阳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MoO3/Al2O3双层栅介质的金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管，主要解决现有器件导通电阻大，输出电流和跨导小以及击穿电压低的问题。其自下而上包括金刚石衬底(1)、吸附层(2)和栅介质层(3)，栅介质层(3)的上面是栅电极(4)，栅介质层(3)的两侧设有源漏电极(5)，栅电极(4)和源漏电极(5)的表面覆盖有钝化层(6)，钝化层(6)与栅电极(4)和源漏电极(5)的键合处分别设有通孔(7)。其中栅介质层(3)采用MoO3/Al2O3双层结构，钝化层(6)采用MoO3材料，本发明降低了器件的导通电阻和串联电阻，提高了输出电流与跨导，且稳定性好，可作为小尺寸的微波功率器件。
基于 moo3 al2o3 双层介质金刚石场效应晶体管制作方法

[发明专利]V2O5/Al2O3双层栅介质的金刚石场效应晶体管及制作方法-CN201710923086.9在审
发明人：张金风;陈万娇;任泽阳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于V2O5/Al2O3双层栅介质的金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管，主要解决现有技术器件导通电阻大，输出电流和跨导小以及击穿电压低的问题。其自下而上包括金刚石衬底(1)、吸附层(2)和栅介质层(3)，该栅介质层(3)采用V2O5/Al2O3双层结构；栅介质层(3)的上面是栅电极(4)，栅介质层(3)的两侧设有源漏电极(5)，栅电极(4)和源漏电极(5)的表面覆盖有钝化层(6)；该钝化层(6)采用V2O5材料，其与栅电极(4)和源漏电极(5)的键合处分别设有通孔(7)。本发明具有导通电阻和串联电阻小，输出电流与跨导大，稳定性好的优点，可用于小尺寸的微波功率器件。
v2o5 al2o3 双层介质金刚石场效应晶体管制作方法