“抗反射材料层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4777546个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]蓝宝石薄膜涂布基材-CN201780061301.7有效
发明人：谢国伟;林永锐;陈余伟 -专利权人：浸大科研发展有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：一种抗反射涂层，其包括一含有蓝宝石或Al2O3的最顶抗反射材料层，一或多个中间抗反射材料层，一沉积在基材的顶部的最底抗反射材料层，其中，该最顶抗反射材料层、该一或多个中间抗反射材料层与该最底抗反射材料层的折射率相对于彼此是交替地较高与较低。位于一基材上的该抗反射涂层能够形成为高抗刮层。
蓝宝石薄膜基材

[发明专利]显示面板-CN202010407586.9有效
发明人：赵永超 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本申请提出了一种显示面板，该显示面板包括：阵列基板、以及位于阵列基板上的光学功能层和抗反射层，抗反射层的材料包括含硫材料。其中，抗反射层的折射率在抗反射层相邻的两膜层的折射率之间。本申请通过具有含硫材料的抗反射层的设置，使抗反射层的折射率在抗反射层相邻的两膜层的折射率之间，减少了显示面板对于外界光的反射，提升了显示面板的显示效果。
显示面板

[发明专利]一种降低半导体大马士革铜工艺中表面反射率的方法-CN200510029399.7有效
发明人：朱骏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2005-09-02 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种降低半导体大马士革铜工艺中表面反射率的方法，在半导体大马士革铜工艺中，完成对通孔介质层的填充材料的刻蚀后，在无机抗反射层和通孔填充材料上涂布有机抗反射层，使得无机抗反射层、通孔填充材料和有机抗反射层共同形成多层抗反射层，然后在有机抗反射层上涂布单层光敏感材料，进行光刻、金属导线槽刻蚀、去胶、清洗，完成大马士革的制造工艺。
一种降低半导体大马士革工艺表面反射率方法

[发明专利]利于填充的重新布线通孔锥形形貌的制作方法-CN201811396503.X有效
发明人：孙磊;刘玉征 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种利于填充的重新布线通孔锥形形貌的制作方法，包括：步骤S1，提供半导体器件，其表面形成金属层、蚀刻停止层、介质层，刻蚀介质层及部分蚀刻停止层并停在蚀刻停止层中；步骤S2，沉积抗反射材料并回刻；步骤S3，沉积光阻材料，显影打开工艺窗口；步骤S4，刻蚀光阻材料和抗反射材料；步骤S5，干法刻蚀介质层和抗反射材料，刻蚀后抗反射材料顶面高于蚀刻停止层顶面；步骤S6，去除剩余的抗反射材料；步骤S7，继续刻蚀蚀刻停止层并停至金属层中本发明将介质层开口做大形成锥形形貌时保留部分抗反射材料再去除抗反射材料、打开蚀刻停止层，从而保证蚀刻停止层底部不被破坏，减少铜侵蚀导致的晶圆可接受性测试中电阻值异常偏离的情况。
利于填充重新布线锥形形貌制作方法

[发明专利]一种半导体结构的图形形成方法-CN201710571872.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的图形形成方法，包括：提供基底，于基底上依次形成目标材料层、第一抗反射材料层、第二抗反射材料层及光刻胶层，图形化光刻胶层以形成预设图案，以具有预设图案的光刻胶层为掩膜，采用第一刻蚀气体对第二抗反射材料层进行刻蚀，第一刻蚀气体包括光刻胶刻蚀减缓气体，以使第二抗反射材料层与光刻胶层的刻蚀选择比大于3:1，以第二抗反射层为掩膜，采用第二刻蚀气体对第一抗反射材料层进行刻蚀，以第一抗反射层为掩膜对目标材料层进行刻蚀，以形成具有预设图案的目标层通过上述方案，本发明的半导体结构形成方法，可以减小光刻胶层的深宽比，有效减少发散程度，增加曝光精准度，防止光刻胶残留所造成的图案破坏的现象。
一种半导体结构图形形成方法

[发明专利]自对准双重图形的形成方法-CN201210312950.9在审
发明人：沈满华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：种自对准双重图形的形成方法，包括：提供待刻蚀材料层；在待刻蚀材料层表面形成可溶于显影液的底部抗反射层和光刻胶层；对底部抗反射层和光刻胶层同步进行曝光显影，形成图形化的牺牲底部抗反射层和牺牲光刻胶层；在所述待刻蚀材料层表面，牺牲底部抗反射层和牺牲光刻胶层的侧壁表面，牺牲光刻胶层表面形成第一掩膜材料层；对所述第一掩膜材料层进行回刻蚀，形成第一掩膜图形；去除所述牺牲底部抗反射层和牺牲光刻胶层。由于所述经曝光的底部抗反射层和光刻胶层同步溶于显影液，不需要利用牺牲光刻胶层为掩膜对所述底部抗反射层进行刻蚀，节省了一步刻蚀工艺，且所述第一掩膜图形的侧壁形貌较佳，使得最终形成的刻蚀图形的侧壁形貌较佳。
对准双重图形形成方法

[发明专利]半导体的自对准生成件及其方法-CN99108854.9无效
发明人： R·F·施纳贝尔;J·加姆比诺;鲁志江 -专利权人：西门子公司;国际商业机器公司
申请日： 1999-06-25 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：形成半导体器件的自对准特制件的方法包括：提供在其表面上包含反射材料的第一层和依次形成的第二层及光致抗蚀剂层；提供穿过光致抗蚀剂层和第二层并从反射材料反射回到光致抗蚀剂层的辐射，增加了反射材料上方光致抗蚀剂层的辐照；以及将光致抗蚀剂层显影。本发明的半导体器件包括其中有反射结构的第一层和依次形成的第二层及做成图案的光致抗蚀剂层。在第二层中按照光致抗蚀剂层图案形成蚀刻的孔，并且在孔中形成电连接到反射结构的互连。
半导体对准生成及其方法

[发明专利]一种超短焦抗光结构的制作方法-CN201811531764.8有效
发明人：廖巧生;黄少云 -专利权人：烟台市谛源光科有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G03B21/60 文献下载
摘要：本发明涉及短焦投影技术领域，提供了一种超短焦抗光结构的制作方法，包括在基板上模压出的光学微结构的表面上均匀沉积金属材料形成反射层；在反射层上均匀覆盖光阻材料；选定区域进行曝光；显影去除被曝光的光阻材料，露出所述区域内的反射层；刻蚀掉露出的反射层上的金属材料，形成抗光侧；去除剩余的光阻材料，露出反射层，得所述抗光结构。借此，本发明通过在光学微结构上均匀沉积金属材料，再在金属材料上覆盖光阻材料；之后对选定区域内的光阻材料进行曝光、显影，再去除掉露出的金属材料，形成抗光侧；最后去除剩余的光阻材料形成反射层。获得了特定分布的反射层结构，避免了现有技术的缺陷，得到了高品质的抗光结构。
一种超短焦抗光结构制作方法

[发明专利]可涂覆在入射光照射下能转换的有机层的高吸收施主基板-CN200410030130.6无效
发明人： D·R·普罗伊斯;F·瓦赞 -专利权人：伊斯曼柯达公司
申请日： 2004-03-19 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： H05B33/12 文献下载
摘要：生成高吸收施主基板以便向OLED器件提供一种或多种OLED材料的方法：在透明支撑元件上提供吸收体抗反射层，该抗反射层的折射指数的实部大于3.0，厚度接近感兴趣波长的第一反射率最小值；在抗反射层上提供一金属热吸收层，用于吸收穿过透明支撑元件和抗反射层的激光；选择透明支撑元件，抗反射层，和金属热吸收层，使得当在感兴趣波长处，平均反射率小于10％，由透明支撑元件的厚度变化所导致的微反射率变化小于10％；在金属热吸收层上的没有粘结剂材料内提供一层或多层有机材料层
可涂覆入射照射转换有机吸收施主

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110844891.9在审
发明人：宋春 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括器件区和对准区；在所述半导体衬底表面依次形成垫氧化层、牺牲层、抗反射层；刻蚀所述垫氧化层、牺牲层、抗反射层至所述半导体衬底中，在所述器件区和所述对准区中同时形成沟槽；在所述沟槽侧壁和底部形成氧化层并对所述氧化层进行退火工艺；在所述沟槽中和所述抗反射层表面形成隔离材料层；使用第一化学机械研磨工艺研磨去除部分所述隔离材料层；使用第二化学机械研磨工艺研磨所述隔离材料层至所述抗反射层；刻蚀去除所述抗反射层、部分牺牲层以及高于所述牺牲层的隔离材料层，在所述器件区中形成隔离结构。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]显示装置-CN202210907356.8在审
发明人：赵光男;崔源烈 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：该显示装置包括第一基板、在第一基板上的显示部、覆盖显示部的封装部以及至少两个含无机材料层。至少两个含无机材料层包括第一光吸收层、第一抗反射层以及设置在第一抗反射层上并且与第一抗反射层相比具有较小折射率的第二抗反射层。因此，可以提供其中设置至少两个含无机材料层以抑制外部光的反射的显示装置。
显示装置

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201911164621.2有效
发明人：刘峻;傅晓娟 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制造方法，包括：在目标刻蚀层上依次形成第三芯模层、第三抗反射层、第二芯模层、第二抗反射层、第一芯模层和第一抗反射层。在刻蚀过程中，在第一芯模图案上覆盖第一侧墙材料层；刻蚀第一侧墙材料层及第一芯模图案以形成第一侧墙；以第一侧墙为掩模刻蚀第二抗反射层的部分厚度，在第二抗反射层的裸露区域形成多个第一凹槽；在第二芯模图案上覆盖第二侧墙材料层；刻蚀第二侧墙材料层及第二芯模图案以形成第二侧墙；以第二侧墙为掩模刻蚀第三抗反射层的部分厚度，在第三抗反射层的裸露区域形成多个第二凹槽；在第三芯模图案上覆盖第三侧墙材料层，刻蚀第三侧墙材料层及第三芯模图案以形成位于目标刻蚀层上的第三侧墙
半导体器件制造方法

[发明专利]盖板、显示面板及显示装置-CN202210914768.4在审
发明人：许峰 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G02B1/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种盖板、显示面板及显示装置，该盖板包括基材层、硬化层和抗反射层，硬化层设于基材层；抗反射层设于硬化层背对基材层的一侧，抗反射层的内部填充有修复材料，所述修复材料具有流动性。本申请中，当硬化层在外力作用下破裂并产生裂纹时，对应处的抗反射层同步或者随后破裂，内部的修复材料自抗反射层的破裂部位流出，并顺势填充在硬化层的裂纹内，联结硬化层的断裂处，达到修复目的，从而有助于延长盖板的使用寿命和使用品质
盖板显示面板显示装置

[发明专利]显示器的多层抗反射涂覆层及其涂覆方法-CN96110573.9无效
发明人：童华苏;胡俊民;徐明裕 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 1996-07-23 - 公布日： 2001-10-17 - 主分类号： H01J29/88 文献下载
摘要：本发明是一种显示器的多层抗反射涂复层及其徐复方法，该涂复是先在显示器上涂复一层抗静电涂复材料，再连续涂复多个抗反射涂复材料薄层，该薄层的抗反射涂复材料有不同折射指数，各涂复层的折射指数是先由该显示器外侧表面抗静电涂复层向其外层抗反射涂复层递增，然后，该多层涂复层的折射指数再向其外层依序递减，便显示器面板能提供较宽带宽的抗反射能力，该涂复层不仅抑制最大光反射，还使该面板有高的电视图像品质及抗静电效果。
显示器多层反射覆层及其方法

[实用新型]抗紫外线的复合橡塑绝热材料-CN201621192878.0有效
发明人：黄俊;彭东保;朱仕惠;王鹏;袁露 -专利权人：杜肯（武汉）绝热材料有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： B32B25/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗紫外线的复合橡塑绝热材料，涉及复合材料领域，该绝热材料包括橡塑基材层，以及依次排列的抗冲击层、抗皱层、反射层，所述橡塑基材层通过压敏胶或者热熔胶与抗冲击层粘接，所述抗冲击层通过热熔胶与抗皱层粘接，所述抗皱层通过热熔胶与反射层粘接，所述反射层的表面设置有涂料层；抗冲击层采用聚氯乙烯片材制成，抗皱层采用聚对苯二甲酸乙二醇酯制成，反射层采用铝箔制成。本实用新型具有优异的抗紫外性能、耐老化性能和抗冲击性能，能够有效延长橡塑绝热材料在室外使用环境下的使用寿命。
紫外线复合绝热材料

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条