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[发明专利]一种木材表面诱导釉层的方法-CN202211400713.8有效
发明人：张成云;刘海文;胡琦;郭浩民;吴润民 -专利权人：广州大学
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B27K5/00 文献下载
摘要：本发明涉及木材加工领域，且公开了一种木材表面诱导釉层的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：对木材进行70℃干燥脱水48小时；S2：利用激光对木材进行加工，设置的加工参数：加工功率：0.4W；S3：设置三维电动可调透镜移动参数并开始加工，设置的加工参数：扫描速度为35mm/s，扫描间距为0.02mm，加工区域大小为10mm×10mm，该木材表面诱导釉层的方法，可以在飞秒激光下一步成型，无需再进行任何处理。
一种木材表面诱导方法

[发明专利]一种碳化硅中子探测器转换材料填充方法-CN202310647251.8在审
发明人：王颖;张立龙;郭浩民;包梦恬;曹菲 -专利权人：大连海事大学
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G01T3/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅中子探测器转换材料填充方法，步骤包括：将6LiF粉末进行球磨，得到填充材料；将填充材料填充至探测器的沟槽内部；对沟槽内部喷涂封闭材料，完成填充。本申请针对沟槽型SiC中子探测器的粉末回填工艺，为微结构型半导体辐射探测系统的粉末回填工艺方法提供了重要的参考价值；在填粉之前对PAD区进行加厚处理，有利于后续电极引出过程中绑线比较牢固；球磨6LiF粉末后，将其与有机溶剂配成浑浊液体，再进行超声回填，有利于保证粉末60％以上的填充率。
一种碳化硅中子探测器转换材料填充方法

[发明专利]一种抗总剂量辐射效应的SOI LDMOS器件加固结构-CN202210247580.9有效
发明人：于成浩;王颖;郭浩民;包梦恬;张立龙 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗总剂量辐射效应的SOI LDMOS器件加固结构。本发明通过外延方法在埋氧层2的界面生长一层薄的N‑扩展层，该N‑扩展层可吸取因辐照在埋氧层引入固定正电荷镜像产生的电子；通过离子注入方法在浅槽隔离氧化层的下表面的拐角附近形成一个P保护区，该P保护区能够降低浅槽隔离拐角附近体硅内部电场峰值，从而提高器件的横向击穿电压；通过高能离子注入方法在漂移区形成一个P‑柱区15，该P‑柱区能够起到电导调制作用，在同一耐压条件下可以提高漂移区浓度对击穿电压的变化窗口。本发明在相同耐压条件下不但降低了比导通电阻，还可以大幅度提高器件的抗总剂量性能，从而保证SOI LDMOS器件在空间辐射环境中长时间稳定工作。
一种剂量辐射效应 soi ldmos 器件加固结构

[发明专利]一种碳化硅微沟槽中子探测器结构-CN202210406230.2有效
发明人：于成浩;王颖;郭浩民;包梦恬;张立龙 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅微沟槽中子探测器结构。本发明采用多步外延加离子注入掺杂方法在N+衬底上形成交替的N柱区和P柱区，N柱区和P柱区构成的“超结”结构能够形成空间电荷区，能显著改善传统单一外延层电场的非均匀分布，可使整个外延层范围内的纵向电场则呈现非常均匀的分布。均匀的外延层纵向电场分布能使探测器在更低的衬底工作偏压下实现灵敏区的全耗尽，可有效降低SiC微沟槽中子探测器的全耗尽工作电压，进而降低后端供电电路研发成本并，同时提高探测器和后端电路的工作可靠性。
一种碳化硅沟槽中子探测器结构

[发明专利]一种NP层交替外延的碳化硅微沟槽中子探测器结构-CN202210406250.X有效
发明人：于成浩;王颖;郭浩民;包梦恬;张立龙 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种NP层交替外延的碳化硅微沟槽中子探测器结构。本发明结构采用多次外延法在N+衬底上依次交替制作N型层和P型层。首先在N+衬底上外延第一层N型层，之后在第一层N型层上外延第一层P型层，之后在第一层P型层外延层上外延第二层N型层，之后在第二层N型层外延层上外延第二层P型层，直到外延最后一层为N型层为止。如果外延的N型层一共有M层，则外延的P型层一共有M‑1层，总的外延层数为2M‑1层。每个N型层与每个P型层的厚度、掺杂浓度完全相同。本发明在外延层内部形成“锯齿形”的纵向电场分布，该电场分布更加均匀，使探测器在更低的衬底偏压下实现外延层的全耗尽，从而有效降低SiC微沟槽中子探测器的工作电压。
一种 np 交替外延碳化硅沟槽中子探测器结构

[发明专利]一种胖瘦条纹结构及其制备方法-CN202110466010.4有效
发明人：张成云;胡琦;郭浩民;林茹 -专利权人：广州大学
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种胖瘦条纹结构及其制备方法，该制备方法，包括：在金膜样品的金膜上表面覆盖一玻片，将金膜样品放置在移动平台，飞秒激光微加工系统输出的飞秒脉冲激光聚焦到金膜样品，控制移动平台在X‑Y‑Z轴三个方向移动，进行二维移动线扫描，在金膜上制备微纳周期结构，即“胖瘦条纹”结构。本发明通过控制玻片与金膜的接触夹角可以诱导出不同角度的倾斜分布的胖瘦周期条纹，本发明的加工方法具有方便、快速、人为可控等特点。
一种胖瘦条纹结构及其制备方法

[发明专利]一种双结型硅基纳米白光光源及其制备方法-CN202211567573.3在审
发明人：张成云;郭浩民;胡琦;岑奕桦 -专利权人：广州大学
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种双结型硅基纳米白光光源及其制备方法。本发明的双结型硅基纳米白光光源包括衬底，在衬底上设有介电纳米球，在介电纳米球表面设有金属纳米薄膜，金属纳米薄膜与介电纳米球形成核壳纳米结构；其中，衬底为金衬底或银衬底；介电纳米球为硅纳米球或二氧化钛纳米球；金属纳米薄膜为钯纳米薄膜或金纳米薄膜。本发明制备的纳米光源结构能够显著地提高发光强度，该纳米光源通过引入电和磁谐振模式，能够耦合产生更多的杂化模式，通过调控模式的耦合能进一步调控光源的发光特性，进而实现整个纳米结构非线性特性的调控。
一种双结型硅基纳米白光光源及其制备方法

[发明专利]基于丝瓜络生物质炭复合材料的电化学传感器的制备方法及该复合材料的制备方法-CN202011286746.5有效
发明人：程文雪;张敏;程发良;傅小波;彭浩铭;郭浩民 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G01N27/38 文献下载
摘要：本发明涉及电化学传感器技术领域，特别是涉及一种基于丝瓜络生物质炭复合材料的电化学传感器的制备方法，包括如下步骤：预碳化丝瓜络；氢氧化钾活化丝瓜络粉末；制备多孔生物质碳/聚3,4‑乙烯二氧噻吩‑金复合材料；制备电化学传感器；本发明制备方法简单，所用的丝瓜络原料来源广泛、价格低廉，制备的复合材料具有较大的比表面积、导电性强和多孔结构，制得的电化学传感器具有良好的导电性和优越的电催化性能；本发明还提供该复合材料的制备方法及该复合材料修饰电极在电化学传感器中的应用，本发明不仅推动了电化学传感器领域的发展，而且在食品、医药和环境检测等领域具有广阔的应用前景。
基于丝瓜络生物复合材料电化学传感器制备方法

[发明专利]具有抗单粒子烧毁能力的肖特基二极管器件及制备方法-CN202210724652.4在审
发明人：王颖;陈嘉豪;曹菲;郭浩民;张立龙 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开一种具有抗单粒子烧毁能力的肖特基二极管器件及制备方法，包括：N+衬底层；N型不同浓度多缓冲层，位于N+衬底层上；P型区，包括：P+区和P‑缓冲层，P‑缓冲层位于P+区下方；N型场截止层，位于P‑缓冲层下方；N‑漂移区，包括位于N型场截止层之上的第二N‑漂移区和位于N型多缓冲层之上的第一N‑漂移区；沟槽，位于P+区上方，沟槽内部填充金属。采用本发明的技术方案，当重离子入射时，可以大大降低肖特基接触表面和N‑/N+同质结处的电场峰值、载流子碰撞电离产生率和瞬态电流，从而降低器件表面和内部的晶格温度，使器件的单粒子烧毁安全工作区得到显著提高。
具有粒子烧毁能力肖特基二极管器件制备方法

[发明专利]一种硅纳米球的制备方法-CN202210074774.3在审
发明人：张成云;萧雪莲;陈冬演;郭浩民 -专利权人：广州大学
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： B23K26/0622 文献下载
摘要：本发明公开一种硅纳米球的制备方法，包括以下步骤：步骤一：超声清洗硅片；步骤二：将清洗好的硅片固定于装有去离子水的石英培养皿中，并将石英样品池固定在飞秒激光微纳加工系统的三维电动平移台上方；步骤三：将飞秒脉冲激光聚焦到硅片表面；步骤四：用运动控制软件设置三维电动平移台的移动参数；步骤五：硅片通过程序控制移动，飞秒脉冲激光烧蚀硅片表面，得到淡黄色胶体状硅纳米水溶液。与现有技术相比，本发明具有无复杂工艺，操作简便，可以通过软件预设参数，实现了硅纳米颗粒溶液的自动化制备，制成的硅纳米球直径较大的特点。
一种纳米制备方法

[发明专利]阶梯型微沟槽中子探测器及制备方法-CN202010239074.6有效
发明人：王颖;于成浩;李雅男;郭浩民;曹菲 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L31/118 文献下载
摘要：本发明提出了一种阶梯型微沟槽中子探测器及制备方法，该结构首先通过刻蚀技术在半导体器件内部制作一个宽度较窄的沟槽，之后在深沟槽区域内进行第二次刻蚀制作一个宽度较宽的沟槽从而形成一个阶梯型微沟槽结构(可采用多次刻蚀形成多阶梯型微沟槽结构)，最终采用角旋转离子注入技术在沟槽侧壁及底部形成均匀的掺杂分布。一方面，阶梯型沟槽结构通过优化沟槽间距可以提高器件中子反应物的填充量，从而提高器件的中子探测效率。另一方面，阶梯型沟槽结构还可以优化沟槽底部的电场分布，使探测器的击穿电压提高。此外，阶梯型沟槽结构可以提高探测器灵敏区电场值，进而提高电荷收集率并降低收集时间。
阶梯沟槽中子探测器制备方法

[发明专利]一种激光微纳加工图形的系统和方法-CN202110816721.X在审
发明人：张成云;曹毓竣;郭浩民 -专利权人：广州大学
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： B23K26/064 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光微纳加工图形的系统和方法，该方法包括：自动将待加工图案进行灰度化处理并提取出每个像素点的灰度值，将待加工图案的每个像素点的灰度值与预设灰度阈值进行比较，判断每个像素点是否需要加工，对待加工图片进行线扫描，将同一行/列中待加工状态相同的点整合成一条线段，最后将所有行/列整合的线段信息发送于上位机，上位机控制实体激光微纳加工平台将待加工图形加工在样品上。本发明采用的线扫描加工方式，可以自动运算出待加工图片的每一个像素点是否需要加工并对相邻像素点的待加工状态进行对比，使得像素点与像素点之间的目标量程为激光连续加工的方式，从而得出一套更节省时间的加工方案，而且加工效果更好。
一种激光加工图形系统方法

[发明专利]一种基于双转换层的沟槽型碳化硅中子探测器-CN202110457676.3在审
发明人：王颖;张立龙;郭浩民;李亚男;曹菲 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L31/118 文献下载
摘要：本发明公开一种基于双转换层的沟槽型碳化硅中子探测器，包括由下至上依次设置的背面欧姆接触电极、N+型4H‑SiC衬底、N‑型4H‑SiC外延层、正面欧姆接触电极，所述N‑型4H‑SiC外延层顶端等间距开设有若干沟槽，所述沟槽表面和所述N+型4H‑SiC衬底顶端均设置有P+掺杂区，所述沟槽内设置有双层转换层，所述双层转换层与所述P+掺杂区相接触。本发明能够实现在有限的沟槽深度内填充两种不同的转换材料，进一步的提升中子探测效率。
一种基于转换沟槽碳化硅中子探测器

[发明专利]一种手工雕刻模型材料及其制备方法和应用-CN202110346975.X在审
发明人：徐勇军;蔡卓弟;谭世芝;陈天熙;杨宇;肖永辉;韩雅婷;谭学城;郭浩民;梁慧琳 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C08L91/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种手工雕刻模型材料及其制备方法和应用，所述手工雕刻模型材料包括如下制备原料：蜡料、硬脂酸、马来酸酐烯烃共聚物，所述马来酸酐烯烃共聚物为马来酸酐与乙烯‑辛烯共聚物的接枝共聚物。本发明通过在手工雕刻材料中加入特定的马来酸酐烯烃共聚物，起着很好的增韧作用，能够在用量很少的情况下达到增韧效果，减小手工雕刻材料的拉伸屈服强度和刚性损失；马来酸酐烯烃共聚物中极性基团的加入降低了熔融指数，为手工雕刻模型材料提供了良好的粘着性，增强了手工雕刻模型材料的可雕刻性。同时，通过搭配合适的基础蜡料、硬脂酸等，本发明的手工雕刻材料韧性好，不沾刀，硬度适中，易雕刻，能够满足手工雕刻要求。
一种手工雕刻模型材料及其制备方法应用

[发明专利]一种雕刻模型材料及其制备方法和应用-CN202110348289.6在审
发明人：徐勇军;蔡卓弟;谭世芝;陈天熙;杨宇;肖永辉;韩雅婷;谭学城;郭浩民;梁慧琳 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C08L91/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种雕刻模型材料及其制备方法和应用，包括如下制备原料：微晶蜡、动植物蜡、乙烯‑醋酸乙烯共聚物、聚酰胺蜡、聚甲基丙烯酸甲酯。本发明通过各制备原料的相互搭配协同作用，得到的雕刻模型材料具有硬度高、韧性好，且熔点、粘度适中，雕刻效果好等优势，既能满足CNC机加工要求、又能用于熔模铸造，适用于制作金属饰品、工艺品、艺术雕塑、金属手板等。
一种雕刻模型材料及其制备方法应用

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