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[发明专利]用作直接式X射线阵列化成像器件的掺杂改性钒酸铋材料及其制备方法-CN202310634756.0在审
发明人： 郑霄家;樊郑辉;蔡冰;杨宁;袁瑞涵 -专利权人：四川省新材料研究中心
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了用作直接式X射线阵列化成像器件的掺杂改性钒酸铋材料及其制备方法，改性钒酸铋材料的化学式为(A)XBi1‑X(B)YV1‑YOZ，其中0≤X≤1，0≤Y≤1，0≤Z≤4，其中A、B均为金属阳离子。通过对钒酸铋材料进行掺杂，发现掺杂Co，使得钒酸铋材料的载流子迁移率提高、寿命提高、载流子浓度降低，材料相应的灵敏度提高，信号电流噪声降低，具备了实现基板阵列化成像的能力。通过将钒酸铋陶瓷集成到阵列化成像基板上，成功实现了X射线阵列化成像。
用作直接射线阵列化成器件掺杂改性钒酸铋材料及其制备方法

[发明专利]一种银铋碘单晶、制备方法及应用-CN201910885128.3在审
发明人：张文华;郑霄家;帖舒婕;黄巍;赵伟;龙继东 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种银铋碘单晶，该晶体的化学式为AgBi
灵敏度制备面心立方结构卤化物单晶射线探测器环境友好晶胞参数探测材料新型辐射正八面体正六面体传统的晶体的碲锌镉探测器单晶非晶银铋申请

[发明专利]降低X射线探测器漏电流的方法-CN201910655656.X在审
发明人： 郑霄家;张文华;赵伟;龙继东 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： C30B7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低核辐射探测器漏电流的方法，使用零维铋基钙钛矿单晶材料R₃Bi₂X₉作为X射线探测器的活性层。本发明提供了一类零维结构铋基钙钛矿单晶新材料的应用，不仅环境友好，稳定性高，电阻率大，而且所制备的X射线探测器漏电流小，耐高压能力强，耐辐照性能好，对X射线响应灵敏。
漏电流钙钛矿铋基核辐射探测器耐高压能力单晶材料环境友好零维结构响应灵敏电阻率活性层耐辐照单晶制备应用

[发明专利]铋基卤化物陶瓷材料、制备方法及X射线探测器-CN201910658874.9在审
发明人：张文华;郑霄家;帖舒婕;赵伟;龙继东 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明公开了铋基卤化物陶瓷材料、制备方法及X射线探测器，所述X射线探测器，由铋基卤化物陶瓷及其两端的电极组成，所述铋基卤化物陶瓷为铋基卤化物陶瓷材料用压片法制备的陶瓷片，其两端蒸镀金属电极。本发明提供了的铋基卤化物陶瓷材料，不仅易于制备，环境友好，稳定性高，电阻率大，而且所制备的X射线探测器耐高压能力强，耐辐照性能好，对X射线响应灵敏，探测下限低。
卤化物铋基陶瓷材料制备陶瓷耐高压能力电极组成环境友好金属电极探测下限响应灵敏电阻率耐辐照陶瓷片压片蒸镀

[发明专利]零维铋基钙钛矿单晶材料及其制备方法和应用-CN201910655644.7在审
发明人： 郑霄家;张文华;王鹏;王增华 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电探测领域，具体涉及一类零维铋基碘化物R₃Bi₂I₉钙钛矿单晶材料，所述材料(Bi₂I₉)^3‑单元被有机离子R⁺包围进而形成三维空间内点状不连续分布。本发明还涉及所述材料的制备方法，以及此类材料在X射线探测器中的应用。本发明提供了一类环境友好、稳定性高的零维结构铋基钙钛矿单晶新材料。得益于材料的高稳定性、对X射线的高衰减系数等优势，所制备的探测器耐辐照性能好，对剂量率仅为182nGy_air s^‑1的X射线具有很好的信号响应，远低于常规医学诊断要求的5.5μGy_air s^‑1。
钙钛矿铋基单晶材料制备三维空间制备方法和应用不连续分布常规医学高稳定性光电探测环境友好零维结构信号响应有机离子碘化物高衰减剂量率耐辐照探测器单晶内点半导体包围诊断应用

[发明专利]一种染料敏化太阳电池的对电极及其制备-CN201310231649.X有效
发明人：李灿;张文华;郑霄家 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池领域，具体为一类用于染料敏化太阳电池的新型对电极及其制备方法。该对电极是在导电衬底上使用喷雾的方法制备一层多金属硫化合物的非铂催化剂，多金属硫化合物催化剂粒径从1纳米到100微米，它至少由一种ⅥB和一种ⅧB金属组成。所述硫化合物具有合成方法简单，合成温度低，稳定性强，且与FTO基底附着性强。本发明工艺简单，所制备的非铂催化剂不仅催化活性高，且价格低廉，大大降低了对电极的成本，且喷涂工艺适合在电池中大面积应用。
一种染料太阳电池电极及其制备

[发明专利]一种片状三氧化钨光电极及其制备方法-CN201310691028.X在审
发明人：李灿;王楠;施晶莹;郑霄家 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种多孔WO3片状阵列薄膜的制备，首先利用直流反应磁控溅射方法，以Ar气为溅射气体，O2气为反应气体，采用双金属靶共溅射，其中一个靶为钨靶，另一种为铝、铜、锌中的一种，溅射得到非晶氧化物薄膜。将制备的非晶金属氧化物薄膜浸入强酸性溶液中进行选择性刻蚀，在基片上得到了片状的多孔结构，空气中450-550℃退火，形成单斜晶相WO3，形貌保存完好。该方法得到的多孔氧化钨电极的比表面积增加，吸光性能大幅度提高，材料与基底的结合力较好。本发明的优点在于：可以实现大规模生产，制备工艺简单，制备的WO3电极相比于未刻蚀的致密的WO3电极，饱和光电流提高3倍，亦可应用到染料敏化电池，电致变色器件等。
一种片状氧化钨电极及其制备方法

[发明专利]使用半导体薄膜做敏化剂的太阳电池光阳极及其制备-CN201210243209.1无效
发明人：李灿;张文华;郑霄家;于东麒;熊锋强 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2012-07-13 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用半导体薄膜做敏化剂的太阳电池光阳极及其制备，其包含由纳米金属氧化物半导体材料、表面覆盖的半导体敏化剂薄膜组成的光阳极、可以发生氧化及还原反应的电解质以及对电极组成，光阳极与对电极使用热封膜隔开，中间注入电解质。其中，光阳极与电解质接触的界面处电解质发生氧化反应，对电极与电解质接触的界面处电解质发生还原反应。特点是光阳极采用n型宽带隙半导体材料，使用原子层沉积技术在宽带隙半导体材料表面生长多种n型半导体敏化剂薄膜组成太阳电池的光阳极，大大拓宽光阳极的吸光范围，同时半导体薄膜敏化层使宽带隙半导体与电解质隔开，大幅降低光生载流子在界面的复合，显著提高太阳电池的效率。
使用半导体薄膜做敏化剂太阳电池阳极及其制备

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