“郎玉红”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]光学线宽量测稳定性优化方法-CN202211215856.1在审
发明人：涂新星;郎玉红 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种光学线宽量测稳定性的优化方法。所述方法包括：光学线宽量测仪将两条长度不同的光纤固定在机台内，采用双光路量测方法经光程差测得所述待测晶圆的光学量测膜厚。双光路光学线宽量测方法当将长度确定的光纤固定在光学线宽量测仪机台内时，Fab内机台周围环境的震动等问题对其基本无影响，从而可以减少采用移动光纤方法校准存在的偶然性，消除了其易受周围环境震动等影响导致OCD量测再次偏移的问题，提高了晶圆的良率。而且双光路光学线宽量测方法所采用的公式能够实现高效校准，进而节省了Fab内的物力、财力，提高Fab过货效率。
光学线宽量测稳定性优化方法

[发明专利]沉积设备的清洁方法-CN202010686677.0在审
发明人：陆振杰;郎玉红 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种沉积设备的清洁方法，用于清洁沉积设备，所述沉积设备包括反应腔及晶圆承载单元，所述晶圆承载单元通过移动进入或退出所述反应腔，包括以下步骤：在完成沉积工艺之后，所述晶圆承载单元退出所述反应腔；在所述晶圆承载单元上冷却及卸载已完成沉积工艺的晶圆并装载待作业的晶圆，同时对所述反应腔单独进行清洁作业。本发明的沉积设备的清洁方法，具有较短的清洁时间，可灵活利用反应腔的空闲时间进行清洁作业，对生产时间占用更少，能够提升生产效率的优点。本发明还能够延长反应腔的使用寿命和具有清洁成本低的优点。
沉积设备清洁方法

[发明专利]炉管晶舟温度的检测设备及炉管晶舟温度的监控方法-CN201911137370.9在审
发明人： 郎玉红;祁鹏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种炉管晶舟温度的检测设备，包括：温度检测仪和控制系统，所述温度检测仪用于监测晶舟的温度并传给所述控制系统，所述控制系统对晶舟的温度进行判断，本发明还提供了一种炉管晶舟温度的监控方法，包括：温度检测仪检测晶舟的温度；所述温度检测仪将监测到的晶舟的温度传给控制系统；所述控制系统对所述晶舟的温度进行判断。在本发明提供的一种炉管晶舟温度的检测设备及炉管晶舟温度的监控方法中，温度检测仪能智能地感知晶舟的温度并传输给控制系统，控制系统智能地判断是否达到卸载硅片的温度条件，并控制卸载硅片。
炉管温度检测设备监控方法

[实用新型]炉管机台冷却装置-CN201822241619.8有效
发明人： 郎玉红;祁鹏 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种炉管机台冷却装置，包括：硅片暂存装置，所述硅片在炉管工艺结束后传输至所述硅片暂存装置，所述硅片暂存装置用于存放需要冷却的硅片；冷却系统，所述冷却系统用于将在硅片暂存装置上的硅片冷却。本实用新型本通过对炉管机台进行改进，在装载区域新增冷却装置，产品工艺结束后硅片传到冷却区域进行降温，机台可以继续下一炉工艺，大大缩短了降温时间从而提高机台产能。
硅片暂存装置冷却装置炉管机台机台本实用新型冷却系统冷却产品工艺冷却区域装载区域产能炉管传输改进

[实用新型]氧化设备中挡片自动清洁系统-CN201822081237.3有效
发明人：陆振杰;祁鹏;郎玉红 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氧化设备中挡片自动清洁系统，包括：副炉体，用于放置挡片并进行掺氯氧化工艺，所述副炉体包括炉管口、进气口、出气口；硅片传送单元，其通过副炉体的炉管口将挡片送至副炉体中或从副炉体中取出；气体分配单元，用于向副炉体中提供掺氯氧化工艺所需的气体，所述气体分配单元与副炉体的进气口相连接；尾气处理单元，其与副炉体的出气口相连接；机台控制单元，其与副炉体、硅片传送单元、气体分配单元和尾气处理单元相连。本实用新型在现有的氧化工艺设备中增加独立的副炉体对挡片进行掺氯氧化处理，不但可以降低挡片中的金属离子含量，而且可以保证正常的氧化工艺不受影响，不会占用氧化炉体的工艺时间和降低机台的生产效率。
副炉体挡片氧化工艺气体分配单元进气口尾气处理单元自动清洁系统本实用新型硅片传送氧化设备出气口炉管口机台控制单元机台金属离子生产效率氧化处理氧化炉体取出占用保证

[发明专利]一种改善圆晶片内膜厚均匀性的方法-CN201610584924.X有效
发明人： 郎玉红;祁鹏;张召;王智 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善圆晶片内膜厚均匀性的方法，包括：第一步骤：将炉管中的处理温度设置为预定初始工艺温度；第二步骤：在从预定初始工艺温度开始以预定降温速度将温度降温至预定下降温度的过程中，对炉管中的硅片进行材料沉积；第三步骤：在从预定下降温度开始以预定升温速度将温度升温至预定上升温度的过程中，对炉管中的硅片进行材料沉积。
一种改善晶片内膜均匀方法

[发明专利]一种消除影响栅极氧化层厚度的方法及装置-CN201510663203.3在审
发明人： 郎玉红;祁鹏;王智;苏俊铭 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造设备领域，尤其涉及一种消除影响栅极氧化层厚度的方法及装置。方法包括：机台作业对栅极氧化层厚度有影响的制成；禁掉对栅极氧化层厚度有影响的制成；触发湿氧的制成。本发明的装置包括：炉体；影响气体进气口，设置于炉体的下方，通入对栅极氧化层厚度有影响的气体；湿氧进气口，设置于炉体的下方，通入湿氧以去除对栅极氧化层厚度有影响的气体；排气口，设置于炉体的上方，排出炉体内的制成产生的气体。
一种消除影响栅极氧化厚度方法装置