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[发明专利]固体摄像装置以及摄像装置、输送设备的反射镜-CN201780074535.5有效
发明人：生熊诚;网川裕之;鬼头崇泰;荻田进一;松尾纯一;远藤康行;德山克巳;阿部哲也 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：本公开提供一种固体摄像装置以及摄像装置。固体摄像装置(1)具备：多个高灵敏度像素，以矩阵状配置并以给定的灵敏度进行光电转换；多个低灵敏度像素，以矩阵状配置在所述多个高灵敏度像素的间隙中，并以比所述给定的灵敏度低的灵敏度进行光电转换；以及信号处理部(70)，检测来自所述高灵敏度像素的信号和来自所述低灵敏度像素的信号的差分信号，根据所述差分信号修正所述高灵敏度像素的信号，从而生成像素信号。
固体摄像装置以及输送设备反射

[发明专利]固体摄像装置以及使用该固体摄像装置的摄像装置-CN201780075076.2有效
发明人：生熊诚;网川裕之;鬼头崇泰;荻田进一;松尾纯一;远藤康行;德山克巳;阿部哲也 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H04N5/378 文献下载
摘要：本公开提供一种固体摄像装置以及使用该固体摄像装置的摄像装置。固体摄像装置(1)具备：像素阵列部(10)；列处理部(26)；测试信号生成电路(81)，生成测试用的第1数字信号；DAC(82)，将第1数字信号转换为第1模拟信号，并作为模拟像素信号的代替而供给至像素阵列部(10)或者列处理部(26)；以及判定电路(83)，测试信号生成电路(81)在摄像动作中的垂直回扫区间所包含的一个水平扫描期间内执行第1数字信号的生成动作，列处理部(26)在摄像动作中的所述垂直回扫区间所包含的所述一个水平扫描期间内执行从第1模拟信号向第2数字信号的转换动作。
固体摄像装置以及使用

[发明专利]摄像装置-CN201880057803.7在审
发明人：平濑顺司;佐藤好弘;远藤康行;纲川裕之 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种摄像装置，具备：半导体基板，包括半导体区域、第1扩散区域以及第2扩散区域，上述半导体区域包含第1导电型的杂质，上述第1扩散区域与上述半导体区域相接，包含与上述第1导电型不同的第2导电型的杂质，并将入射光变换为电荷，上述第2扩散区域包含上述第2导电型的杂质，积蓄从上述第1扩散区域流入的上述电荷的至少一部分；第1晶体管，包括位于上述半导体基板上的第1栅极电极，包括上述第2扩散区域作为源极及漏极中的一方；接触插塞，与上述第2扩散区域电连接；电容元件，一端与上述接触插塞电连接；以及第2晶体管，包括位于上述半导体基板上的第2栅极电极，上述第2栅极电极与上述电容元件的上述一端电连接。
摄像装置

[发明专利]摄像装置-CN201910043060.4在审
发明人：小柳贵裕;留河优子;网川裕之;远藤康行 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的一个方式的摄像装置，具备半导体基板、配置在所述半导体基板内的多个光电变换部、配置在所述半导体基板上方的配线层以及配置在所述配线层内的至少一个电容元件。所述至少一个电容元件包括第一电极、第二电极、以及配置在所述第一电极与所述第二电极之间的电介质层。所述电介质层的至少一部分在平面视中具有配置在所述多个光电变换部中的相邻的两个光电变换部之间的沟槽形状。从由第一电极和第二电极组成的组中选择的至少一个电极具有遮光性。
半导体基板光电变换部第二电极第一电极配置电介质层电容元件摄像装置配线层沟槽形状电极遮光性

[发明专利]摄像装置-CN201910038971.8在审
发明人：留河优子;小柳贵裕;网川裕之;远藤康行 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：有关本公开的一技术方案的摄像装置具备：半导体基板；第1光电变换部，配置在上述半导体基板内；与上述第1光电变换部不同的第2光电变换部，配置在上述半导体基板内；布线层，配置在上述半导体基板的上方；以及电容元件，配置在上述布线层内，在俯视时将上述第1光电变换部包围。上述电容元件包括第1电极、第2电极、以及配置在上述第1电极与上述第2电极之间的电介体层。上述第1电极连接至上述第1光电变换部或上述第2光电变换部。
光电变换部半导体基板电极配置电容元件摄像装置布线层电极连接电介体层俯视包围

[发明专利]固体摄像装置及其驱动方法以及摄像装置-CN200780050545.1有效
发明人：室岛孝广;远藤康行 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-06-28 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种固体摄像装置及其驱动方法以及摄像装置。该固体摄像装置包括：多个具有光电二极管、浮置扩散部、传送晶体管、复位晶体管及放大晶体管的像素、接收来自多个像素的信号的垂直信号线(31)、取样电容(62)、对垂直信号线(31)上的电压与参考电压进行比较来判断电压的大小的电路(78)、根据电路(78)的输出将限幅电压Vclip输给取样电容(62)的限幅电路(79)。能够用在光电二极管中积累起来的信号已传送到浮置扩散部的状态时的垂直信号线上的电压作为各列的比较电压。
固体摄像装置及其驱动方法以及

[发明专利]固态成像装置和照相机-CN200810099565.4无效
发明人：户谷宽;远藤康行 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-05-15 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H04N3/15 文献下载
摘要：一种固态成像装置包括：像素阵列，包括设置成行和列的多个像素；以及读出单元，用于逐行读出所述像素阵列中包括的像素的像素信号。所述读出单元(i)除了在水平读出期之内的读出待命期中，在所述水平读出期中以列顺序读出所述像素阵列的一行像素的像素信号，并且(ii)在所述读出待命期中暂停以列顺序读出所述像素行的像素信号。
固态成像装置照相机

[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件-CN02154822.6无效
发明人：木村雅俊;远藤康行 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2002-12-02 - 公布日： 2003-09-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明的课题是，获得一种不采用倾斜旋转注入和过剩的热扩散而能形成有在栅电极的下方形成的部分的光电二极管的杂质导入区的半导体器件的制造方法。采用照相制版法，在栅极结构15的端部上和与该端部相邻的光电二极管18的形成预定区域上形成有开口的图形的光致抗蚀剂30。其次，将光致抗蚀剂30用作注入掩模，在能量为300～600keV、剂量为1E12～1E14离子/cm2的注入条件下，垂直注入磷等N型杂质31。因此，能在P阱11的上表面内形成N型杂质导入区17。这时，N型杂质31能穿通栅极结构15而到达P阱11内，所以在栅极结构15的下方也能形成N型杂质导入区17。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体摄象器件-CN01117432.3无效
发明人： 远藤康行;有马裕;宇井博贵 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2001-04-28 - 公布日： 2002-02-13 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：降低固定图形噪声的半导体摄象器件。在具备把多个具有将光信号变换成电信号的光电二极管3mn和连接到光电二极管3mn的电荷存储部分上的晶体管4mn的象素2mn配置成矩阵状的象素阵列1的半导体摄象器件中,具备缓冲器9n,用来用比上述象素阵列1的电源电压低的控制用电源电压控制晶体管4mn。
半导体器件

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