“近藤裕志”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]等离子体处理装置和盖构件-CN202210931228.7在审
发明人： 近藤裕志;古屋治彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体处理装置和盖构件。即使在处理容器的上部配置有放射微波的放射部的情况下，也能够利用远程等离子体进行清洁。处理容器在内部配置有载置基板的载置台，该处理容器在载置台的上侧形成有开口。盖构件将处理容器的开口密封。盖构件在与载置台相对的区域形成有用于配置放射微波的放射部的一个或多个贯通孔，盖构件在成为处理容器的内部侧的第1面形成有沿着开口的边缘向处理容器的内部侧突出的突出部，在突出部的内部形成有流路，在第1面形成有与流路连通的多个气孔，盖构件在成为处理容器的外部侧的第2面形成有与流路连通的供给口。远程等离子体单元与供给口连接，将清洁气体等离子体化并向供给口供给。
等离子体处理装置构件

[外观设计]加热器部件-CN201730619939.0有效
发明人： 近藤裕志 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： 23-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：加热器部件。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于加热器部件或者基板支撑装置。3．本外观设计产品的设计要点：本外观设计产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计1的立体图。5．省略视图：由于与右视图一致，省略各个设计中的左视图。6．指定基本设计：设计1。
外观设计加热器部件省略基板支撑装置右视图左视图图片

[发明专利]具有连续凹腔的加热器块-CN201711499227.5在审
发明人： 近藤裕志 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开一种适于安装在包含喷淋头和反应室的等离子体沉积或等离子体蚀刻设备中的加热器块，所述加热器块适于布置在所述反应室中以支撑衬底，并且包含：至少一个通孔，所述至少一个通孔通过所述加热器块；在其上表面上的多个表面，所述多个表面彼此分离并且由连续凹腔限定，并且所述连续凹腔包括：多个主凹状部或凹陷部；多个凹状通道，所述多个凹状通道实质上连接每两个相邻的主凹状部或凹陷部；和在所述加热器块的中心处的凹状部或凹陷部，所述凹状部或凹陷部具有与所述多个主凹状部或凹陷部不同的形状或尺寸。
加热器凹陷部凹状部凹腔凹状通道反应室通孔等离子体蚀刻设备等离子体沉积彼此分离喷淋头上表面中心处衬底支撑

[发明专利]用于避免异常放电和等离子体聚集的绝缘体结构-CN201810275028.4在审
发明人： 近藤裕志;平山昌树 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种绝缘体，用于包括上电极、下电极和反应腔室的加工设备，该绝缘体适于被布置在上电极周围，该绝缘体包括：适于面向反应腔室的底端部；和面向上电极的侧壁的侧壁，其中，绝缘体的底端部的边缘部分径向向内延伸，以形成突出部分，使得突出部分覆盖上电极的底表面的边缘以及介于上电极的侧壁和绝缘体的侧壁之间的间隙。
绝缘体电极侧壁反应腔室底端部等离子体绝缘体结构电极周围加工设备径向向内异常放电下电极和面延伸覆盖

[发明专利]真空处理装置-CN200810185777.4有效
发明人：志村昭彦;近藤裕志;锅山裕树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-09-01 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可以可靠地防止水分混入真空处理室中的真空处理装置。具有阀体(31a、31b)的闸阀(30a、30b)分别以双层配置在真空处理室(10)和负载锁定室(20)之间。此外，流导不同的三根排气管(21、22、23)与负载锁定室(20)连接，通过开闭阀(62、63、64)，分别与真空泵(60)连接。此外，导入N₂气体的N₂气体供给源(26)与负载锁定室(20)的内部连接。
真空处理装置

[发明专利]真空处理装置-CN200610128913.7有效
发明人：志村昭彦;近藤裕志;锅山裕树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-09-01 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可以可靠地防止水分混入真空处理室中的真空处理装置。具有阀体(31a、31b)的闸阀(30a、30b)分别以双层配置在真空处理室(10)和负载锁定室(20)之间。此外，流导不同的三根排气管(21、22、23)与负载锁定室(20)连接，通过开闭阀(62、63、64)，分别与真空泵(60)连接。此外，导入N₂气体的N₂气体供给源(26)与负载锁定室(20)的内部连接。
真空处理装置

1
共 6 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top