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[发明专利]等离子体处理装置-CN201610214055.1在审
发明人：吉村章弘;佐藤彻治;堀口将人;和田畅弘;小林真;辻本宏;田村纯;直井护 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置。基板处理装置能够抑制在移动电极与筒状容器的一个端壁之间的空间里产生等离子体。基板处理装置(10)包括：用于收容晶圆(W)的筒状的腔室(11)、在该腔室(11)内沿腔室(11)的中心轴线移动自如的喷头(23)、在腔室(11)内与喷头(23)相对的基座(12)、用于将喷头(23)和腔室(11)的盖(14)连接起来的伸缩自如的波纹管(31)，向位于喷头(23)和基座(12)之间的处理空间(PS)施加高频电力并且导入处理气体，喷头(23)与腔室(11)的侧壁(13)不接触，并配设有将喷头(23)与腔室(11)的盖(14)或者侧壁(13)电连接的分流构件(35)。
等离子体处理装置

[发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN201110175740.5有效
发明人：和田畅弘;小林真;辻本宏;田村纯;直井护;大薮淳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-06-24 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供基板处理方法及基板处理装置。该基板处理方法能对基板实施均匀的等离子处理且能充分地响应一腔室多处理的要求。基板处理装置(10)具有：容纳晶圆(W)的腔室(11)、配置在腔室内、用于载置晶圆的基座(12)、与基座相对配置的上部电极(24)、与基座相连接的第2高频电源(16)，上部电极与接地构件(36)电连接，使上部电极能够相对于基座移动，在上部电极中埋入电介质(26)，将在处理空间(PS)中产生的等离子体与接地构件(36)之间的电位差分割为等离子体与电介质之间的电位差以及电介质与接地构件之间的电位差，而且，通过改变上部电极与基座之间的间隙(G)来改变上部电极与基座之间的等离子体密度。
处理方法装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN201110157803.4有效
发明人：和田畅弘;小林真;辻本宏;田村纯;直井护 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-06-13 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，该基板处理装置能够防止上部电极消耗且能提高处理空间中的等离子体的密度分布的控制性。基板处理装置包括：基座，其与第1高频电源相连接且用于载置晶圆；上部电极板，其与该基座相对地配置；处理空间，其位于基座与上部电极板之间，该基板处理装置利用等离子体对晶圆实施等离子蚀刻处理，基板处理装置具有覆盖上部电极板中的与处理空间面对的部分的电介质板，上部电极板被分割成与晶圆的中央部相对的内侧电极和与晶圆的周缘部相对的外侧电极，内侧电极与外侧电极彼此电绝缘，自第2可变直流电源对内侧电极施加正的直流电压，并且使外侧电极接地。
处理方法装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201110146665.X有效
发明人：堀口将人;辻本宏;北泽贵 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-05-25 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种即使处理气体进入以自如升降的方式设置的上部电极的上部空间中，也很容易将其排出的等离子体处理装置。在该装置中设有：在处理室(102)的顶壁(105)中与下部电极(111)相对以升降自如的方式设置，且设有导入处理气体的多个吹出孔(123)的上部电极(120)；围绕各个电极和其间的处理空间的周围的保护侧壁(310)；设置于保护侧壁的内侧，排出处理空间的气体的内侧排气通道(330)；和设置于保护侧壁的外侧，排出流入上部电极和顶壁之间的空间的处理气体的外侧排气通道(138)。
等离子体处理装置

[发明专利]基板处理装置-CN201110076088.1无效
发明人：吉村章弘;佐藤彻治;堀口将人;和田畅弘;小林真;辻本宏;田村纯;直井护 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置能够抑制在移动电极与筒状容器的一个端壁之间的空间里产生等离子体。基板处理装置(10)包括：用于收容晶圆(W)的筒状的腔室(11)、在该腔室(11)内沿腔室(11)的中心轴线移动自如的喷头(23)、在腔室(11)内与喷头(23)相对的基座(12)、用于将喷头(23)和腔室(11)的盖(14)连接起来的伸缩自如的波纹管(31)，向位于喷头(23)和基座(12)之间的处理空间(PS)施加高频电力并且导入处理气体，喷头(23)与腔室(11)的侧壁(13)不接触，并配设有将喷头(23)与腔室(11)的盖(14)或者侧壁(13)电连接的分流构件(35)。
处理装置

[发明专利]聚焦环、等离子体处理装置及等离子体处理方法-CN200910165205.4有效
发明人： 辻本宏;永岩利文;半田达也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-08-13 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：本发明提供与现有技术相比能够延长聚焦环的寿命、提高等离子体处理装置的运转率并降低运行成本的聚焦环、等离子体处理装置和等离子体处理方法。聚焦环(15)的内周部(15a)的上表面被配置为与半导体晶片(W)的周边部的下表面相对，该聚焦环(15)的内周部(15a)的上表面和半导体晶片(W)的周边部下表面的距离(a)，在开始将聚焦环(15)使用于等离子体处理的时刻，即，在开始使用新的聚焦环(15)的时刻，构成为0.4mm以上。
聚焦等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理室-CN200610159359.9无效
发明人： 辻本宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-09-27 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种不受容器内压力影响，可检测容器内微粒情况的等离子体处理室(10)，其包括：腔室(11)、气体导入喷淋头(34)、向处理空间S施加高频电力的基座(12)、将腔室内的气体排出的排气装置、微粒计数器(45)、以及将腔室分隔成反应室(17)和总管(18)的隔板(14)。排气装置具有粗排气管(54)和主排气管(55)，该两个排气管分别具有向总管(18)内开口的粗排气口(56)和主排气口(57)，该两个排气口相邻排列，分别向微粒自由下落的路径开口。微粒计数器(45)配置在总管内，该微粒计数器的激光照射部(47)沿粗排气口和主排气口的排列方向照射检查用激光。
等离子体处理