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[发明专利]基片处理装置和基片处理装置的控制方法-CN202110429611.8在审
发明人： 田中一光;李黎夫;辻本宏;寺泽淳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供基片处理装置和基片处理装置的控制方法，在等离子体处理装置中，能够相对于吸引用的高频电功率调整以高功率对等离子体供给等离子体产生用的高频电功率的时刻。基片处理装置包括：载置基片的基片载置台；第一高频电源，其对上述基片载置台供给第一频率的第一高频电功率；阻抗变换器，其将从上述第一高频电源观察到的负载侧的阻抗变换为所设定的设定阻抗；第二高频电源，其对上述基片载置台供给比上述第一频率低的第二频率的第二高频电功率；和控制部，其控制上述阻抗变换器的上述设定阻抗，上述控制部根据基片处理来设定上述设定阻抗。
处理装置控制方法

[发明专利]基板处理装置及系统、基板处理装置及系统的控制方法-CN202110268824.7在审
发明人：辻本宏;田中一光 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置及系统、基板处理装置及系统的控制方法。基板处理装置具备：基板载置台，其用于载置基板；第一高频电源，其将第一频率的第一高频电力输出至所述基板载置台；第二高频电源，其将比所述第一频率低的第二频率的第二高频电力输出至所述基板载置台；以及控制部，其控制所述第一高频电源，其中，所述第一高频电源具备反射波检测器，该反射波检测器检测从所述基板载置台输入的反射波，所述控制部根据处理内容来决定设定值，控制所述第一高频电源以使有效功率成为所述设定值，所述有效功率是从所述第一高频电源的输出功率减去所述反射波检测器检测到的所述反射波的功率所得到的差。
处理装置系统控制方法