“赵栢衡”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果17个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]高密度的相随机存取存储器-CN200410046553.7有效
发明人：吴泂录;赵栢衡;金杜应;赵佑荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-06-02 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种包括多个存取晶体管和由多个存取晶体管共享的可变相薄膜的相随机存取存储器，每个存取晶体管包括漏极区。可变相薄膜通过第一电极连接到位线，并且通过多个第二电极中的至少一个连接到每个对应的漏极区。
高密度相随存取存储器

[发明专利]半导体存储器件的倒装芯片接口电路及倒装芯片接口方法-CN03108181.9无效
发明人：金杜应;赵栢衡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-03-31 - 公布日： 2003-11-19 - 主分类号： G06F3/00 文献下载
摘要：一种用于在安装导线框架的上表面和下表面组装两个相同的半导体芯片以形成一个倒装芯片封装的倒装芯片接口电路，其至少包括彼此以镜面对称方式对称形成在芯片上的第一和第二地址焊盘以及第一和第二绑定选择焊盘。第一和第二地址焊盘输入有用于选择第一和第二半导体芯片的操作的信号。第一和第二输入焊盘选择及芯片选择信号响应由芯片的第一和第二地址焊盘及第一和第二绑定选择焊盘得到的信号而输出，第一和第二半导体芯片选择信号响应第一和第二输入焊盘和芯片选择信号而输出，接口使能信号响应第一和第二半导体芯片选择信号而输出。
半导体存储器件倒装芯片接口电路方法