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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]防止莫尔可见性的图案结构和使用该图案结构的显示装置-CN201811091535.9有效
发明人： 赵恩亨;具本原;金铉埈;金海成;元正渊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10K59/10 文献下载
摘要：提供了一种用于防止莫尔图案变得可见的图案结构，以及使用该图案结构的显示装置。图案结构包括：第一元件图案，包括以第一间距规则排列的多个第一元件；第二元件图案，包括以第二间距规则排列的多个第二元件，第二元件图案设置在第一元件图案上；以及填充层，被配置为填充多个第二元件中的相邻第二元件之间的间隙。第二元件的透射率和填充层的透射率之间的差异为约5％或更小，因此，可以防止由于第一元件图案与第二元件图案的交叠而产生的莫尔图案变得可见。
防止莫尔可见图案结构使用显示装置

[发明专利]使用原子层沉积填充间隙的方法和设备-CN202110191386.9在审
发明人： 赵恩亨;H.李;李成熙;李政烨;C.T.阮 -专利权人：三星电子株式会社;仁川大学教产学协力团
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供了使用原子层沉积填充间隙的方法和设备。该方法包括通过将反应抑制剂吸附到间隙的侧壁上而形成第一反应抑制层、通过将第一反应物吸附到间隙的底部和间隙的在间隙的底部周围的侧壁上而形成第一前体层、以及在间隙的底部和间隙的在间隙的底部周围的侧壁上形成第一原子层。反应抑制剂包括不与第二反应物反应的前体材料。第一反应抑制层具有其中反应抑制剂的密度朝向间隙的底部减小的密度梯度。形成第一原子层包括将第二反应物吸附到第一前体层上。
使用原子沉积填充间隙方法设备

[发明专利]用于填充间隙的方法和设备以及通过该方法实现的器件-CN202110653245.4在审
发明人： 赵恩亨;H.李;李成熙;李政烨;C.T.阮 -专利权人：三星电子株式会社;仁川大学教产学协力团
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供了通过使用原子层沉积(ALD)方法来填充间隙的方法和设备以及通过该方法实现的器件。该方法包括通过将反应抑制剂吸附到间隙的侧壁上而形成第一反应抑制层、通过将第一反应物吸附到间隙的底部和间隙的在间隙的底部周围的侧壁上而形成第一前体层、以及在间隙的底部和间隙的在间隙的底部周围的侧壁上形成第一原子层。反应抑制剂包括不与第二反应物反应的前体材料。第一反应抑制层可以具有其中反应抑制剂的密度朝向间隙的底部减小的密度梯度。形成第一原子层包括将第二反应物吸附到第一前体层上。
用于填充间隙方法设备以及通过实现器件

[发明专利]透明电极和包括其的电子器件-CN201610991612.0有效
发明人：禹轮成;孙熙尚;辛源镐;赵恩亨;郭灿;朴贤哲;曹永真;高东秀;高雄;金光熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-11-10 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：示例性实施方式提供透明电极和包括其的电子器件，所述透明电极包括基底、形成于所述基底上并且包括由石墨烯或其衍生物形成的网状结构体的第一层、和形成于所述第一层上的第二层，其中石墨烯网状结构体包括多个孔并且所述第二层包括多个导电纳米线。
透明电极包括电子器件

[发明专利]纳米结构体、其制备方法及包括该纳米结构体的面板单元-CN201510770231.5在审
发明人： 赵恩亨;宋仁庸;李昌承;郭燦;金材官;李周浩;黄珍荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：实例实施方式涉及纳米结构体、其制备方法及包括该纳米结构体的面板单元，所述纳米结构体包括导电区和非导电区，其中所述导电区包括至少一根第一纳米线，和所述非导电区包括至少一根至少部分地截断的第二纳米线。
纳米结构制备方法包括面板单元

[发明专利]转移半导体元件的方法和制造柔性半导体器件的方法-CN201310415442.8在审
发明人： 赵恩亨;崔濬熙;孙镇升;文彰烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-09-12 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供了一种转移半导体元件的方法，其用于将形成在非柔性衬底上的半导体元件转移到柔性衬底。此外，本发明还提供了基于转移半导体元件的方法来制造柔性半导体器件的方法。生长或形成在衬底上的半导体元件可以在保持布置的同时有效地转移到树脂层。树脂层用作支撑竖直半导体元件的柔性衬底。
转移半导体元件方法制造柔性半导体器件

[发明专利]金属波导及其制造方法、光传输模块和热辅助磁记录头-CN201210171272.9无效
发明人： 赵恩亨;左圣熏;孙镇昇;徐成东 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-03-17 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提供一种金属波导及其制造方法、光传输模块以及热辅助磁记录头。所述金属波导包括金属体，该金属体由导电金属形成并且包括穿过该金属体形成的孔，所述孔具有输入端和输出端。所述孔具有：弯曲部分，用于改变所述输入端和输出端之间的光传播方向；锥形部分，位于所述弯曲部分和所述输出端之间。所述锥形部分的宽度朝着所述输出端逐渐减小，并且所述孔通过形成在所述金属体的内表面上的脊而形成为C形。
金属波导及其制造方法传输模块辅助记录

[发明专利]双面压印光刻系统-CN200810130342.X有效
发明人： 赵恩亨;左圣熏;孙镇昇;李斗铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-07-11 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种双面压印光刻系统，该双面压印光刻系统包括：介质支撑单元，支撑介质，其中，所述介质的两个表面涂覆有紫外(UV)硬化树脂；第一模具支撑单元和第二模具支撑单元，分别支撑第一模具和第二模具，并分别设置在介质支撑单元之上和之下；竖直运动装置，使介质支撑单元、第一模具支撑单元和第二模具支撑单元中的至少一个竖直地运动；第一UV照射装置，安装在第一模具支撑单元之上，以照射UV光线；第二UV照射装置，安装在第二模具支撑单元之下，以照射UV光线。
双面压印光刻系统

[发明专利]金属波导及其制造方法、光传输模块和热辅助磁记录头-CN200810085435.5无效
发明人： 赵恩亨;左圣熏;孙镇昇;徐成东 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-03-17 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明提供一种金属波导及其制造方法、光传输模块以及热辅助磁记录头。所述金属波导包括金属体，该金属体由导电金属形成并且包括穿过该金属体形成的孔，所述孔具有输入端和输出端。所述孔具有：弯曲部分，用于改变所述输入端和输出端之间的光传播方向；锥形部分，位于所述弯曲部分和所述输出端之间。所述锥形部分的宽度朝着所述输出端逐渐减小，并且所述孔通过形成在所述金属体的内表面上的脊而形成为C形。
金属波导及其制造方法传输模块辅助记录

[发明专利]利用磁畴壁的移动的信息存储装置及其制造方法-CN200710159774.9有效
发明人：林志庆;赵恩亨;左圣熏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种利用磁畴壁的移动的信息存储装置，该装置包括具有磁畴壁的写磁层。在该写磁层上形成叠置结构。所述叠置结构包括依次叠置的连接磁层和信息存储磁层。信息存储装置还包括用于读取存储在信息存储磁层中的信息的读取器。
利用磁畴壁移动信息存储装置及其制造方法

[发明专利]具有对准标记的图案模板及其制造方法-CN200710194762.X有效
发明人： 赵恩亨;左圣熏;孙镇昇;李斗铉;金海成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-12-03 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种图案模板及其制造方法，该图案模板包括柔性基底、形成在柔性基底上并包括图案的模板模子和对准标记，对准标记的折射率大于模板模子的折射率。通过提供包括图案区的主模板、在图案区涂覆用于模子的树脂、通过在用于模子的树脂上安装柔性板并通过照射UV射线固化用于模子的树脂来形成模板模子、将模板模子与主模板分离、在模板模子上涂覆薄的金属膜并在模板模子的两侧均形成对准标记，来制造该图案模板。
具有对准标记图案模板及其制造方法

[发明专利]磁记录介质及其制造方法-CN200710162731.6有效
发明人：林志庆;孙镇昇;李丙圭;赵恩亨;金海成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-10-08 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： G11B5/64 文献下载
摘要：提供一种磁记录介质及其制造方法。该磁记录介质包括基底和记录层，其中，记录层由多个磁点和无磁区形成，无磁区形成在基底上，用于分隔每一磁点。
记录介质及其制造方法

[发明专利]弯曲波导管及其制造方法、光传递模块和热辅助磁记录头-CN200710140113.1有效
发明人： 赵恩亨;徐成东;孙镇昇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-08-02 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：提供一种弯曲波导管，其包括：核，具有输入端和输出端，其中，输出端具有近场增强孔结构；金属包层，包围所述核。所述核被弯曲为曲形，所述曲形的曲率半径是透射光的强度相对于入射光的波长为最大时的谐振半径。因此，可将入射光的方向改变预定角度，同时保持传统近场增强孔的场增强特性，而不需要另外的光学元件。
弯曲波导管及其制造方法传递模块辅助记录

[发明专利]热辅助磁记录头及包括该热辅助磁记录头的记录设备-CN200710161636.4有效
发明人：徐成东;赵恩亨;孙镇昇;金玄帝 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-09-27 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：提供一种热辅助磁记录头和一种包括该热辅助磁记录头的记录设备。所述热辅助磁记录头包括：记录部分，产生用于将信息记录到磁记录介质上的磁场；以及波导管，用于传输光，被布置为靠近记录部分并朝磁记录介质发射所述光，其中，所述波导管包括：光入射面；锥形部分，具有沿入射到光入射面并进入波导管的光的传输方向逐渐变窄的截面；以及光发射面，在光通过锥形部分被传输之后，发射所述光。
辅助记录包括设备

[发明专利]用于纳米压印的模子及其制造方法-CN200710096093.2有效
发明人：李斗铉;孙镇升;李丙圭;赵恩亨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-04-13 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：提供了一种纳米压印模子及其制造方法，其能够用于将纳米级结构复制到聚合物层。所述纳米压印模子包括：基板；形成在所述基板上的含有凸凹图案的图案部分；在所述图案部分的表面上的硬化层，所述硬化层由具有比所述图案部分更高的硬度的材料形成；以及形成在所述硬化层的表面上的分离层。在本发明的纳米压印模子中，甚至可以将原始图案均匀复制在具有不规则表面的基板上。此外，能够防止图案被压力所损坏以及被合成树脂所污染，导致了更高的精度和图案的耐久性。
用于纳米压印模子及其制造方法

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