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[发明专利]一种半导体结构及其制作方法-CN202010193423.5有效
发明人：张康;赵维;贺龙飞;何晨光;吴华龙;李成果;刘云洲;陈志涛 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体材料制备技术领域。该半导体结构包括衬底，与所述衬底的生长面连接的模板层，其中，模板层的表面为非平行宏台阶表面，与宏台阶表面连接的P型掺杂AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN超晶格层，其中，x≠y且P型掺杂AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN超晶格层的Al组分在三维空间内不均匀分布。本申请提供的半导体结构及其制作方法具有提升了材料的空穴浓度以及提升了半导体结构的纵向导电率的效果。
一种半导体结构及其制作方法

[发明专利]一种采用MOCVD技术的近紫外LED及其制备方法-CN201911219335.1有效
发明人： 贺龙飞;赵维;张康;何晨光;吴华龙;廖乾光;陈志涛 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种采用MOCVD技术的近紫外LED及其制备方法，涉及半导体技术领域。近紫外LED包括衬底和在所述衬底上依次生长的缓冲层、高温层、n型AlmGa1－mN层、发光有源区、p型电子阻挡层、p型AlnGa1－nN层和接触层，其中，所述发光有源区的材料包括InxGa1－xN和AlyGa1－yN，所述p型电子阻挡层的材料包括Aly1Inx1Ga1－y1－x1N，0.001≤x＜y≤1，y，m，n均小于y1。近紫外LED能有效地增加电子限制效果和空穴注入效率，从而提高器件的量子效率和发光效率。
一种采用 mocvd 技术紫外 led 及其制备方法

[发明专利]反应腔预处理方法及氮化铝外延层制备方法-CN201911306196.6有效
发明人：吴华龙;赵维;何晨光;张康;贺龙飞;廖乾光;刘云洲;陈志涛 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明提供一种反应腔预处理方法及氮化铝外延层制备方法，属于晶体生长技术领域。反应腔预处理方法包括升高反应腔内温度至预设值；向反应腔通入含有氮源、镓源以及铝源的混合气体，以在反应腔盖体上沉积铝镓氮层。本发明的目的在于提供一种反应腔预处理方法及氮化铝外延层制备方法，能够在进行常规的氮化铝外延层制备之前对反应腔进行预处理，以便于对附着在反应腔盖体上的氮化铝进行高效清理。
反应预处理方法氮化外延制备

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN201811003843.1有效
发明人：吴华龙;陈志涛;赵维;何晨光;贺龙飞;张康 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。在本申请实施例中，在制备AlN厚膜时，先在衬底表面制作形成AlN成核层和表面调制AlN外延层，制备形成的表面调制AlN外延层能够促进位错弯曲湮没，降低外延结构的位错密度，可以提高外延结构的结晶质量。此外，在制作AlN厚膜时，在高速生长条件进行制备，使得AlN厚膜的制备速率更快，可以在短时间内制备得到厚度更厚、质量更好的AlN厚膜。制备得到的AlN厚膜表面更光滑，晶体质量更好，利于AlN厚膜制备的大规模产业应用。
半导体器件及其制备方法

[实用新型]一种利用不同粒径粉末复合烧结的油气水汽分离装置-CN201922234219.9有效
发明人：武振通;贺龙飞 -专利权人：新乡巴山航空材料有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： B01D46/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种利用不同粒径粉末复合烧结的油气水汽分离装置，包括支架，所述支架上端通过通管固定连接有分离箱，所述分离箱内上部中央分别设置有粗粉过滤层和细粉过滤层，所述细粉过滤层均匀烧结连接于粗粉过滤层外表面，且细粉过滤层外表面等距离设置有外引流槽，所述粗粉过滤层一端中部通过卡块卡接连接于定位腔内部一端中段设置的卡槽内部，所述粗粉过滤层另一端中部固定连接有导出板，且导出板由分离箱另一侧上部中段开设的导出口延伸出分离箱内部。本实用新型通过设置粗粉过滤层、细粉过滤层、导出板、卡块和卡槽结构，具有提高油气水汽分离效率，便于进行分离结构安装拆卸的优点。
一种利用不同粒径粉末复合烧结油气水汽分离装置

[实用新型]一种含不同熔点相变材料的半透明玻璃窗-CN201920631253.7有效
发明人：郭文芳;张富宾;徐靖;曾普鑫;贺龙飞 -专利权人：江苏大学
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： E06B3/66 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种含不同熔点相变材料的半透明玻璃窗，包括窗框，窗框内安装的玻璃由外侧玻璃、中侧玻璃、内侧玻璃三层组成，外侧玻璃及中侧玻璃之间、中侧玻璃及内侧玻璃之间均设置有若干半透明导管，中侧玻璃两侧的半透明导管分别通过驱动装置连接在一起，中侧玻璃两侧的半透明导管在驱动装置的作用下均能够上升或下降，高熔点相变材料置于外侧玻璃及中侧玻璃间的半透明导管内，低熔点相变材料置于中侧玻璃及内侧玻璃间的半透明导管内。本实用新型在不同的季节温度下使用不同熔点的相变材料，通过玻璃隔层内导管的升降，在夏季使用高熔点的相变材料，冬季使用低熔点的相变材料，提高不同季节房屋居住的舒适度。
一种不同熔点相变材料半透明玻璃窗

[实用新型]一种采用新型电子阻挡层的紫外发光器件-CN201922133639.8有效
发明人： 贺龙飞;赵维;张康;何晨光;吴华龙;刘云洲;王巧;陈志涛 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种采用新型电子阻挡层的紫外发光器件，涉及半导体技术领域。所述紫外发光器件包括衬底和在所述衬底上依次生长的低温缓冲层、高温层、n型AlmGa1‑mN层、发光有源区、p型复合电子阻挡层、p型AlnGa1‑nN层和接触层；其中，所述p型复合电子阻挡层包括沿生长方向依次形成的p型L1层和p型L2层。紫外发光器件能够有效地增加电子限制效果、增强空穴注入效率，以及载流子注入时的电流扩展能力，从而提高紫外发光二极管的在量子阱中的辐射复合速率，改善器件的发光效率。
一种采用新型电子阻挡紫外发光器件

[发明专利]氮化铝自支撑衬底及其制备方法-CN201811648628.7有效
发明人：何晨光;陈志涛;赵维;吴华龙;贺龙飞;张康;廖乾光;刘云洲 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2018-12-30 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化铝自支撑衬底及其制备方法，涉及半导体技术领域。在制作快速生长高温氮化铝层时，在氮化铝材料没有将三维岛状结构之间的间隙填充满的情况下，氮化铝材料快速合拢，没有被氮化铝材料填充满的三维岛状结构之间的间隙就可以形成大量的空洞，这些空洞可以减少快速生长高温氮化铝层和低温氮化铝层之间的接触面积，使快速生长高温氮化铝层和氮化铝厚膜在晶格失配和热失配应变的作用下可以同其他层自分离，得到自支撑衬底。高密度、小尺寸的空洞有利于释放应变防止表面开裂，提供了位错中止的自由面降低贯穿位错密度，得到位错密度很低的自支撑衬底。该方法分离工序简单，成品率高，可实现高质量氮化铝自支撑衬底的大规模产业化。
氮化支撑衬底及其制备方法

[实用新型]一种激光匀化装置-CN201922009841.X有效
发明人：刘伟;贺龙飞;丁新生 -专利权人：深圳市安星数字系统有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： G02B27/09 文献下载
摘要：本实用新型提供一种激光匀化装置，该激光匀化装置包括包括激光发射器、压电摆镜、驱动电路及激光镜头，压电摆镜与驱动电路连接，激光镜头设置在反射光路上，压电摆镜表面粘贴一层全反射膜；激光发射器发出的激光束照射到全反射膜上，压电摆镜根据驱动电路的电压和频率高速摆动，使激光束发生高速偏转后再进入激光镜头进行光束缩放，从而使激光束以高速抖动的方式均匀照射到照射目标上。本实用新型通过调节驱动电路的电压和频率，实现压电摆镜摆动角度和摆动频率的调节，使激光束能够在照射目标上实现指定的幅度进行扫描，从而实现宽幅照射的效果，匹配16：9宽屏幕，充分利用激光光源，避免资源的浪费。
一种激光化装

[发明专利]垂直结构器件及其制备方法-CN201811648631.9有效
发明人：何晨光;陈志涛;赵维;吴华龙;张康;贺龙飞;刘晓燕;刘云洲;廖乾光;曾昭烩 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2018-12-30 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直结构器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。通过在低温氮化铝层通过形成三维岛状结构，三维岛状结构之间具有间隙，制作高温氮化铝层时，氮化铝材料没有将三维岛状结构之间的间隙填充满的情况下，氮化铝材料就会快速合拢形成将三维岛状结构封闭的高温氮化铝层，没有被氮化铝材料填充满的三维岛状结构之间的间隙就可以在低温氮化铝层和高温氮化铝层的界面处形成大量的空洞，这些空洞可以使得低温氮化铝层和高温氮化铝容易分离。同时通过将高温氮化铝层刻蚀去除后形成粗糙的表面，在发光器件中，粗糙的表面有利于减少全反射，提高发光器件的光提取效率。
垂直结构器件及其制备方法

[实用新型]一种桥墩竖向拼接结构-CN201921326565.3有效
发明人：李传习;贺龙飞;贺君;聂洁 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： E01D19/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种桥墩竖向拼接结构，包括上端连接钢筋、金属波纹管和下端连接钢筋，所述上端连接钢筋的上端锚固在桥墩内，下端从金属波纹管的顶端伸入金属波纹管，所述金属波纹管和下端连接钢筋均预埋在承台内，下端连接钢筋从金属波纹管的底端伸入金属波纹管，在金属波纹管的底端设置有密封止浆环，在桥墩和承台之间预制有UHPC垫层，在金属波纹管内填充有UHPC灌浆料，在金属波纹管之间布置有纵向补充钢筋。采用该结构的桥墩竖向拼接结构，有效改善了桥墩竖向拼接的粘结强度、抗拉强度和可靠度。
一种桥墩竖向拼接结构

[发明专利]一种垂直结构光电器件及其制备方法-CN201911256055.8在审
发明人：何晨光;陈志涛;贺龙飞;赵维;吴华龙;张康;廖乾光;刘云洲 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构光电器件及其制备方法，半导体器件制备技术领域，能够解决现有技术的垂直结构光电器件采用短波长激光器进行剥离，存在无法剥离或剥离良率低的问题。制备方法包括在蓝宝石衬底上外延设置光吸收层，光吸收层的吸收波长大于高铝组分氮化物材料的吸收波长；在光吸收层上依次生长高铝组分氮化物材料外延层以及光电器件外延结构，制作形成光电器件芯片结构；在光电器件芯片结构远离光吸收层的一侧固定二次衬底；剥离蓝宝石衬底并去除非电极接触层，形成垂直结构光电器件，其中，非电极接触层包括光吸收层和高铝组分氮化物材料外延层。
一种垂直结构光电器件及其制备方法

[发明专利]一种采用复合电子阻挡层的紫外发光器件及其制备方法-CN201911215981.0在审
发明人： 贺龙飞;赵维;张康;何晨光;吴华龙;刘云洲;王巧;陈志涛 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种采用复合电子阻挡层的紫外发光器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述紫外发光器件包括衬底和在所述衬底上依次生长的低温缓冲层、高温层、n型AlmGa1‑mN层、发光有源区、p型复合电子阻挡层、p型AlnGa1‑nN层和接触层；其中，所述p型复合电子阻挡层包括沿生长方向依次形成的p型L1层和p型L2层。紫外发光器件能够有效地增加电子限制效果、增强空穴注入效率，以及载流子注入时的电流扩展能力，从而提高紫外发光器件的在量子阱中的辐射复合速率，改善器件的发光效率。
一种采用复合电子阻挡紫外发光器件及其制备方法

[发明专利]一种激光匀化装置及方法-CN201911140066.X在审
发明人：刘伟;贺龙飞;丁新生 -专利权人：深圳市安星数字系统有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G02B27/09 文献下载
摘要：本发明提供一种激光匀化装置及方法，该激光匀化装置包括包括激光发射器、压电摆镜、驱动电路及激光镜头，压电摆镜与驱动电路连接，激光镜头设置在反射光路上，压电摆镜表面粘贴一层全反射膜；激光发射器发出的激光束照射到全反射膜上，压电摆镜根据驱动电路的电压和频率高速摆动，使激光束发生高速偏转后再进入激光镜头进行光束缩放，从而使激光束以高速抖动的方式均匀照射到照射目标上。本发明通过调节驱动电路的电压和频率，实现压电摆镜摆动角度和摆动频率的调节，使激光束能够在照射目标上实现指定的幅度进行扫描，从而实现宽幅照射的效果，匹配16：9宽屏幕，充分利用激光光源，避免资源的浪费。
一种激光化装方法

[发明专利]一种测定LED寿命的方法及装置-CN201711450634.7有效
发明人：王巧;陈志涛;刘宁炀;王君君;贺龙飞;林丹;胡金花 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及半导体照明及光电测试技术领域，提供一种测定LED寿命的方法及装置，所述方法包括：获取测试样本在第一条件下的测量数据；根据所述测量数据，拟合出所述测试样本的内量子效率在任意一个预设温度下随着该预设温度对应的多个预设电流变化的第一变化曲线；根据所述测试样本的内量子效率在每个预设温度下的第一变化曲线，找出所述内量子效率达到预设阈值时对应的预设温度，并将所述预设温度设置为测定LED寿命的试验温度。本发明中，测试样本的测量数据的获取操作简单、测试耗时短，整个测试可以在一天或数小时内完成，与现有技术需要7～10天相比，测试效率有极大地提升。
预设测试样本内量子效率测量数据变化曲线光电测试技术半导体照明测试测试效率第一条件温度设置预设电流阈值时拟合耗时试验