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[发明专利]开关电容采样检测电路及应用其电路的电池保护芯片-CN202310737486.6在审
发明人：王阳;张启东 -专利权人： 西安矽源半导体有限公司;西安电子科技大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种开关电容采样检测电路及应用其电路的电池保护芯片，本发明通过采用可调采样电容阵列和时钟交错开关模块对电池电压进行采样，同时这样可以应用芯片内部的低压参考电压进行比较，并通过调节可调采样电容阵列容值比例来设置不同的采样输出电压，这样同一个采样比较电路便可以分时复用，提高复用性，实现多种不同的采样检测功能，简化结构节省芯片面积；通过判断不同检测功能时比较锁存模块放大器和比较器所需要的偏置电流大小，偏置模块可以调节给比较所存模块不同的电流，实现低功耗优化。
开关电容采样检测电路应用电池保护芯片

[发明专利]高压开关电路及使用该电路的电池监测高压多路复用器-CN202310735627.0在审
发明人：王阳;张启东 -专利权人： 西安矽源半导体有限公司;西安电子科技大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03K17/693 文献下载
摘要：本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种高压开关电路及使用该电路的电池监测高压多路复用器，本发明在高压开关中设计了能够防止开关反向导通的单元，能够严格闭关非采样通路，使严格关闭的通道不对正常采样通道产生影响，保证了采样的精度；通过内置采样脉冲模块，配合时序采样脉冲模块产生的脉冲信号能极大地提高大采样电容充电速度，保证采样速度的前提下大大节省功耗；本发明没有增加太多额外的电路，而是通过巧妙的设计解决了现有技术存在的问题，高压采样开关结构简单，可靠性高。
高压开关电路使用电路电池监测多路复用

[发明专利]一种高阶曲率校正带隙基准电路-CN202310874734.1在审
发明人：刘婷婷;张启东 -专利权人： 西安矽源半导体有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明涉及带隙基准电路技术领域，具体涉及一种高阶曲率校正带隙基准电路，本发明基于CMOS结构的电流模带隙基准电路提出了一种新的低温漂带隙基准电路。根据VEB与温度的高阶非线性关系，采用一对工作在亚阈值区的MOS管得到了近似于VEB且与VEB呈超越方程关系的负温度系数电压，该负温度系数电压不存在二阶温度项，采用高阶非线性电流对其三阶温度特性进行补偿后得到了更低温度系数的基准电压。
一种曲率校正基准电路

[发明专利]一种单端口配置多位器件地址的方法及系统-CN202310721766.8有效
发明人：李二鹏;张启东 -专利权人： 西安矽源半导体有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G06F3/05 文献下载
摘要：本发明涉及数据处理技术领域，具体涉及一种单端口配置多位器件地址的方法及系统，通过增量型ADC将输入电压转换为与增量型ADC分辨率位数相同的数字码，此时通过一个地址引脚和一个接地引脚即可实现为增量型ADC输入电压得到多位的数字码，通过对数字码的截取即可得到对应位数的数字码，将截取得到的数字码作为地址码即可实现通过一个地址引脚完成多位地址码的配置，降低芯片的尺寸，同时也降低了芯片的成本，满足实际使用需求。
一种端口配置器件地址方法系统

[发明专利]一种基于FPGA的谐振变换电路及其方法-CN202310825109.8有效
发明人：查伟杰;张启东 -专利权人： 西安矽源半导体有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明涉及数字电源技术领域，具体涉及一种基于FPGA的谐振变换电路及其方法，利用FPGA控制电路，根据基准电压和当前输出电压之间的误差通过PID算法计算得到DPFM步长信号而非频率，从而能够显著降低数字PID控制电路中比例系数、积分系数和微分系数的数值，在数字电路中无需存储大数值，降低对于硬件资源的占用，降低硬件需求，减少硬件开销；同时将DPFM步长信号通过移位处理得到占空比固定的开关控制信号，而不需改变计数的方式，降低处理难度，进一步降低硬件需求。
一种基于 fpga 谐振变换电路及其方法

[发明专利]一种降压型变换器自适应数字补偿控制方法及系统-CN202310744224.2有效
发明人：付兆殊;张启东 -专利权人： 西安矽源半导体有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H02M3/157 文献下载
摘要：本发明涉及数字电源控制技术领域，具体涉及一种降压型变换器自适应数字补偿控制方法及系统，根据应用负载环境细化负载范围，建立不同负载情况下的负载区间补偿参数，使得在负载变化时对电压的调节更加精准；同时根据负载情况为轻负载或者重负载来进行补偿控制信号的计算，保证在负载变化时也能够根据实际负载情况选择合适的负载区间补偿参数计算得到补偿控制信号，根据得到的补偿控制信号进行开关控制使得数字电源的输出电压达到稳定的时间短，数字电源的输出电压的稳定性高，满足实际对输出电压小纹波的需求。
一种降压变换器自适应数字补偿控制方法系统

[发明专利]一种混合模式平均电流计算电路及方法-CN202310957649.1在审
发明人：范修荣;张启东 -专利权人： 西安矽源半导体有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子技术领域，具体涉及一种混合模式平均电流计算电路及方法，根据开关电路的开关频率导通或者关闭，使得PFC控制器处于不同模式时，同时根据采集电流是否为0判断PFC控制器处于DCM电流模式或者CCM电流模式，根据数字载波的峰值和/或数字载波峰值一半时的采集电流得到PFC控制器CCM模式平均电流，根据开关电路导通一半时的采集电流、开关电路的导通时长和采集电路采集电流为0的时间计算得到PFC控制器DCM模式平均电流，从而方便对PFC控制器DCM模式下的平均电流进行计算，降低计算难度；同时计算精度更高，满足实际需求。
一种混合模式平均电流计算电路方法

[发明专利]用于电池监测的双绞线隔离型通讯传输方法-CN202310899685.7在审
发明人：韩学婧;张启东 -专利权人： 西安矽源半导体有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H04B3/54 文献下载
摘要：本发明属于大容量电池监测技术领域，涉及多个大容量电池监测的信号传输技术，具体为用于电池监测的双绞线隔离型通讯传输方法，能够实现SPI接口与双绞线接口相互转换，具有更高的兼容性、安全性和抗干扰性；本发明定义了一种独特的主从通讯协议，包括写指令流程、读指令流程以及回读数据，每种指令均由48位码流构成，并通过完善定义通讯协议中时序，实现了采用主接口芯片和从接口芯片连接在隔离器件之间提供双绞线通信，避免了一微控制器和多电池管理模块应用中的数据冲突。
用于电池监测双绞线隔离通讯传输方法

[发明专利]用于电池监测的双绞线通讯接口芯片及其传输系统-CN202310871903.6在审
发明人：韩学婧;张启东 -专利权人： 西安矽源半导体有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H04B3/54 文献下载
摘要：本发明涉及大容量电池监测技术领域，具体涉及一种用于电池监测的双绞线通讯接口芯片及其传输系统，包括双绞线接口电路、SPI接口电路和数字主控模块，双绞线接口电路采用“平衡”差分双绞线，使得两条线上的噪声大致相同，保证了差模信号相对不受影响，而采取交流隔离的方式又抑制了共模噪声，可以实现几百伏的隔离；将SPI类型信息编码成绞线类型数据进行传输，避免四路隔离通道，保证信号在外界干扰较大时仍然能安全可靠的跨电压域传输；从而实现将SPI接口与双绞线接口相互转换，具有更高的安全性和抗干扰性，并简化连线，同时也可以应用于其他使用SPI协议的监控设备。
用于电池监测双绞线通讯接口芯片及其传输系统

[发明专利]一种埋层齐纳二极管及其制造方法-CN202310729385.4在审
发明人：陈贺;张启东 -专利权人： 西安矽源半导体有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/866 文献下载
摘要：本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种埋层齐纳二极管及其制造方法，在半导体硅衬底上设置P型外延层，在P型外延层上形成N型深阱，并在N型深阱中形成P阱，通过在P阱中形成P型双扩散阱和位于P型双扩散阱顶部的N型区，从而在半导体P型外延层中形成位于N型区与P型双扩散阱之间的PN结，使得PN结的击穿发生在P型外延层中，可以有效的克服PN结击穿发生在表面的表面齐纳二极管噪声高、时间稳定性差以及开启漂移等缺点，使得埋层齐纳二极管的噪声更低、时间稳定性好避免漂移，保证击穿电压的稳定，满足实际使用需求。
一种齐纳二极管及其制造方法

[发明专利]一种提高E-fuse烧写成功率的烧写方法及系统-CN202310404649.9在审
发明人：张道明;张启东 -专利权人： 西安矽源半导体有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G06F8/61 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路设计技术领域，具体涉及一种提高E‑fuse烧写成功率的烧写方法及系统，通过对烧写信息的计算，得到烧写信息中待熔断E‑fuse的数量，并得到待熔断E‑fuse在烧写信息中的位置，按照烧写信息中每一位是否存在待熔断E‑fuse来设定烧写控制信息，使每一个烧写控制信息中存在一个待熔断E‑fuse，随后依次将烧写控制信息输入E‑fuse阵列中，使与待熔断E‑fuse对应的E‑fuse熔断，从而在接收到一个烧写控制信息时完成一个E‑fuse的烧写，从而使单次的烧写电流较低，保证烧写电流电压稳定，降低烧写难度，提高烧写稳定可靠性，避免漏烧或者熔断不彻底的问题，提高烧写成功率。
一种提高 fuse 写成功率方法系统

[发明专利]一种利用电荷泵的SPI唤醒检测方法及唤醒检测电路-CN202211698596.8在审
发明人：王逸舟;张启东 -专利权人： 西安矽源半导体有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：本发明提出了一种利用电荷泵的SPI唤醒检测方法及唤醒检测电路，属于集成电路技术领域，其包括1)接收使能信号和时钟信号；2)检测唤醒标志信号是否满足唤醒条件。本发明对使能信号CSB、时钟信号SCLK、电流使能唤醒标志信号icsb_wkp和电流时钟唤醒标志信号isck_wkp进行逻辑运算后对SPI通信模块进行唤醒检测；实现了菊花链模式的SPI通讯模块中底层芯片的电压模式唤醒检测和非底层芯片的电流模式唤醒检测，能够更灵敏地检测到有效的唤醒信号，很好地解决了菊花链模式下SPI通讯模块的唤醒检测问题，降低了菊花链模式下SPI通讯模块的工作能耗。
一种利用电荷 spi 唤醒检测方法电路

[发明专利]用于节省芯片内部资源的E-fuse读取电路及烧写方法-CN202211558580.7在审
发明人：张道明;张启东 -专利权人： 西安矽源半导体有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G06F30/33 文献下载
摘要：本发明提出了用于节省芯片内部资源的E‑fuse读取电路及烧写方法，包括E‑fuse主电路、Blown_en端口、Trim_sel端口和E‑fuse_readback端口，E‑fuse主电路包括基础电路、传输门、选择器、Trim_reg端口和Trim_out端口，Blown_en端口、Trim_reg端口、传输门和选择器均与基础电路连接，E‑fuse_readback端口与传输门连接，Trim_out端口和Trim_sel端口均与选择器连接，传输门和选择器均与Trim_reg端口连接。本发明能够对E‑fuse主电路中E‑fuse的烧写状态作出快速、准确地判断，避免E‑fuse存在漏烧写的情况。
用于节省芯片内部资源 fuse 读取电路方法

[发明专利]基于电池参数补偿的电池荷电状态估算方法及系统-CN202210950967.0在审
发明人：张道明;张启东 -专利权人： 西安矽源半导体有限公司;西安电子科技大学
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G01R31/367 文献下载
摘要：本发明涉及电池管理技术领域，尤其涉及一种基于电池参数补偿的电池荷电状态估算方法及系统，通过电池最大可用电荷量、不同温度下OCV‑SOC关系曲线和电池模型的阻容参数关系曲线，建立扩展卡尔曼滤波模型，通过每一次电池温度改变来更新扩展卡尔曼滤波模型矩阵中的参数，实时对扩展卡尔曼滤波模型进行校正，通过校正后的扩展卡尔曼滤波模型再对电池荷电状态进行估算，使得对电池荷电状态的估算更加精准。
基于电池参数补偿状态估算方法系统

[发明专利]利用扰动处理SAR-ADC量化误差校正的方法和系统-CN202210965266.4在审
发明人：王逸舟;张启东 -专利权人： 西安矽源半导体有限公司;西安电子科技大学
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H03M1/10 文献下载
摘要：本发明提出了利用扰动处理SAR‑ADC量化误差校正的方法和系统，属于数据处理技术领域，其包括1)SAR‑ADC采样差分模拟信号Vp和Vn；2)对采样的差分模拟信号Vp和Vn进行量化；3)注入扰动周期TD，在扰动周期TD内辅助DAC电容阵列在SAR‑ADC主电容阵列的正相和/或SAR‑ADC主电容阵列的负相分别随机注入扰动VDp与VDn，对差分模拟信号Vp和Vn的最低位数字信号重新进行M次量化，M次量化完成后产生M1个正校正码和M0个负校正码，利用在差分SAR‑ADC量化过程中引入随机扰动的方法，在不改变SAR‑ADC主电容阵列的情况下降低量化分辨率带来的量化误差，提高了SAR‑ADC的精度。
利用扰动处理 sar adc 量化误差校正方法系统

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