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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法以及包括其的有机发光显示装置-CN201711475746.8有效
发明人： 裵钟旭;张容豪 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/786 文献下载
摘要：公开了薄膜晶体管及其制造方法以及包括其的有机发光显示装置，其中，即使不将源电极连接至驱动晶体管的底栅电极，也可以增强驱动晶体管的驱动稳定性。薄膜晶体管包括N型半导体层、在N型半导体层上的P型半导体层、在P型半导体层上的第一栅电极、在第一栅电极和P型半导体层之间的栅极绝缘层、连接至P型半导体层的第一侧的第一源电极、以及连接至P型半导体层的第二侧的第一漏电极。
薄膜晶体管及其制造方法以及包括有机发光显示装置

[发明专利]氧化物TFT、其制造方法、使用其的显示面板和显示装置-CN201611270971.3有效
发明人： 裵钟旭;张容豪;裵俊贤;智光焕;尹弼相;卢智龙 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了氧化物薄膜晶体管、其制造方法以及使用其的显示面板和显示装置，其中，在由氧化物半导体形成的半导体层的端部处设置有第一导电部和第二导电部。第一导电部和第二导电部电连接到第一电极和第二电极，并且被栅极绝缘层覆盖。氧化物TFT包括：设置在缓冲层上的并且包含氧化物半导体的半导体层；覆盖半导体层和缓冲层的栅极绝缘层；设置在栅极绝缘层上以与半导体层的一部分交叠的栅电极；以及覆盖栅电极和栅极绝缘层的钝化层。
氧化物 tft 制造方法使用显示面板显示装置

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板-CN201580065784.9有效
发明人：白朱爀;裵钟旭;塞鲁恩特·洪;李道炯;朴泰昱 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施方案的薄膜晶体管阵列基板包括有源层、中间层、栅极绝缘膜、栅电极、层间绝缘膜、源电极以及漏电极。有源层位于基板上，并且栅极绝缘膜位于有源层上。栅电极位于栅极绝缘膜上，并且层间绝缘膜位于栅电极上。源电极和漏电极位于层间绝缘膜上并且连接至有源层。中间层位于有源层与栅极绝缘膜之间，并且由包含第IV族元素的氧化物半导体制成。
薄膜晶体管阵列

[发明专利]显示装置-CN201410816857.0有效
发明人：秋教燮;裵钟旭;赵宝敬 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：公开了一种显示装置，该显示装置可以包括：基板，该基板被划分为显示区域和该显示区域以外的非显示区域；第一光屏蔽膜，该第一光屏蔽膜形成在所述显示区域中；第二光屏蔽膜，该第二光屏蔽膜形成在所述非显示区域中；以及氧化物薄膜晶体管和有机发光二极管，该氧化物薄膜晶体管和该有机发光二极管形成在所述第一光屏蔽膜上，其中，所述第一光屏蔽膜和所述第二光屏蔽膜彼此间隔开。
显示装置

[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法-CN201410693939.0在审
发明人：秋教燮;裵钟旭;赵宝敬 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：有机发光二极管显示装置及其制造方法。OLED显示装置包括：第一氧化物半导体层，其包括第一区至第四区；第一绝缘层，其在该第一氧化物半导体层上；第一栅极，其在该第一绝缘层上并且与该第一区完全交叠；第一存储电极，其从该第一栅极延伸并且与该第二区交叠；第二绝缘层，其覆盖该第一栅极和该第一存储电极并且将该第三区和第四区露出；第一源极和第一漏极，其在该第二绝缘层上并且接触该第三区和该第四区；发光二极管，其连接到该第一漏极，其中，在除了该第一存储电极的中心之外的该第一存储电极的边缘处的该第二区的一部分是导电的，以形成第二存储电极，该第一存储电极、该第二存储电极和该第一绝缘层构成第一存储电容器。
有机发光二极管显示装置及其制造方法

[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制造方法-CN201310421396.2在审
发明人： 裵钟旭 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2013-09-16 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本公开涉及氧化物薄膜晶体管及其制造方法。在根据本公开的利用非晶氧化锌（ZnO）半导体作为有源层的氧化物薄膜晶体管中，可通过将源极和漏极形成为具有至少两层的多层结构、以及在多层源极和多层漏极上采用包括用于克服缺陷的下层和用于最小化外部影响的上层的双钝化层结构以提高器件的稳定性和可靠性，来最小化由干法蚀刻导致的对氧化物半导体的损害。
氧化物薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]氮氧化物去除装置及其氮氧化物去除方法-CN201310183470.1有效
发明人：李东俊;裵钟旭;林健 -专利权人：戴科有限公司
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： B01D53/94 文献下载
摘要：本发明提供一种有效地去除排气中所含有的氮氧化物的装置及其去除方法。根据本发明氮氧化物的去除装置，包括还原剂供给机，通过利用第一发动机排气的热能的热反应，由初始物质生成还原剂；和催化还原部，利用还原剂所产生的催化还原反应，去除第二发动机排气所含有的氮氧化物，而第二发动机的排气不通过还原剂供给机直接提供于催化还原部。
氧化物去除装置及其方法

[发明专利]液晶显示设备及其制造方法-CN201010251468.X有效
发明人： 裵钟旭;徐铉植;康任局 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2010-08-10 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：公开一种使用基于无定型氧化锌的半导体作为有源层的液晶显示设备及其制造方法，包括：在阵列基板上形成栅极电极和栅极线；在形成栅极电极和栅极线的阵列基板上形成栅极绝缘层；在形成栅极绝缘层的栅极电极上形成基于无定型氧化锌的半导体形成的有源层；在有源层上以类似“H”的形状形成遮掩除接触区域之外的有源层的蚀刻阻挡层；在有源层上形成与有源层的接触区域电连接的源极和漏极电极，并形成通过与栅极线相交来限定像素区域的数据线；在形成源极和漏极电极以及数据线的阵列基板上形成钝化层；通过移除钝化层的部分区域形成用于暴露部分漏极电极的接触孔；形成通过接触孔与漏极电极电连接的像素电极；以面对方式粘结阵列基板和滤色器基板。
液晶显示设备及其制造方法

[发明专利]氧化物薄膜晶体管的制造方法-CN200910266314.5有效
发明人：金大元;裵钟旭 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明涉及氧化物薄膜晶体管的制造方法。根据该制造方法，当通过使用非晶态氧化锌(ZnO)基半导体作为有源层制造薄膜晶体管时，通过在使用溅射器沉积氧化物半导体后经由控制氧气(O2)流在原位沉积具有氧化物特性的绝缘层，可减少单品生产时间并获得增强的元件特性，该方法包括下面步骤：在基板上形成栅极；在基板上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上沉积由非晶态氧化锌基半导体制成的非晶态氧化锌基半导体层并在原位沉积具有氧化物特性的非晶态氧化锌基绝缘层；在栅极上方形成由非晶态氧化锌基半导体制成的有源层，同时在有源层的沟道区上形成由非晶态氧化锌基绝缘层制成的沟道保护层；并且在有源层上方形成与有源层的源区和漏区电连接的源极和漏极。
氧化物薄膜晶体管制造方法

[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制造方法-CN200910207090.0有效
发明人： 裵钟旭;徐铉植;金能烨 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：氧化物薄膜晶体管及其制造方法。一种制造液晶显示(LCD)设备的方法包括以下步骤：在基板上形成栅极；在基板上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成主有源层，在该主有源层的沟道区域的侧面具有锥形部分，并且在主有源层上形成源极和漏极；以及在源极和漏极上形成次有源层，该次有源层由基于非晶氧化锌的半导体制成并与主有源层的锥形部分接触，其中在对源极和漏极进行湿刻期间以低选择性来蚀刻主有源层，以使其具有锥形部分。
氧化物薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]制造阵列基板的方法-CN200910261088.1有效
发明人：徐铉植;裵钟旭;金大焕 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2009-12-22 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种制造阵列基板的方法，该阵列基板用于显示设备，该方法包括：在基板上形成栅极线和栅极；形成栅极绝缘层和本征非晶硅层；形成氧化物半导体层并增强其导电性能；形成金属层；形成第一和第二光致抗蚀剂图案，第二光致抗蚀剂图案具有比第一光致抗蚀剂图案更薄的厚度；形成数据线、源漏极图案、氧化物半导体图案和有源层；去除第二光致抗蚀剂图案并暴露源漏极图案；用第一蚀刻剂湿蚀刻源漏极图案以形成源、漏极；用第二蚀刻剂湿蚀刻氧化物半导体图案以形成欧姆接触层；去除第一光致抗蚀剂图案；在源、漏极上形成具有暴露漏极的漏极接触孔的钝化层；及形成通过漏极接触孔连接到漏极的像素电极，其中有源层在开关区域中具有均匀的厚度。
制造阵列方法

[发明专利]形成多晶硅层以及制作多晶硅薄膜晶体管的方法-CN03147935.9无效
发明人：金彬;金海烈;裵钟旭 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2003-06-27 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种形成多晶硅层的方法，包括：在衬底上形成一个非晶硅层；在非晶硅层上沉积一种催化剂金属；沿第一方向设置接触非晶硅层的第一和第二电极；在第一温度下加热非晶硅层，并同时对第一和第二电极施加第一电压而形成初次结晶非晶硅层；沿第二方向设置接触初次结晶非晶硅层的第三和第四电极，第二方向与第一方向不同；并且在第二温度下加热初次结晶非晶硅层并同时对第三和第四电极施加第二电压而形成二次结晶非晶硅层。
形成多晶以及制作薄膜晶体管方法

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