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[发明专利]一种集成肖特基势垒二极管的GaN RC-HEMT器件-CN202310851455.3在审
发明人：周琦;吴桐;王皓晨;衡姿余;李竞研;熊琦;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其是涉及一种集成肖特基势垒二极管的GaN RC‑HEMT器件。本发明在传统GaN HEMT的基础上集成了肖特基势垒二极管，当漏极施加负压的绝对值增大到能够克服源极肖特基金属的势垒时，器件开始反向导通，此时通过AlGaN/GaN异质结沟道下方的肖特基势垒二极管续流，电流从阳极出发经过N型重掺杂GaN层到达阴极，器件的反向导通电压不受栅极阈值电压的影响；当漏极施加负压的绝对值进一步增大到一定程度时，器件上方HEMT结构栅下的2DEG沟道开启，进一步增加器件的反向导通电流。正向阻断时，栅极零偏，P‑GaN使栅极下方2DEG沟道被耗尽，实现器件增强型。本发明在实现了反向导通电压不受栅极阈值电压影响的同时，避免了器件电流能力下降，增大了最大电流密度。
一种集成肖特基势垒二极管 gan rc hemt 器件

[发明专利]一种氮化镓P沟道器件-CN202210174673.3在审
发明人：周琦;蔡永莲;陈匡黎;王守一;衡姿余;李竞研;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，涉及一种氮化镓P沟道器件(P‑MOSFET)。本发明中氮化镓P‑MOSFET的AlGaN势垒层具有渐变Al组分，利用渐变Al组分AlGaN势垒层和P‑GaN沟道层之间的极化效应，在P‑GaN/AlGaN异质结界面产生二维空穴气(2DHG)，形成导电空穴沟道，从而形成氮化镓P‑MOSFET。本发明的有益效果：利用渐变Al组分AlGaN势垒层，可以通过调节渐变Al组分AlGaN势垒层中各层的Al组分调节AlGaN与P‑GaN沟道层之间的极化强度，从而调节极化产生的2DHG浓度、氮化镓P‑MOSFET的阈值电压和电流能力；同时，也可以通过调节AlGaN势垒层中各层的Al组分，调节AlGaN/GaN异质结界面二维电子气(2DEG)浓度，从而实现氮化镓P‑MOSFET和氮化镓N‑MOSFET的单片集成。
一种氮化沟道器件