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[实用新型]净化帽-CN201822103361.5有效
发明人：刘彬彬;董国波;李嘉泰 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： B01D46/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种净化帽，该净化帽包括：帽体、与该帽体连接的帽檐以及设置在该帽檐上的净化装置，通过将净化装置设置在帽子上，使得该净化帽实现净化的功能，且移动或携带方便，利于推广应用，且将该净化装置的进气口设置在该帽檐底面，能够有效快速收集二手烟，净化速度快。另外，通过将该净化装置的出气口设置在该帽檐底面且靠近该帽体的位置，使得净化后的空气直接输送到靠近用户脸部位置，能够使用户及时呼吸到新鲜空气，且若净化后的空气还有二手烟残留，能够有效被帽檐遮挡住，进而及时被净化装置吸收，实现循环净化，有效提高净化效果。
净化装置帽檐净化帽帽体净化二手烟底面进气口本实用新型净化效果快速收集携带方便新鲜空气循环净化用户脸部直接输送出气口挡住残留帽子呼吸移动吸收

[发明专利]一种全无机固态电致变色器件用电解质薄膜的制备方法-CN201710333860.0有效
发明人：刁训刚;肖宇;王群华;董国波;刘江;吉顺青;叶书兵 -专利权人：江苏繁华玻璃股份有限公司
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种全无机固态电致变色器件用电解质薄膜的制备方法，该制备方法具体步骤如下：以LiMg合金作为靶材，并将清洗备用的衬底基片置于溅射腔室内的样品旋转台上，溅射腔室内预抽真空度＜1.0×10^‑4Pa；将氩气与氧气充分混合后通入溅射腔室内至溅射工作气压0.3～1Pa，混合气体中氮气和氩气的流量比控制在10%～50%；在样品旋转台旋转工作、脉冲直流电源占空比为40%～80%、溅射功率密度控制在3W/cm2以下，靶基距离为6～12cm，溅射60～120min，溅射成LiMgN薄膜。本发明的优点在于：本发明采用脉冲直流反应磁控溅射制备无机固态锂离子电解质LiMgN薄膜，使得连续、在线、大面积工业化生产电致变色玻璃成为可能。
制备无机固态溅射腔溅射电致变色器件电解质薄膜氩气室内薄膜氮气电致变色玻璃反应磁控溅射脉冲直流电源锂离子电解质衬底基片充分混合工作气压混合气体溅射功率脉冲直流密度控制预抽真空流量比旋转台占空比靶材靶基备用氧气合金清洗

[发明专利]p型透明氧化物半导体CuCrO₂薄膜材料的制备方法-CN200810119693.0无效
发明人：张铭;赵学平;董国波;李杨超;严辉;王波;宋雪梅;王如志;侯育东;汪浩 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2008-09-05 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明涉及一种p型透明氧化物半导体CuCrO₂薄膜材料的制备方法。该方法是将纯度均为99.9％的Cu₂O粉体和Cr₂O₃粉体按Cu与Cr的原子比为1∶1配料，然后球磨混合，烘干后在1150℃煅烧12h，生成纯相的CuCrO₂粉体，采用热压法将CuCrO₂粉体压制成陶瓷靶材；利用磁控溅射方法，以石英片为衬底，衬底温度为400～600℃，以纯度为99.999％的Ar和N₂O的混合气体作溅射气体，工作气压为0.8～1.2Pa，N₂O分压为0～20％，溅射功率为80～120W，沉积时间为90min；最后将沉积好的薄膜置于管式炉中进行退火，采用纯度为99.999％的N₂作保护气氛，退火温度为800～1000℃，退火时间为3～5h，退火后获得纯相CuCrO₂薄膜，其厚度为200～400nm。本发明方法可以大面积沉积薄膜，生产成本低，且适用于工业化生产。
透明氧化物半导体 cucro sub 薄膜材料制备方法

[发明专利]P型透明导电氧化物CuAlO₂薄膜的制备方法-CN200710119718.2无效
发明人：张铭;董国波;兰伟;董培明;严辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2007-07-31 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： C30B25/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种P型透明导电氧化物CuAlO₂薄膜的制备方法。该方法的步骤为：将化学纯的Cu₂O粉和分析纯的Al(OH)₃粉经500～550℃预烧1～1.5h，在1050～1150℃保温8～12h，生成纯相的CuAlO₂粉末，将CuAlO₂粉末压制成型后，经1050～1150℃烧结4～10h，制成CuAlO₂陶瓷靶材；采用上述制成的CuAlO₂陶瓷靶材，利用磁控溅射方法，以Si(100)单晶或石英为衬底，衬底温度300～600℃，以高纯氩气与氧气组成的混合气体为工作气体，工作气压0.8～1.0Pa，氧分压10～40％，溅射功率100～200W，薄膜沉积后，于900～1100℃经氮气气氛保护，在管式炉内退火2～5h，制成P型CuAlO₂薄膜。其厚度为100～500nm。本发明方法薄膜沉积面积大，生产成本低，且适于工业化生产。
透明导电氧化物 cualo sub 薄膜制备方法