[发明专利]一种太阳能电池制作方法及太阳能电池在审
| 申请号： | 201810458958.3 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110556435A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 萧生刚;刘万满 | 申请（专利权）人： | 深圳市科纳能薄膜科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/04;H01L31/20 |
| 代理公司： | 44333 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 贾振勇 |
| 地址： | 518053 广东省深圳市南山区南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于新能源领域，提供了一种太阳能电池制作方法及太阳能电池。太阳能电池制作方法包括如下步骤：采用掩膜技术在所述太阳能电池的基体的背面形成至少一个P型非晶硅图案与至少一个N型非晶硅图案；采用所述掩膜技术在所述基体的背面的一侧形成与所述P型非晶硅图案对应的发射极背接触电极，并采用所述掩膜技术在所述基体背面的另一侧形成与所述N型非晶硅图案对应的基极背接触电极。上述的P型非晶硅图案、N型非晶硅图案、发射极背接触电极和基极背接触电极都采用掩膜技术完成，该技术对工艺的精度要求相对较低，因此完成效率较高，并且也不需要高额的设备投入，很大程度上降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 背接触电极 太阳能电池 图案 掩膜 发射极 新能源领域 精度要求 设备投入 制作 生产成本 背面 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池制作方法，其特征在于，包括如下步骤：/n采用掩膜技术在所述太阳能电池的基体的背面形成至少一个P型非晶硅图案与至少一个N型非晶硅图案；/n采用所述掩膜技术在所述基体的背面的一侧形成与所述P型非晶硅图案对应的发射极背接触电极，并采用所述掩膜技术在所述基体背面的另一侧形成与所述N型非晶硅图案对应的基极背接触电极；/n在所述P型非晶硅图案与N型非晶硅图案上层形成所述太阳能电池的正负极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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