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[实用新型]大学生方程式赛车电动换挡装置-CN202121502204.7有效
发明人：刘今;杨晨;莫佳宁;王洪亮 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2021-07-03 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： F16H61/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大学生方程式赛车电动换挡装置，该装置由换挡执行与电机固定机构、无刷电机调速器、电池和单片机控制盒组成；换挡执行与电机固定机构包括换挡执行机构、电机固定机构两部分；换挡执行机构包括换挡输入结臂、电机输出结臂和两条输入输出结臂连杆，用于将电机的扭力传递到发动机变速箱内同时对电机的转矩进行放大，从而完成换挡；无刷电机调速器的一端与电机相连，另一端与单片机控制盒和电池相连，方向盘上的换挡拨片控制器与单片机控制盒相连。本实用新型解决了传统气动换挡装置所需换挡断火时间长、换挡成功率低、续航大幅受限等问题，具有操作方便，安装保养轻松，具有换挡速度快、换挡成功率高、安全的优点。
大学生方程式赛车电动换挡装置

[发明专利]具有PNP穿通三极管的沟槽栅IGBT器件-CN201910573313.9有效
发明人：李泽宏;孙肇峰;赵一尚;杨洋;莫佳宁;何云娇;彭鑫 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有PNP穿通三极管的沟槽栅IGBT器件，本发明在分立浮空pbody区内对称的沟槽介质层之间，通过P型第二集电区、N型第二基区与分立浮空pbody区形成PNP穿通型三极管；器件正向导通时，PNP三极管不发生穿通，并储存空穴增强电导调制，由N+多晶硅、P+多晶硅形成的二极管进一步减小泄露电流；关断时PNP三极管穿通，提供空穴泄放通道，降低关断时间，提高P‑base区域抗闩锁能力；同时沟槽介质层避免了PNP三极管发生闩锁，达到在不影响其他电学特性的情况下，降低了开关时间和开关损耗；器件处于阻断状态下，PNP三极管穿通，增加了器件耐压能力。
具有 pnp 三极管沟槽 igbt 器件

[发明专利]具有SCR结构的沟槽栅IGBT器件-CN201910574377.0有效
发明人：李泽宏;孙肇峰;莫佳宁;赵一尚;杨洋;何云娇;彭鑫;任敏;高巍;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有SCR结构的沟槽栅IGBT器件，本发明在分立浮空Pbody区内的对称沟槽介质层之间，通过P型区、第一N型区、第二N型区与分立浮空Pbody区形成SCR结构；器件正向导通时，SCR结构不导通，并存储空穴增强电导调制，并在金属电极串联二极管，进一步减小泄露电流；关断时提供空穴泄放通道，降低关断时间，达到在不影响其他电学特性的情况下，降低了开关时间和开关损耗；器件处于阻断状态下，SCR结构穿通，增加了器件耐压能力。
具有 scr 结构沟槽 igbt 器件

[发明专利]具有PNP穿通三极管的IGBT器件-CN201910572446.4有效
发明人：李泽宏;孙肇峰;何云娇;赵一尚;莫佳宁;杨洋;贾鹏飞 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有PNP穿通三极管的IGBT器件，P型第二集电区、N型第二基区与分立浮空Pbody区形成PNP三极管结构；器件正向导通时，PNP三极管结构不导通，并储存空穴增强电导调制，并通过在金属电极上串联的二极管进一步减小泄露电流；关断时PNP三极管穿通提供空穴泄放通道，降低关断时间，达到在不影响其他电学特性的情况下，降低了开关时间和开关损耗；器件处于阻断状态下，PNP三极管穿通，增加了器件耐压能力。
具有 pnp 三极管 igbt 器件

[发明专利]具有SCR结构的IGBT器件-CN201910573447.0有效
发明人：李泽宏;孙肇峰;杨洋;赵一尚;莫佳宁;何云娇;彭鑫;任敏;高巍;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有SCR结构的IGBT器件，本发明通过在分立浮空Pbody区内使第一N型区、P型区、第二N型区与P+浮空Pbody区形成SCR结构，器件正向导通时，SCR结构不导通，并储存空穴增强电导调制，并通过金属电极串联二极管进一步降低泄漏电流；关断时提供空穴泄放通道，降低关断时间，达到在不影响其他电学特性的情况下，降低了开关时间和开关损耗；器件处于阻断状态下，SCR结构穿通，增加了器件耐压能力。
具有 scr 结构 igbt 器件