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[发明专利]一种过渡金属掺杂铌酸钾钠织构厚膜及其制备方法-CN201010258099.7有效
发明人：翟继卫;付芳 -专利权人：同济大学
申请日： 2010-08-19 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于无铅压电材料的改性领域，公开了一种通过掺杂过渡金属，如Fe2O3，Cr2O3，MnCO3，Co2O3等，对铌酸钾钠织构厚膜进行改性的方法。本发明的过渡金属掺杂改性铌酸钾钠织构厚膜的方法包括下列步骤：选择过渡金属化合物；制备铌酸钾钠基料；制备片状铌酸钠模板；将过渡金属化合物，模板与基料按一定的比例配料置于球磨罐中，加入配好的溶剂后球磨制得浆料；将浆料流延后获得膜片；将膜片切割后进行等静压；取出压好的样品热处理，得到了过渡金属改性的铌酸钾钠织构厚膜。本发明的方法得到的厚膜具有较高的取向度，良好的显微结构，较低漏电流，推动了铌酸钾钠厚膜向实用化方向的发展。
一种过渡金属掺杂铌酸钾钠织构厚膜及其制备方法

[发明专利]一种具备高压电能量收集性能的无铅铌酸钾钠基织构压电陶瓷及其制备方法-CN202310628239.2在审
发明人：翟继卫;林锦锋;李艳霞;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种具备高压电能量收集性能的无铅铌酸钾钠基织构压电陶瓷及其制备方法，所述无铅铌酸钾钠基织构压电陶瓷的化学通式为97wt.与现有技术相比，本发明通过结合组分设计、传统的织构化流延工艺以及两步烧结法所制得的无铅铌酸钾钠基织构压电陶瓷具有超高的压电系数以及优异的机电耦合系数，从而可以产生高的能量收集性能，这对于安全、长寿命和环保能源供应材料的开发具有重大意义
一种具备高压电能量收集性能无铅铌酸钾钠基织构压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种织构化的铌酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法和应用-CN202211549965.7在审
发明人：曹俊;蒋健晖 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提供一种织构化的铌酸钾钠基压电陶瓷，其包括用于促进织构化发生的模板晶体材料Ba2Bi4Ti5O18和铌酸钾钠基体材料，所述铌酸钾钠基体材料定向生长在所述模板晶体材料上，其化学通式为：X Ba2和K0.48Na0.535NbO3两种材料以特定的比例进行织构化，由于两种材料之间的相互协同作用，使所形成的织构化的铌酸钾钠基压电陶瓷获得了综合电学性能的提高。
一种织构化铌酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]具备高压电响应及高居里温度的铌酸钾钠基无铅压电织构陶瓷及其制备方法-CN202111009891.3有效
发明人：翟继卫;林锦锋 -专利权人：同济大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明涉及一种具备高压电响应及高居里温度的铌酸钾钠基无铅压电织构陶瓷及其制备方法，该铌酸钾钠基无铅压电织构陶瓷的化学通式为0.99K0.5Na织构化流延工艺并结合两步烧结法，得到同时具备高居里温度(360℃)以及高压电性能(400pC/N)的无铅织构化压电陶瓷，对于开发高居里温度无铅压电材料具有非常重要的意义，在低、中温换能器和驱动器等领域具有较高的实用价值
具备高压电响应居里温度铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]织构化铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的制备方法-CN201010192665.9有效
发明人：李永祥;伍萌佳;王东;李亚利;惠春 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及织构化铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的制备方法，属于无铅压电陶瓷制备领域。本发明印刷过程简单，可得到很高取向度的织构化的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷有，最高取向度因子高达90％。
织构化铌酸钾钠基无铅压电陶瓷制备方法

[发明专利]一种水热法制备钙钛矿型片状铌酸钾钠的方法-CN201510635906.5无效
发明人：杨秀英;张德庆;程章洁;石峰 -专利权人：齐齐哈尔大学
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种水热法制备钙钛矿型片状铌酸钾钠的方法，属于功能陶瓷材料领域，其特征在于以氢氧化钠、氢氧化钾、五氧化二铌为原料，碱液浓度为10mol/L，钾钠离子摩尔比为3:1，五氧化二铌的浓度为0.035mol将初始产物干燥后放入马弗炉中450-600℃温度下保温2-4h，得到钙钛矿型铌酸钾钠，显现为六边形或类似圆形片状，厚度为0.1-0.5μm，平面尺寸范围为1.5-4.0μm。该发明方法原料易得价格低廉，设备简单，工艺易控制，在铌酸钾钠二维材料制备以及铌酸钾钠基压电陶瓷织构化研究方面有较好的应用前景。
一种法制备钙钛矿型片状铌酸钾钠方法

[发明专利]一种片状铌酸钾钠粉体的制备方法-CN201210123115.0有效
发明人：李月明;沈宗洋;刘志;王竹梅;洪燕;谢俊 -专利权人：景德镇陶瓷学院
申请日： 2012-04-24 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种片状铌酸钾钠粉体的制备方法，以片状K4Nb6O17、以及K2CO3、KCl、NaCl为反应物，以无水乙醇为介质搅拌混合均匀后，混合液经干燥、反应、洗涤、干燥，得到具有片状形貌的铌酸钾钠粉体本发明获得的片状KNN粉体适用于压电陶瓷技术领域，为织构化制备KNN基无铅压电陶瓷提供了片状同性KNN模板，对于织构化制备无铅压电陶瓷技术的发展具有极大的促进作用。
一种片状铌酸钾钠粉体制备方法

[发明专利]一种铌酸钾钠基织构化压电陶瓷水基流延浆料及其陶瓷膜片的制备方法-CN201210516724.2无效
发明人：李月明;谢俊;王竹梅;洪燕;沈宗洋;谢志翔 -专利权人：景德镇陶瓷学院
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸钾钠基织构化压电陶瓷水基流延浆料，其组成为：陶瓷基料34～65wt%、模板1～20wt%、去离子水20～60wt%、粘结剂1～30wt%、增塑剂1～5wt%、分散剂0.5～3wt%、成膜助剂0.5～2wt%、除泡剂0.05～1wt%；所述陶瓷基料为含1～5wt%烧结助剂的铌酸钾钠基陶瓷粉料；所述模板为片状Nb2O5。
一种铌酸钾钠基织构化压电陶瓷基流浆料及其膜片制备方法

[发明专利]一种织构化铌酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法和应用-CN202210754086.1有效
发明人：李伟;高硕;李朋;郝继功;付鹏;韩维坊;路莹;曲嘉蔚 -专利权人：聊城大学
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提供一种织构化铌酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法和应用。该制备方法包括如下步骤：1)按照化学通式中元素的化学计量比称取原料，经一次球磨、一次烘干、预烧、二次球磨、二次烘干和过筛；2)将粉体基料、NaNbO3模板、烧结助剂本发明织构化铌酸钾钠基压电陶瓷的压电性能具有高温度稳定性，在较宽的温度区间下保持着较高的压电和应变性能。
一种织构化铌酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种织构化的铌酸铋钙陶瓷材料及其制备方法-CN201010509847.4无效
发明人：翟继卫;陈寰贝;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2010-10-15 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于无铅压电材料领域，具体涉及一种织构化的铌酸铋钙陶瓷材料及其制备方法。本发明的织构化的铌酸铋钙陶瓷材料的方法包括下列步骤：制备片状铌酸铋钙模板；制备铌酸铋钙基料；将模板与基料按一定的比例配料置于球磨罐中，加入溶剂后球磨制得浆料；将浆料流延后获得膜片；将膜片切割后叠片热压成型；将成型后的坯体再沿平行于压力方向切片排粘、烧结得到织构化的铌酸铋钙陶瓷材料。该方法制备的铌酸铋钙陶瓷材料取向度高，且制备成本低，工艺成熟简单且适合大批量的工业化生产，所述织构化的铌酸铋钙陶瓷压电性能比未织构的铌酸铋钙陶瓷的压电性能有很大的提高，可广泛应用于高温领域，如航空航天和炼钢等领域
一种织构化铌酸铋钙陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种钕掺杂的铌酸钾钠基压电透明陶瓷及其制备方法-CN201910408956.8在审
发明人：林枞;王华静;朱剑旭;吴啸;李德俊 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种钕掺杂的铌酸钾钠基压电透明陶瓷及其制备方法，首先用稀土离子掺杂铌酸钾钠基陶瓷，用固相法制备陶瓷生坯，然后烧结成型，可以得到透过率达40%，压电常数为100 pC/N以上的铌酸钾钠基压电透明陶瓷本发明工艺步骤简单，易于操作，可得到致密度较高的铌酸钾钠基压电透明陶瓷。
铌酸钾钠基透明陶瓷压电钕掺杂制备铌酸钾钠基陶瓷稀土离子掺杂固相法制备工艺步骤烧结成型陶瓷生坯压电常数透过率

[发明专利]一种镝掺杂的铌酸钾钠基透明发光陶瓷及其制备方法-CN201910414625.5在审
发明人：林枞;王华静;黄雨铭;吴啸;邓宝玉 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种镝掺杂的铌酸钾钠基透明发光陶瓷及其制备方法。本发明用稀土镝离子掺杂铌酸钾钠基陶瓷，用固相法制备陶瓷生坯，然后烧结成型，得到透过率达52%，具有良好发光性能的铌酸钾钠基透明发光陶瓷。本发明工艺步骤简单，易于操作，能得到致密度较高的铌酸钾钠基透明发光陶瓷。
铌酸钾钠基发光陶瓷透明镝掺杂制备铌酸钾钠基陶瓷固相法制备发光性能工艺步骤离子掺杂烧结成型陶瓷生坯透过率稀土镝

[发明专利]钛酸铋钠—钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷及其制备方法-CN200610041830.4无效
发明人：张昌松;高峰;郭晨洁;田长生 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2006-02-27 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明提出一种钛酸铋钠－钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷及其制备方法，以替代传统的含铅系压电陶瓷。本发明以微晶模板钛酸铋与原始粉料、有机溶剂和粘结剂混合生成最终的钛酸铋钠－钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷，其中，织构陶瓷的微晶模板是用二氧化钛、氧化铋、氯化钠以及氯化钾生成形貌为片状的钛酸铋粉体，原始粉料包括碳酸钠、碳酸钾、二氧化钛和氧化铋，经过球磨制浆、流延、叠压、热水等静压、切割、预烧及涂银工序，最终生成钛酸铋钠－钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷。本发明的优点在于可以利用工厂现有的片式电子元件生产设备，同时整个过程完全符合环保要求，所制备出的钛酸铋钠－钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷其电性能已经达到压电陶瓷实用化要求。
钛酸铋钠钛酸铋钾无铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种基于流延法制备铌酸钾钠织构透明陶瓷的方法-CN201910661549.8有效
发明人：吴啸;鲁齐铃;林锦锋;徐洁;周阳;林枞 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于流延法制备铌酸钾钠织构透明陶瓷的方法，首先制备纯(K0.5Na0.5)NbO3粉料以及NaNbO3片状模板，采用流延成型工艺，在1000～1200℃下进行无压烧结，即可制得无杂相、结构致密且取向生长的KNN压电织构透明陶瓷本发明设备简单，工艺简便，易于操作，且生产效率高，进一步拓展了KNN基无铅压电陶瓷的功能。
一种基于法制备铌酸钾钠织构透明陶瓷方法

[发明专利]正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法-CN201210131057.6有效
发明人：郑立梅;霍晓青;王军军;仪修杰;张锐;曹文武;杨彬 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法，它涉及一种功能性单晶材料及其制备方法。本发明解决了铌酸钾钠基压电单晶生长困难、尺寸小、压电性能低的技术问题。本生长工艺生长出的铌酸钾钠基压电单晶径向大小约8mm，长约20mm，尺寸较大，质量均匀，电学性能良好。本发明的正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为纯钙钛矿结构，无其它杂相。室温下锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为正交相结构。正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶具有非常良好的压电性能。
交相掺杂铌酸钾钠基无铅压电及其制备方法

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