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[发明专利]SiC单晶的生产方法-CN202210930781.9在审
发明人：新谷尚史;山形则男;滨口优;美浓轮武久 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明涉及SiC单晶的生产方法。在通过溶液工艺的SiC单晶生产中，将硅(Si)和提高碳(C)溶解度的金属性元素M的合金预浸渍至具有50至90％的相对密度的SiC烧结体中，之后将Si和M置于由SiC烧结体制成的SiC坩埚中并且熔化SiC坩埚内的Si和M，从而形成Si‑C溶液。伴随加热，来自SiC烧结体的SiC溶解至Si‑C溶液中，向Si‑C溶液有效地供应Si和C。结果是，在SiC坩埚和Si‑C溶液之间的所有接触区域以适当的量并且均匀地供应Si和C，能够以快速生长速率长时间稳定地生产高品质SiC单晶。
sic 生产方法

[发明专利]SiC坩埚和SiC烧结体以及SiC单晶的制造方法-CN201680042594.X有效
发明人：新谷尚史;滨口优;山形则男;山田修;美浓轮武久 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-07-25 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：在本发明中，通过溶液法制造SiC单晶时，作为用作Si‑C溶液的收容部的坩埚，使用以SiC为主要成分的氧含量为100ppm以下的坩埚。另外，在其他方式中，在作为Si‑C溶液的收容部的坩埚内收容以SiC为主要成分的氧含量为100ppm以下的烧结体。这样的SiC坩埚、SiC烧结体通过将氧含量为2000ppm以下的SiC原料粉进行成形、煅烧而得到。作为它们的主要成分的SiC成为Si和C的来源，通过加热使Si和C溶出到Si‑C溶液中，但由于氧含量为100ppm以下，因此，Si‑C溶液中的气体产生得到抑制。其结果是，能够长期稳定地制造低缺陷且高品质的SiC单晶。
sic 坩埚烧结以及制造方法

[发明专利]生产SiC单晶的方法和抑制SiC单晶中的位错的方法-CN202211092838.9在审
发明人：山形则男;新谷尚史;滨口优;津森俊宏;美浓轮武久 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明涉及生产SiC单晶的方法和抑制SiC单晶中的位错的方法。通过以下生产SiC单晶：将硅与提高碳溶解度的金属性元素M的熔融合金浸入SiC烧结体中以形成SiC坩埚，将硅和M置于该坩埚中并加热该坩埚以熔化硅和M并形成Si‑C溶液，将硅和碳从与该溶液接触的该坩埚的表面溶解在该溶液中，使SiC籽晶与该溶液的顶部接触以通过溶液工艺在该SiC籽晶上生长第一SiC单晶，和通过升华或气体工艺在溶液生长的第一SiC单晶的面上大块生长第二SiC单晶。这个方法能够通过气相工艺生产低位错、高品质SiC单晶。
生产 sic 方法抑制中的

[发明专利]制备SiC单晶的方法-CN201810328146.7有效
发明人：新谷尚史;滨口优;山形则男;美浓轮武久 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C30B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备SiC单晶的方法。通过布置籽晶与在坩埚中的Si‑C熔液接触并使SiC单晶从籽晶生长的熔液法来制备SiC单晶。该方法包括使用构成籽晶的SiC单晶的(0001)或(000‑1)平面作为生长表面进行晶体生长的第一生长步骤和使用得自第一生长步骤的SiC单晶的(1‑100)或(11‑20)平面作为生长表面进行晶体生长的第二生长步骤。获得了高均匀性和品质的SiC单晶，其在贯通螺位错、贯通刃位错、基面位错、微管和堆垛层错方面得到减少。
制备 sic 方法

[发明专利]照明装置-CN201480076403.2有效
发明人：绵谷和浩;津森俊宏;塚谷敏彦;美浓轮武久 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：本发明为照明装置，其具备在波长420～480nm具有最大峰的蓝色LED芯片、和在该蓝色LED芯片的发光方向前方配置的含有荧光体的树脂层，该含有荧光体的树脂层通过使由Lu3Al5O12：Ce3+表示并且相对于Lu的Ce活化率为2摩尔％以下的LuAG荧光体、和由A2(B1‑xMnx)F6(式中，A为选自Li、Na、K及Cs中的1种以上的元素，B为选自Si、Ti、Nb、Ge及Sn中的1种以上的元素，x为满足0.001≤x≤0.1的范围的正数)表示的复合氟化物荧光体在树脂中混合分散而成，为黑体放射线附近的发光色，在暗处视觉条件下、微明视觉条件下更为感到明亮，获得高可视性和宽范围的明亮感。
照明装置

[发明专利]用于从电镀溶液中萃取和除去稀土金属离子的方法和设备-CN201510159672.1有效
发明人：须原泰人;美浓轮武久 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C25D21/18 文献下载
摘要：在萃取槽中，用萃取剂在不溶于水的有机溶剂中的萃取溶液处理包含稀土金属离子的电镀溶液。萃取处理通过下列步骤进行：将萃取溶液通过下部喷嘴雾化入所述槽下部区域中的电镀溶液，和将电镀溶液通过上部喷嘴雾化入所述槽上部区域中的萃取溶液，由此使所述电镀溶液与所述萃取溶液接触，以便从电镀溶液中将稀土金属离子萃取至萃取剂中而除去。
用于电镀溶液萃取除去稀土金属离子方法设备

[发明专利]碳化硅的晶体生长方法-CN201410741299.6有效
发明人：新谷尚史;滨口优;山形则男;美浓轮武久 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明的利用溶液法的碳化硅的晶体生长方法中，作为Si‑C溶液的收容部，使用以SiC为主要成分的坩埚。通过加热该SiC坩埚，例如形成坩埚内的等温线呈向下侧凸出的温度分布，使源自作为该坩埚的主要成分的SiC的Si和C从与Si‑C溶液接触的坩埚表面的高温区域向Si‑C溶液内溶出，抑制与Si‑C溶液接触的坩埚表面的SiC多晶的析出。从坩埚的上部使SiC籽晶与这种状态的Si‑C溶液接触，从而使SiC单晶在该SiC籽晶上生长。通过使用以SiC为主要成分的坩埚，Si‑C溶液的组成变动少，还抑制了在坩埚的内壁析出的多晶、添加金属元素M与碳C结合而形成的金属碳化物的产生。
碳化硅晶体生长方法

[发明专利]碳化硅的晶体生长方法-CN201410737734.8有效
发明人：新谷尚史;滨口优;山形则男;美浓轮武久 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明的利用溶液法的碳化硅的晶体生长方法中，作为Si‑C溶液的收容部，使用以SiC为主要成分的坩埚。使Si‑C溶液中含有金属元素M(M为选自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Lu组成的第一组、由Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu组成的第二组、由Al、Ga、Ge、Sn、Pb、Zn组成的第三组的至少一组中的至少一种金属元素)，加热坩埚，使源于作为坩埚的主要成分的SiC的Si和C从与Si‑C溶液接触的坩埚表面的高温区域向Si‑C溶液内溶出。由此，抑制在与Si‑C溶液接触的坩埚表面的SiC多晶的析出。
碳化硅晶体生长方法

[发明专利]波长转换部件和发光装置-CN201380068227.3有效
发明人：津森俊宏;金吉正实;石井政利;美浓轮武久 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：波长转换部件，是包含以30质量％以下的含量分散复合氟化物荧光体的、选自聚烯烃、聚苯乙烯、苯乙烯共聚物、氟树脂、丙烯酸系树脂、尼龙、聚酯树脂、聚碳酸酯树脂、氯乙烯树脂和聚醚树脂中的1种或2种以上的热塑性树脂的树脂成型体，该复合氟化物荧光体由A2(M1‑xMnx)F6(式中，M为选自Si、Ti、Zr、Hf、Ge和Sn中的1种或2种以上的4价元素，A为选自Li、Na、K、Rb和Cs并且至少包含Na和/或K的1种或2种以上的碱金属，x为0.001～0.3。)表示，粒度分布中的体积累计50％的粒径D50为2μm以上200μm以下。
波长转换部件发光装置

[发明专利]SiC单晶的制造方法-CN201810285275.2在审
发明人：野村忠雄;山形则男;美浓轮武久 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC单晶的制造方法。该方法包括：在石墨坩锅内的底部放置SiC籽晶；使包含Si、C和R(R是选自包含Sc和Y的稀土元素中的至少一种)或X(X是选自Al、Ge、Sn和不包括Sc和Y的过渡金属中的至少一种)的溶液存在于石墨坩埚中；将溶液过冷以使得SiC单晶在籽晶上生长；从石墨坩锅上方将粉末状或者粒状Si和/或SiC原料加入到溶液中，同时保持SiC单晶的生长。
单晶石墨坩锅籽晶过渡金属石墨坩埚稀土元素生长过冷制造

[发明专利]SiC单晶的制造方法-CN201680042716.5在审
发明人：新谷尚史;滨口优;山形则男;山田修;美浓轮武久 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-07-25 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：在本发明中，通过溶液法制造SiC单晶时，作为用作Si‑C溶液的收容部的坩埚，使用以SiC为主要成分的氧含量为100ppm以下的坩埚。另外，在其他方式中，在作为Si‑C溶液的收容部的坩埚内收容以SiC为主要成分的氧含量为100ppm以下的烧结体。作为它们的主要成分的SiC成为Si和C的来源，通过加热使Si和C溶出到Si‑C溶液中，但由于氧含量为100ppm以下，因此，Si‑C溶液中的气体产生得到抑制。其结果是，能够长期稳定地制造低缺陷且高品质的SiC单晶。
sic 制造方法

[发明专利]转子和永磁体式旋转电机-CN201110070319.8有效
发明人：小林秀树;土井祐仁;美浓轮武久 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H02K1/27 文献下载
摘要：本发明提供一种适用于具有高输出和抗消磁性的大型永磁体式旋转电机的转子和永磁体式旋转电机。具体地，本发明提供一种适用于永磁体式旋转电机的转子，该旋转电机包括转子和定子，该定子配置成距离该转子的外周面一定间隙并通过绕着具有两个以上槽的定子芯缠绕绕组线而形成，该转子包括在两个以上插入孔的每个插入孔中的一个以上的永磁体，该插入孔在转子芯内沿周向形成，其中在每个永磁体的定子侧表面区域的磁矫顽力比在内中央部的磁矫顽力大300kA/m以上，该内中央部是距离永磁体的每个外形面至少5mm深度的内部。本发明还提供一种永磁体式旋转电机，其包括上述转子和配置成距该转子的外周面一定间隙并通过绕着具有两个以上槽的定子芯缠绕绕组线而形成的定子。
转子永磁体式旋转电机

[发明专利]硬质合金基底外刃切割轮及其制造方法-CN201180064700.1有效
发明人：笠岛匡树;美浓轮武久;前川治和;长崎欣史 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： B24D5/12 文献下载
摘要：公开的硬质合金基底外刃切割轮包括硬质合金的环形薄圆片形式的基底，和基底外缘上的刃部。该刃部包含预涂覆磁性材料的金刚石和/或cBN磨粒；通过电镀或无电镀敷形成的用于将磨粒粘结在一起并粘结在基底上的金属或合金结合材料；渗入磨粒之间和磨粒与基底之间的具有最高350℃的熔点的金属或合金粘结剂。还公开了用于制造所述外刃切割轮的方法。
硬质合金基底切割及其制造方法

[发明专利]外刃切割砂轮及其制造方法-CN201610214798.9在审
发明人：笠嶋匡树;美浓轮武久;山口隆治;佐藤孝治 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2008-12-26 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： B24D5/12 文献下载
摘要：本发明涉及外刃切割砂轮及其制造方法，该外刃切割砂轮，包含硬质合金的环形薄圆片基底，该环形薄圆片基底的外径为80‑200mm，内径为30‑80mm，厚度为0.1‑1.0mm，及位于该基底的外周缘的刃部，刃部包含与杨氏模量为0.7‑4.0×10¹¹Pa的金属结合材料结合的金刚石磨粒和/或CBN磨粒，并且刃部的厚度比基底的厚度至少大0.01mm。所述外刃切割砂轮能够以高精度和低公差切割工件，改善了机加工成品率，并减少了机加工成本。
切割砂轮及其制造方法

[发明专利]红色灯和车辆用灯光装置-CN201480011664.6在审
发明人：绵谷和浩;津森俊宏;金吉正实;美浓轮武久 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： F21S8/10 文献下载
摘要：本发明的红色灯是包含作为光源的发出蓝色光的蓝色LED、和被照射蓝色光的红色发光构件的红色灯，红色发光构件包含树脂，和吸收蓝色光而发出包含红色成分的光、作为用锰活化的复合氟化物盐的复合氟化物荧光体。本发明的红色灯的效率高，发光强，在灯正面和灯的侧方两者给予良好的视认性，适合用作红色后灯、红色制动灯等车辆用灯光装置。
红色车辆灯光装置

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