专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]高浓度难降解氯化吡啶类废水处理装置-CN201220057205.X有效
  • 王立章;刘丽芝;罗波 - 南京远齐环保科技有限公司
  • 2012-02-22 - 2012-10-03 - C02F9/06
  • 本实用新型公开了一种高浓度难降解氯化吡啶类废水处理装置,包括板框压滤机、以及依次连接的进水管、调节池、一级混凝沉淀池、多级复极化床电极反应器、二级混凝沉淀池、活性炭吸附单元、活性炭再生单元;所述一级混凝沉淀池、二级混凝沉淀池均通过板框压滤机与调节池相连,所述活性炭再生单元与调节池相连。本装置以多级复极化床电极反应器为核心的主体处理工艺,可大幅度降解氯化吡啶类有机污染物,活性炭吸附及电再生单元可以实现废水把关深度处理,实现废水达到园区接管标准;本装置具有处理效果好、出水稳定、方便灵活、可实现间歇处理。
  • 浓度降解氯化吡啶废水处理装置
  • [实用新型]细胞爬片集成制备架-CN201120564622.9有效
  • 罗波;毛樱逾;郑小莉;杨烨;李洪 - 泸州医学院
  • 2011-12-30 - 2012-09-05 - C12M3/04
  • 一种细胞爬片集成制备架,属细胞培养器具。本新型由制备架底座和制备架盖组成;制备架底座结构为:矩形底板上表面的三个边上有由向上延伸段和向内延伸段衔接而成的卡槽,矩形底板底部有四个支脚,矩形底板上表面上有多个等间隔分布、相互平行的条形凹槽,每一条形凹槽长边方向的两个上沿口处分别开有供细胞爬片放置的爬片槽,爬片槽沿条形凹槽长边方向等间距均布设置;制备架盖结构为:矩形盖板底面的三个边上有用作插入制备架底座的卡槽之中的向外伸出的凸缘。它具有细胞爬片固位效果好、方便取用等特点。
  • 细胞集成制备
  • [发明专利]部分SOI横向双扩散器件-CN201210047316.7有效
  • 廖红;罗波 - 四川长虹电器股份有限公司
  • 2010-12-08 - 2012-07-11 - H01L29/06
  • 本发明涉及SOI技术。本发明解决了现有常规SOI器件自热效应明显的问题,提供了一种部分SOI横向双扩散器件,其技术方案可概括为:部分SOI横向双扩散器件,其埋氧层一端位于源极下方与器件边缘接触,另一端与漏极第二型杂质欧姆接触区的水平距离不小于零,埋氧层的另一端到漏极下方的器件边缘之间,第一型杂质衬底与第二型杂质顶层硅层接触形成PN结。本发明的有益效果是,其埋氧层在漏极下方开口,能够有效传递SOI器件所产生的热量,适用于SOI器件。
  • 部分soi横向扩散器件
  • [发明专利]桡骨骨折复位器-CN201110311045.7无效
  • 王国波;陈森;闫朝勤;罗波;苟印饶;杨金凤;袁杰;李皓;李仁嵩;赵芸芸;李胜新 - 王国波
  • 2011-10-14 - 2012-05-02 - A61B17/56
  • 本发明公开了一种桡骨骨折复位器,它包括支撑架,支撑架上设有上平台和下平台,上平台上设有上支撑轨道,上支撑轨道上设有上移动平台,上移动平台上设有手掌连接固定板,上移动平台与上平移驱动机构连接,上平台上还设有固定平台;下平台上设有下轨道,下轨道上设下移动平台,下移动平台与下平移驱动机构连接,下移动平台上设升降连接机构。它弥补了现有牵引装置不能全面自动实现手法牵引的缺陷,实现牵引复位治疗的自动控制。
  • 桡骨骨折复位
  • [发明专利]p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件-CN201110318006.X无效
  • 廖红;罗波 - 四川长虹电器股份有限公司
  • 2010-01-29 - 2012-03-07 - H01L29/06
  • 本发明涉及SOI基上LDMOS器件。本发明针对现有技术的器件未成熟击穿的问题,以及漏极扩展区掺杂浓度与器件耐压的矛盾,公开了一种绝缘衬底上的硅基p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件。本发明的技术方案是,p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件,包括沿Y方向自下而上的衬底、埋氧层、n型掺杂层;所述n型掺杂层X方向一端形成源极n阱,另一端形成漏极p阱,源极n阱和漏极p阱之间为漏极扩展区;所述漏极扩展区由沿Z方向交错并排的n型杂质条和p型杂质条构成,所述n型杂质条和p型杂质条X方向的两端分别与源极n阱和漏极p阱相接。本发明提高了器件耐压的同时,降低了器件导通电阻,非常适合用于制造PDP寻址集成电路。
  • 沟道横向扩散金属氧化物半导体器件
  • [发明专利]一种空间挠性结构根部测控系统-CN201110120880.2无效
  • 李伟鹏;罗波;岳鹏飞;黄海 - 北京航空航天大学
  • 2011-05-11 - 2011-12-14 - B64G1/24
  • 本发明提供一种空间挠性根部测控系统,包括:挠性桁架、主动杆系、测量部分和信号处理与控制部分,所述测量部分包括点光源、CCD相机A和CCD相机B,所述信号处理与控制部分,包括图像采集处理系统、控制系统和功率放大器。本发明提供的一种空间挠性结构根部测控系统,无需在挠性结构中附加任何器部件,利于实现结构系统正常展开及关键部件集中防护,能有效地用于空间挠性结构的振动主动控制,以适应航天器在轨能够稳定安全准确操作的要求,并采用非接触测量,避免将传感器曝露在空间环境中,能够实现挠性桁架结构振动的快速抑制。
  • 一种空间结构根部测控系统

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